Optically induced orbital polarization in bulk germanium
Scali, Finazzi, Bottegoni et al.
Optical orientation has been proven as a powerful tool to inject spin-polarized electron and hole populations in III-V and group-IV semiconductors. In particular, the absorption of circularly-polarized light in bulk Ge generates a spin-oriented population of electrons in the conduction band with a spin-polarization up to 50%, whereas the hole spin-polarization, opposite to the electron one, can even reach values up to 83%. In this letter, we theoretically investigate the optical injection of orbital polarization by means of circularly-polarized light in bulk Ge and we show that the latter considerably exceeds 100% for holes and photon energies close to the direct Ge gap. These results suggest that Ge is a convenient platform for future development of orbitronics and opto-orbitronic devices.
academic
الاستقطاب المداري المستحث بصرياً في الجرمانيوم الضخم
ثبت أن تقنية التوجيه البصري أداة فعالة لحقن الإلكترونات والثقوب ذات الاستقطاب المغزلي في أشباه الموصلات من النوع III-V والنوع IV. وعلى وجه الخصوص، يؤدي امتصاص الضوء المستقطب دائرياً في الجرمانيوم الضخم إلى إنتاج مجموعة من الإلكترونات ذات التوجيه المغزلي في نطاق التوصيل، مع معدل استقطاب مغزلي يصل إلى 50%، بينما يصل معدل الاستقطاب المغزلي للثقوب (معاكس للإلكترونات) إلى 83%. تدرس هذه الورقة نظرياً الحقن البصري للاستقطاب الزخم الزاوي المداري من خلال الضوء المستقطب دائرياً في الجرمانيوم الضخم، وتُظهر النتائج أن معدل الاستقطاب المداري للثقوب يتجاوز بشكل كبير 100% عند طاقات الفوتون القريبة من الفجوة النطاقية المباشرة للجرمانيوم. تشير هذه النتائج إلى أن الجرمانيوم منصة مثالية لتطوير أجهزة الإلكترونيات المدارية والإلكترونيات الضوئية-المدارية في المستقبل.
تحديات الإلكترونيات المغزلية: على الرغم من نجاح عزم نقل الدوران وعزم الدوران المداري في أجهزة الذاكرة MRAM، لا يزال التحكم في الدوران تحدياً صعباً. يؤدي العمر الزمني القصير جداً للدوران الحامل إلى عرقلة تحقيق معمارية مفاتيح دوران كهربائية قوية وموثوقة.
ظهور الإلكترونيات المدارية: تمثل الإلكترونيات المدارية مجال بحث ناشئ يستخدم الزخم الزاوي المداري للإلكترونات أو الثقوب كمتغير حالة، مما يوفر مزايا محتملة مقارنة بالإلكترونيات المغزلية. يوفر تأثير هول المداري (OHE) تيارات مدارية عرضية، مما يفتح طرقاً جديدة لإنتاج واكتشاف والتحكم في التيارات المدارية.
إمكانات تقنية التوجيه البصري: نجحت تقنية التوجيه البصري في تحقيق حقن الحوامل ذات الاستقطاب المغزلي في أشباه الموصلات من النوع III-V والنوع IV، لكن تطبيقها في استقطاب الزخم الزاوي المداري لم يتم استكشافه بشكل كامل.
يهدف هذا البحث إلى استكشاف نظري لإمكانية استخدام تقنية التوجيه البصري لإنتاج تراكم الزخم الزاوي المداري في الجرمانيوم الضخم، مما يوفر أساساً فيزيائياً جديداً لأجهزة الإلكترونيات المدارية.
أول دراسة نظرية: أول دراسة نظرية منهجية للآليات الفيزيائية لاستقطاب الزخم الزاوي المداري المستحث بالضوء المستقطب دائرياً في الجرمانيوم الضخم
إنشاء إطار نظري شامل: بناء إطار حسابي شامل لمعدلات حقن الحوامل والدوران والزخم الزاوي المداري بناءً على طريقة k·p بـ 30 نطاقاً ونظرية الاستجابة الخطية
اكتشاف استقطاب مداري فائق: اكتشاف أن معدل الاستقطاب المداري للثقوب يمكن أن يصل إلى حوالي 160% (بوحدات ℏ/2) عند طاقات الفوتون القريبة من الفجوة النطاقية المباشرة للجرمانيوم
توفير صورة فيزيائية ذرية: شرح آلية الاستقطاب المداري من منظور المدارات الذرية
الإشارة إلى آفاق التطبيق: إثبات الإمكانات الهائلة للجرمانيوم كمنصة لأجهزة الإلكترونيات المدارية
تستشهد الورقة بالأدبيات المهمة في مجالات الإلكترونيات المدارية والتوجيه البصري وفيزياء أشباه الموصلات، بما في ذلك:
العمل الرائد لـ Bernevig وآخرين حول تأثير هول المداري
التقدم التجريبي الحديث في الإلكترونيات المدارية
الأدبيات الكلاسيكية لنظرية k·p والتوجيه البصري
أبحاث بنية النطاق لمادة الجرمانيوم
الملخص: هذه ورقة فيزياء نظرية عالية الجودة تقدم مساهمات مهمة في مجال الإلكترونيات المدارية الناشئ. تتمتع ظاهرة الاستقطاب المداري الفائق المكتشفة بأهمية علمية كبيرة، وتوفر أساساً نظرياً متيناً لتطوير أجهزة الإلكترونيات المدارية في المستقبل.