2025-11-17T15:07:13.373257

Room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility and ferrotoroidicity

Qi, Xiong, Ma et al.
The design and fabrication of room-temperature magnetic semiconductors are recognized worldwide as a great challenge, and of both theoretical and practical importance in the field of spintronics. Compared with diluted magnetic semiconductors, intrinsic room-temperature magnetic semiconductors have rarely been developed. Reported herein is a magnetic semiconductor film formed by supramolecular self-assembly based on uranyl and cyclodextrin, with the Curie temperature above room temperature. The electrical measurements show that the film exhibits typical p-type semiconductor characteristics with a superhigh carrier mobility of 3200 cm2V-1s-1, which can help achieve an excellent match with the n-type semiconductor. The room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility can be attributed to the formation of ferrotoroidicity and the highly ordered transport channel. This work paves the way for the application of ferrotoroidic materials in sensing, information storage as well as flexible electronics.
academic

موصل نصف ناقل مغناطيسي في درجة حرارة الغرفة مع حركية ثقب فائقة وخاصية الحديد الحلقية

المعلومات الأساسية

  • معرّف الورقة: 2510.09327
  • العنوان: موصل نصف ناقل مغناطيسي في درجة حرارة الغرفة مع حركية ثقب فائقة وخاصية الحديد الحلقية
  • المؤلفون: Jianyuan Qi, Shijie Xiong, Beining Ma, Xinghai Shen (جامعة بكين)
  • التصنيف: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other physics.chem-ph
  • المؤسسة التابعة: كلية الكيمياء والهندسة الجزيئية بجامعة بكين، مركز الفيزياء التطبيقية والتكنولوجيا
  • رابط الورقة: https://arxiv.org/abs/2510.09327

الملخص

يُعتبر تصميم وتحضير أنصاف النواقل المغناطيسية في درجة حرارة الغرفة تحديًا كبيرًا معترفًا به عالميًا، وله أهمية نظرية وعملية كبيرة في مجال الإلكترونيات المغزلية. بالمقارنة مع أنصاف النواقل المغناطيسية المخففة، فإن تطوير أنصاف النواقل المغناطيسية الجوهرية في درجة حرارة الغرفة نادر جدًا. تقرر هذه الورقة عن غشاء نصف ناقل مغناطيسي يتم تشكيله من خلال التجميع الذاتي فوق الجزيئي للأورانيل والسيكلودكسترين، مع درجة حرارة كوري أعلى من درجة حرارة الغرفة. تُظهر القياسات الكهربائية أن الغشاء يُبدي خصائص نصف ناقل من النوع p النموذجي، مع حركية ناقل تصل إلى (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹، مما يحقق مطابقة ممتازة مع أنصاف النواقل من النوع n. يمكن عزو حركية الثقب الفائقة لنصف الناقل المغناطيسي في درجة حرارة الغرفة إلى تكوين خاصية الحديد الحلقية والقنوات النقل المرتبة بدرجة عالية. يمهد هذا العمل الطريق لتطبيقات المواد ذات الخاصية الحلقية في الاستشعار وتخزين المعلومات والأجهزة الإلكترونية المرنة.

خلفية البحث والدافع

المشاكل الأساسية

  1. تحديات تحضير أنصاف النواقل المغناطيسية في درجة حرارة الغرفة: يُعتبر تصميم وتحضير أنصاف النواقل المغناطيسية في درجة حرارة الغرفة واحدًا من 125 سؤالًا علميًا تحديًا الأكثر صعوبة الذي نشرته مجلة Science عام 2005. تتطلب أنصاف النواقل المغناطيسية المخففة التقليدية (DMS) تحقيق عدة شروط صارمة: درجة حرارة كوري تتجاوز درجة حرارة الغرفة، مغناطيسية قابلة للتحكم بالبوابة، عدم وجود انفصال الشوائب، وإنشاء ترتيب مغناطيسي بعيد المدى.
  2. قيود حركية الناقل في أنصاف النواقل من النوع p: حركية الناقل في أنصاف النواقل من النوع p الحالية أقل بكثير من أنصاف النواقل من النوع n، على سبيل المثال SiC حوالي 120 cm²V⁻¹s⁻¹، InSe حوالي 800 cm²V⁻¹s⁻¹، والفوسفور الأسود حوالي 1350 cm²V⁻¹s⁻¹، مما يحد بشدة من تطبيقات الأجهزة الإلكترونية.

أهمية البحث

  • تطبيقات الإلكترونيات المغزلية: يمكن لأنصاف النواقل المغناطيسية التحكم في درجات حرية الشحنة والمغزل في نفس الوقت، مع آفاق تطبيقية واسعة في أجهزة الإلكترونيات المغزلية
  • متطلبات مطابقة الأجهزة: تطابق نصف ناقل من النوع p عالي الحركية مع نصف ناقل من النوع n أمر حاسم للتطبيق العملي
  • مواد حديدية جديدة: تعتبر خاصية الحديد الحلقية الترتيب الحديدي الرابع الأساسي، مع قيمة تطبيقية مهمة في مجالات تخزين المعلومات

المساهمات الأساسية

  1. تحضير نصف ناقل مغناطيسي في درجة حرارة الغرفة من خلال التجميع الذاتي فوق الجزيئي للمرة الأولى: بناءً على نظام الأورانيل-γ-السيكلودكسترين، تم تحقيق نصف ناقل مغناطيسي جوهري مع درجة حرارة كوري تتجاوز 300K
  2. تحقيق حركية ثقب فائقة: حركية الناقل تصل إلى (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹، متفوقة بشكل ملحوظ على مواد أنصاف النواقل من النوع p الموجودة
  3. اكتشاف آلية خاصية الحديد الحلقية: الكشف عن أن خاصية الحديد الحلقية التي تكسر في نفس الوقت تماثل الانعكاس الزمني وتماثل الانعكاس المكاني هي المفتاح لتحقيق الأداء الممتازة
  4. إنشاء نموذج الاقتران الخماسي الخطوات: اقتراح آلية اقتران العزم المغناطيسي من المستوى الجزئي إلى المستوى الكلي، مما يشرح أصل المغناطيسية في درجة حرارة الغرفة وحركية الثقب الفائقة

شرح التفاصيل المنهجية

استراتيجية تحضير المواد

تحضير غشاء U2

  • محلول المادة الأولية: UO₂(NO₃)₂·6H₂O (0.5 mmol) + γ-CD (1 mmol) + محلول CsOH (10 mmol)
  • عملية التجميع الذاتي: التحضير بطريقة الطلاء الدوراني، حيث يتم تشكيل بلورات التجميع الذاتي فوق الجزيئي من خلال تنسيق γ-CD مع أيونات المعادن
  • التحكم في سمك الغشاء: التحكم في السمك (0.8-1.4 μm) من خلال تعديل سرعة الطلاء الدوراني (2000-8000 rpm) وتركيز المادة الأولية

تحضير غشاء U1@U2 المغناطيسي

طريقتان للاختزال لتحويل UO₂²⁺ إلى UO₂⁺:

  1. الاختزال بالإشعاع: مصدر ⁶⁰Co، الجرعة الإجمالية 600 kGy، معدل الجرعة 100 Gy/min
  2. الاختزال الضوئي: إضاءة بمصباح LED لمدة 12 ساعة، القوة 100 mW

الخصائص الهيكلية

  • البنية البلورية: هيكل تنسيق نوع الساندويتش (γ-CD)₈(UO₂)₈Cs₁₆
  • خصائص الشكل: غشاء متعدد البلورات يتكون من تراص متقاطع للعديد من البلورات الرباعية الصغيرة
  • كفاءة الاختزال: يُظهر تحليل XPS أن 69.2% من اليورانيوم السادس يتم اختزاله إلى اليورانيوم الخماسي

الإعدادات التجريبية

طرق التوصيف

  1. توصيف البنية: PXRD, SEM, TEM, EDS
  2. توصيف المغناطيسية: مقياس SQUID المغناطيسي (MPMS-3)، EPR، قياسات القابلية المغناطيسية AC/DC
  3. توصيف كهربائي: تحضير أجهزة Hall، قياس خصائص الترانزستور ذي التأثير الميداني
  4. تحليل التماثل: طيف الجيل التوافقي الثاني (SHG)

تحضير الأجهزة

  • أجهزة Hall: هيكل البوابة السفلية والقطب العلوي، أقطاب Au (سمك 50 nm)
  • طبقة العازل: طبقة SiO₂ بسمك 4.73±0.03 nm
  • أبعاد الجهاز: طول شريط Hall 100 μm، عرض 40 μm، نسبة العرض إلى الارتفاع 2.5

الطرق الحسابية

  • حسابات DFT: طريقة CASSCF لحساب ثوابت الاقتران المغزلي المداري ومعاملات فوق التبادل
  • تحليل المغناطيسية: تحليل آليات الاقتران المغناطيسي بناءً على نموذج Heisenberg

النتائج التجريبية

الخصائص المغناطيسية

  1. المغناطيسية الحديدية في درجة حرارة الغرفة:
    • درجة حرارة كوري TC > 300K
    • منحنيات ZFC-FC لا تتقاطع في النطاق 4-300K
    • قوة القسر Hc = 80 Oe عند 300K
  2. استقرار الترتيب المغناطيسي:
    • الجزء الحقيقي والخيالي من القابلية المغناطيسية AC يُظهران قمة مستقلة عن التردد
    • تبقى المغناطيسية مستقرة بعد التعرض للهواء لفترات طويلة

الأداء الكهربائي

  1. خصائص نصف ناقل من النوع p:
    • التوصيل عند جهد بوابة سالب، القطع عند جهد بوابة موجب
    • جهد القطع Vth ≈ -9.5V
    • حركية الناقل: (3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹
  2. تأثير Hall الشاذ:
    • مقاومة Hall الشاذة عند مجال مغناطيسي صفري: 0.32 mΩ·cm
    • أعلى بمقدار 1-2 من حيث الحجم من المواد المغناطيسية الموجودة

كسر التماثل

  1. كسر تماثل الانعكاس المكاني: شدة إشارة SHG تتناسب مع مربع القوة (الميل 1.9≈2.0)
  2. كسر تماثل الانعكاس الزمني: إشارة EPR (g=2.015, 2.006) تؤكد المغناطيسية

تحليل الآلية

آلية تكوين خاصية الحديد الحلقية

نموذج الاقتران الخماسي الخطوات

  1. الخطوة الأولى: يوفر الاقتران المغزلي المداري الزخم الزاوي الكلي، مع تحقيق التوجه المكاني ثلاثي الأبعاد من خلال التنسيق الرباعي γ-CD
  2. الخطوة الثانية: ترتيب العزم المغناطيسي الدوامي وتأثير فوق التبادل يشكلان عزم الحديد الحلقي T⃗
  3. الخطوة الثالثة: الاقتران على طول البنية الأنبوبية أحادية البعد يشكل عزم الحديد الحلقي بعيد المدى ∑T⃗
  4. الخطوة الرابعة: يتم اقتران العزم الحديدي الحلقي بعيد المدى بشكل إضافي لتشكيل نطاقات الحديد الحلقية
  5. الخطوة الخامسة: الارتباط بين نطاقات الحديد الحلقية المختلفة يشكل مادة حديدية حلقية عيانية

المعاملات الرئيسية

  • ثابت الاقتران المغزلي المداري: ζ = 2164.5 cm⁻¹ (اقتران قوي)
  • معامل فوق التبادل: J = 7.8 cm⁻¹ (كافٍ للحفاظ على TC > 300K)
  • نموذج الاقتران المغناطيسي: اقتران العزم من الرأس إلى الذيل، موجه نحو خط الاتصال بين ذرات U المجاورة

آلية حركية الثقب الفائقة

  1. قنوات النقل المرتبة: التجميع الذاتي فوق الجزيئي يبني قنوات نقل ثقب مرتبة بعيد المدى
  2. قمع التشتت: تقليل التشتت على الواجهات والشبكة البلورية
  3. تقليل الكتلة الفعالة: يحفز الاقتران المغزلي المداري القوي انقسام نطاق التكافؤ، مما يعزز حركة الثقب بين الجزيئات

مقارنة الأعمال ذات الصلة

تطور أنصاف النواقل المغناطيسية

  1. أنصاف النواقل المغناطيسية المخففة (DMS): إدخال المغناطيسية من خلال الشوائب المغناطيسية، لكن من الصعب تحقيق جميع الشروط العملية في نفس الوقت
  2. أنصاف النواقل المغناطيسية ثنائية الأبعاد: مثل المغناطيسية على حافة شرائط الفوسفورين، لكن التطبيقات محدودة
  3. أنصاف النواقل المغناطيسية العضوية: مثل جزيئات بيرين ثنائي الإيميد الجذرية، لكن عمر الجذور قصير

مقارنة حركية أنصاف النواقل من النوع p

  • هذا العمل: 3200 cm²V⁻¹s⁻¹
  • الفوسفور الأسود: 1350 cm²V⁻¹s⁻¹
  • InSe: 800 cm²V⁻¹s⁻¹
  • SiC: 120 cm²V⁻¹s⁻¹
  • البيروفسكايت القائم على القصدير: 60 cm²V⁻¹s⁻¹

الاستنتاجات والمناقشة

الاستنتاجات الرئيسية

  1. تم تحضير نصف ناقل مغناطيسي في درجة حرارة الغرفة قائم على التجميع الذاتي فوق الجزيئي للمرة الأولى
  2. تم تحقيق أعلى حركية ناقل لنصف ناقل من النوع p حتى الآن
  3. تم اكتشاف والتحقق من خاصية الحديد الحلقية كترتيب حديدي رابع
  4. تم إنشاء نموذج نظري لاقتران العزم المغناطيسي من المستوى الجزئي إلى المستوى الكلي

المزايا التقنية

  1. التحضير البسيط: طريقة طلاء دوراني بخطوة واحدة، سهلة التحضير على نطاق واسع
  2. الأداء الممتازة: تجمع بين المغناطيسية في درجة حرارة الغرفة وحركية الثقب الفائقة
  3. الاستقرار الجيد: مستقرة على المدى الطويل في الهواء
  4. الآلية الواضحة: نموذج نظري كامل، صورة فيزيائية واضحة

القيود

  1. سلامة المادة: استخدام عنصر اليورانيوم المشع يتطلب تدابير حماية خاصة
  2. طريقة الاختزال: تتطلب معالجة بالإشعاع أو الضوء، مما يزيد من تعقيد التحضير
  3. جودة الغشاء: قد تؤثر البنية متعددة البلورات على اتساق الجهاز
  4. الاستقرار على المدى الطويل: يتطلب التحقق الإضافي من استقرار تشغيل الجهاز على المدى الطويل

الاتجاهات المستقبلية

  1. تحسين المادة: استكشاف خيارات بديلة لعناصر غير مشعة
  2. تكامل الأجهزة: تطوير أجهزة إلكترونيات مغزلية بناءً على هذه المادة
  3. توسيع التطبيقات: التطبيقات في الاستشعار وتخزين المعلومات والأجهزة الإلكترونية المرنة
  4. تعميق النظرية: تحسين نظرية خاصية الحديد الحلقية بشكل أكبر

التقييم المتعمق

المزايا

  1. الابتكار البارز: تحقيق نصف ناقل مغناطيسي في درجة حرارة الغرفة من خلال التجميع الذاتي فوق الجزيئي للمرة الأولى، فتح اتجاه بحثي جديد
  2. الأداء الممتازة: حركية الناقل تحقق رقمًا قياسيًا جديدًا لنصف ناقل من النوع p، ذات قيمة تطبيقية مهمة
  3. الآلية العميقة: اكتشاف والتحقق من آلية خاصية الحديد الحلقية له أهمية نظرية مهمة
  4. التوصيف الشامل: توصيف كامل للبنية والمغناطيسية والخصائص الكهربائية والبصرية، بيانات موثوقة

أوجه القصور

  1. الاعتبارات الأمنية: استخدام عنصر اليورانيوم يحد من التطبيق الواسع للمادة
  2. شروط التحضير: تتطلب جو خامل وأجهزة إشعاع، مما يرفع عتبة التحضير
  3. تحسين الجهاز: معاملات أداء جهاز Hall تحتاج إلى تحسين إضافي
  4. التحقق النظري: بعض الحسابات النظرية تعتمد على نماذج مبسطة، تحتاج إلى تحقق أكثر دقة

التأثير

  1. المساهمة الأكاديمية: توفير أفكار جديدة لأبحاث أنصاف النواقل المغناطيسية والمواد ذات الخاصية الحلقية
  2. القيمة التقنية: حركية الثقب الفائقة لنصف ناقل من النوع p لها أهمية كبيرة لتطور الأجهزة الإلكترونية
  3. الآفاق التطبيقية: لها إمكانيات تطبيقية في مجالات الإلكترونيات المغزلية والأجهزة الكمية والمجالات الحدودية الأخرى

السيناريوهات المطبقة

  1. البحث الأساسي: دراسة آليات الفيزياء لأنصاف النواقل المغناطيسية
  2. أجهزة الإلكترونيات المغزلية: ترانزستورات التأثير الميداني المغزلي، مصابيح LED المغزلية، إلخ.
  3. تطبيقات التخزين: أجهزة تخزين جديدة بناءً على خاصية الحديد الحلقية
  4. أجهزة الاستشعار: أجهزة استشعار مغناطيسية عالية الحساسية

المراجع

تستشهد هذه الورقة بـ 47 مرجعًا ذا صلة، تغطي أعمالًا مهمة في عدة مجالات بحثية بما في ذلك أنصاف النواقل المغناطيسية والمواد ذات الخاصية الحلقية والتجميع الذاتي فوق الجزيئي، مما يوفر أساسًا نظريًا قويًا ومعايير مقارنة.


التقييم الشامل: هذه ورقة بحثية ذات أهمية اختراقية في مجال علوم المواد، لا تحقق فقط ابتكارًا تقنيًا ملحوظًا، بل تقترح أيضًا آليات فيزيائية جديدة من الناحية النظرية. على الرغم من وجود بعض التحديات في الجوانب العملية، فإن قيمتها الأكاديمية وآفاقها التطبيقية المحتملة تجعلها مساهمة مهمة في هذا المجال.