2025-11-20T06:58:14.569326

Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets

Fang, Zhang, Zhou et al.
Valley Hall effect is fundamental to valleytronics and provides a promising avenue for advancing information technology. While conventional valley Hall effect requires the inversion symmetry breaking, the recently proposed nonlinear valley Hall (NVH) effect removes the symmetry constraint, and broaden material choices. However, existing studies are limited to nonmagnetic materials without spin involvement and rely on external strain to break rotational symmetry. Here, to address these limitations, we design a magnetically controllable NVH effect in centrosymmetric ferromagnets, by the tight-binding model and first-principles calculations. The model calculations demonstrate nonvanishing NVH conductivities can emerge in pristine hexagonal lattice without external strain, with the magnitude, sign, and spin polarization of the conductivities being all dependent on the magnetization orientation. The effect thus generates various spin-polarized valley Hall currents, characterized by distinct combinations of current direction and spin polarization. First-principle results on a ferromagnetic VSi$_2$N$_4$ bilayer confirm considerable NVH conductivities and their dependence on the magnetization. The magnetically controllable NVH effect unlocks the potential of centrosymmetric magnets for valleytronics, and offer opportunities for novel spintronic and valleytronic devices.
academic

تأثير قاعة الوادي غير الخطي القابل للتحكم المغناطيسي في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي

المعلومات الأساسية

  • معرف الورقة: 2510.13457
  • العنوان: تأثير قاعة الوادي غير الخطي القابل للتحكم المغناطيسي في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي
  • المؤلفون: Ruijing Fang, Jie Zhang, Zhichao Zhou, Xiao Li (جامعة نانجينج العادية)
  • التصنيف: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
  • تاريخ النشر: 15 أكتوبر 2024 (نسخة arXiv المسبقة)
  • رابط الورقة: https://arxiv.org/abs/2510.13457

الملخص

يعتبر تأثير قاعة الوادي الأساس النظري لإلكترونيات الوادي، مما يوفر طريقة واعدة لتطوير تكنولوجيا المعلومات. يتطلب تأثير قاعة الوادي التقليدي كسر تماثل الانعكاس، بينما يلغي تأثير قاعة الوادي غير الخطي (NVH) المقترح مؤخراً قيود التماثل، مما يوسع نطاق اختيار المواد. ومع ذلك، تقتصر الدراسات الحالية على المواد غير المغناطيسية بدون مشاركة الدوران، وتعتمد على الإجهاد الخارجي لكسر تماثل الدوران. لحل هذه القيود، قمنا بتصميم تأثير NVH قابل للتحكم المغناطيسي في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي من خلال نموذج الربط الضيق وحسابات المبادئ الأولى. تُظهر الحسابات النموذجية أن الموصلية غير الصفرية لـ NVH يمكن أن تظهر في الشبكة السداسية الأصلية بدون إجهاد خارجي، حيث تعتمد السعة والإشارة والاستقطاب الدوراني على اتجاه المغنطة. ينتج هذا التأثير تيارات قاعة وادي مع استقطاب دوراني متنوع، بخصائص مختلفة من اتجاهات التيار والاستقطاب الدوراني. تؤكد حسابات المبادئ الأولى لطبقة ثنائية الجزيئات VSi₂N₄ الفريمغناطيسية على موصلية NVH ملحوظة واعتمادها على المغنطة.

الخلفية البحثية والدافع

خلفية المشكلة

  1. قيود تأثير قاعة الوادي التقليدي: يتطلب تأثير قاعة الوادي الخطي التقليدي كسر تماثل الانعكاس البلوري، مما يستبعد عدداً كبيراً من المواد ذات التماثل المركزي من التطبيقات في إلكترونيات الوادي.
  2. القيود الحالية لتأثير NVH:
    • مقتصر على المواد غير المغناطيسية، مع غياب مشاركة درجات الحرية الدورانية
    • يعتمد على الإجهاد الخارجي لكسر تماثل الدوران، مع مشاكل في كفاءة نقل الإجهاد والتوزيع غير المتساوي
    • دقة وقابلية إعادة الإنتاج محدودة
  3. الاحتياجات البحثية: تطوير آليات جديدة فعالة لإدخال الدوران وتوفير قابلية تحكم محسّنة، لتحقيق التحكم المتزامن في درجات الحرية الإلكترونية المتعددة.

الدافع البحثي

تهدف هذه الورقة إلى التغلب على أوجه القصور في البحث الحالي عن تأثير NVH من خلال إدخال الترتيب الفريمغناطيسي لتحقيق ما يلي بشكل متزامن:

  • كسر تماثل عكس الزمن وإدخال الاستقطاب الدوراني
  • كسر تماثل الدوران البلوري من خلال الاقتران بين المدار والدوران
  • تحقيق تأثير إلكترونيات الوادي القابل للتحكم بالمجال المغناطيسي

المساهمات الأساسية

  1. اقتراح تأثير NVH القابل للتحكم المغناطيسي: تحقيق تأثير قاعة الوادي غير الخطي بدون الحاجة إلى إجهاد خارجي في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي للمرة الأولى
  2. بناء النموذج النظري: إنشاء نموذج ربط ضيق ثلاثي المدار يتضمن الاقتران بين المدار والدوران والتفاعل التبادلي الفريمغناطيسي
  3. تحقيق قابلية التحكم المتعددة: التحكم في سعة موصلية NVH والإشارة واتجاه الاستقطاب الدوراني من خلال اتجاه المغنطة
  4. التحقق من المواد: التحقق من التنبؤات النظرية في طبقة ثنائية الجزيئات VSi₂N₄، مما يؤكد موصلية NVH ملحوظة
  5. آفاق تطبيق الأجهزة: توفير منصة لتصميم أجهزة إلكترونيات الدوران والوادي الجديدة بناءً على التحكم في درجات الحرية للوادي والدوران

شرح الطرق التفصيلي

تعريف المهمة

دراسة تأثير قاعة الوادي غير الخطي في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي، حيث:

  • الإدخال: المجال الكهربائي داخل المستوى E_b, E_c
  • الإخراج: تيار قاعة الوادي العرضي J^NVH_a = J^v1_a - J^v2_a ∝ E_b E_c
  • القيود: الحفاظ على التماثل المركزي، التحكم من خلال اتجاه المغنطة

الإطار النظري

1. نموذج الربط الضيق

بناء نموذج فريمغناطيسي ذو تماثل مركزي مع مجموعة الفضاء P3̄m1، يتضمن:

  • ثلاثة مدارات d: d_z², d_xz, d_yz
  • الاقتران بين المدار والدوران الموضعي
  • تفاعل تبادلي فريمغناطيسي مع اتجاه مغنطة قابل للتعديل

2. حساب موصلية NVH

بناءً على المساهمة الذاتية لمعدل الاستقطاب بالاتصال بيري (BCP):

χabcNVH=e3∫BZτdk(2π)2Λabc(k)\chi^{NVH}_{abc} = e^3 \int_{BZ} \tau \frac{dk}{(2\pi)^2} \Lambda_{abc}(k)

حيث: Λabc(k)=∑nλabcn(k)∂f(εnk)∂εnk\Lambda_{abc}(k) = \sum_n \lambda^n_{abc}(k) \frac{\partial f(\varepsilon_{nk})}{\partial \varepsilon_{nk}}

λabcn(k)=vanGbcn(k)−vbnGacn(k)\lambda^n_{abc}(k) = v^n_a G^n_{bc}(k) - v^n_b G^n_{ac}(k)

3. معدل الاستقطاب بالاتصال بيري

Gabn(k)=2Re∑m≠nAanm(k)Abmn(k)εnk−εmkG^n_{ab}(k) = 2Re \sum_{m \neq n} \frac{A^{nm}_a(k) A^{mn}_b(k)}{\varepsilon_{nk} - \varepsilon_{mk}}

Aanm(k)=iℏ⟨unk∣v^a∣umk⟩εmk−εnkA^{nm}_a(k) = \frac{i\hbar \langle u_{nk}|\hat{v}_a|u_{mk}\rangle}{\varepsilon_{mk} - \varepsilon_{nk}}

نقاط الابتكار التقني

  1. تحليل التماثل:
    • استخدام تماثل P لضمان التنكس في نقاط K±
    • كسر تماثل C₃ من خلال مكونات المغنطة داخل المستوى
    • تحديد تماثل C₂ₓ و Mₓ لمكونات موصلية NVH غير الصفرية
  2. آلية التحكم المغناطيسي:
    • معاملة اتجاه المغنطة بزاوية السمت φ وزاوية الميل θ
    • اتباع χ^NVH_xyy و χ^NVH_yxx لعلاقات دالة جيب التمام والجيب على التوالي
    • تحقيق التحكم المستقل في السعة والإشارة والاستقطاب الدوراني
  3. خصائص الاستقطاب الدوراني:
    • إنتاج مجموعات استقطاب دوراني مختلفة من اتجاهات مغنطة مختلفة
    • دورة اتجاه الدوران 2π، دورة الموصلية π
    • تحقيق أنماط متعددة مع دوران متوازي وعمودي على التيار

الإعداد التجريبي

طرق الحساب

  1. حسابات الربط الضيق: استخدام حزمة MagneticTB لبناء النموذج
  2. حسابات المبادئ الأولى: بناءً على نظرية الدالة الكثافة
  3. دوال وانيير: استخدام حزمة Wannier90 لإنشاء هاميلتونيان الربط الضيق

نظام المواد

  • المادة النموذجية: شبكة سداسية فريمغناطيسية مع مجموعة الفضاء P3̄m1
  • المادة الفعلية: طبقة ثنائية الجزيئات VSi₂N₄ بترتيب AA'
    • ثابت الشبكة: 2.89 Å
    • سمك الطبقة الواحدة: 6.87 Å
    • المسافة بين الطبقات: 2.80 Å
    • العزم المغناطيسي: 2 μ_B/خلية أولية

إعدادات المعاملات

  • نطاق مسح الكمون الكيميائي μ: بالقرب من حافة النطاق الموصل والنطاق التكافؤ
  • زوايا المغنطة: φ ∈ 0, π، θ ∈ -π/2, π/2
  • نافذة الطاقة: التركيز على الاستجابة غير الخطية في منطقة الفجوة الصغيرة

النتائج التجريبية

النتائج الرئيسية

1. نتائج نموذج الربط الضيق

  • خصائص الموصلية: χ^NVH_xyy يُظهر قمم ثنائية القطب، χ^NVH_yxx يساوي صفراً (عند المغنطة في اتجاه Mx)
  • موضع القمة: يتوافق مع طاقة الفجوة الصغيرة بين النطاقات الموصلة في وادي K±
  • السعة: ~1 (e³/ℏ)Å eV⁻¹

2. نتائج طبقة ثنائية الجزيئات VSi₂N₄

  • سعة الموصلية:
    • النطاق الموصل: ~10¹ (e³/ℏ)Å eV⁻¹
    • النطاق التكافؤ: ~10² (e³/ℏ)Å eV⁻¹
  • تجاوز الدراسات السابقة: الأرقام تتجاوز موصلية قاعة غير الخطية للجرافين المجهد وأغشية CuMnAs

3. الاعتماد على اتجاه المغنطة

  • الدوران داخل المستوى: χ^NVH_xyy ~ -cos(2φ)، χ^NVH_yxx ~ sin(2φ)
  • الميل خارج المستوى: χ^NVH_xyy متماثل زوجي حول θ=0، χ^NVH_yxx فردي
  • زاوية القمة: أقصى استجابة عند θ = 11°

التحقق من تحليل التماثل

  1. BCP المحلول بالزخم: Λ_xyy(k) الأكثر بروزاً بالقرب من وادي K±
  2. الحماية بالتماثل: تماثل C₂ₓ يضمن تماثل Λ_xyy حول q_y=0
  3. مساهمة الوادي: تماثل P و Mₓ يضمن مساهمات الوادي بإشارات معاكسة

أنماط الاستقطاب الدوراني

تحقيق من خلال التحكم في اتجاه المغنطة:

  • نفس اتجاه التيار، استقطاب دوراني معاكس
  • اتجاه تيار معاكس، استقطاب دوراني عمودي
  • أنماط مجموعات دوران-تيار متعددة

الأعمال ذات الصلة

بحث تأثير NVH

  1. الاقتراح النظري: اقترح Das وآخرون و Zhou وآخرون تأثير NVH في الجرافين المجهد وطبقة ثنائية الجزيئات MoS₂ على التوالي
  2. متطلبات التماثل: يتطلب كسر تماثل الدوران الثلاثي، لكن غير مقيد بتماثل الانعكاس
  3. الابتكار في هذا العمل: إدخال المغناطيسية ودرجات الحرية الدورانية للمرة الأولى

مواد الوادي المغناطيسية

  1. الاقتران بين الدوران والوادي: تم تحقيقه في مئات مواد الوادي المغناطيسية
  2. تأثير انقسام الوادي: انقسام مستويات طاقة الوادي الناجم عن الترتيب المغناطيسي
  3. تأثير قاعة الوادي الشاذ: تأثير قاعة الوادي المغناطيسي الخطي

النقل غير الخطي

  1. تأثير قاعة غير الخطي: البحث في الأنظمة التي يتم فيها كسر تماثل عكس الزمن
  2. ثنائي قطب انحناء بيري: الآلية الدقيقة للاستجابة غير الخطية
  3. الملاحظة التجريبية: التحقق التجريبي في مواد متعددة

الاستنتاجات والمناقشة

الاستنتاجات الرئيسية

  1. التحقق من المبدأ: تحقيق ناجح لتأثير NVH بدون إجهاد في الفريمغناطيسات ذات التماثل المركزي
  2. الخصائص القابلة للتحكم المغناطيسي: يمكن لاتجاه المغنطة التحكم الفعال في سعة الموصلية والإشارة والاستقطاب الدوراني
  3. تحقيق المواد: تُظهر طبقة ثنائية الجزيئات VSi₂N₄ استجابة NVH ملحوظة
  4. إمكانات الأجهزة: توفير منصة جديدة لأجهزة إلكترونيات الدوران والوادي

الآلية الفيزيائية

  1. كسر التماثل: المغنطة داخل المستوى تكسر تماثل C₃، مما يفعّل تأثير NVH
  2. الاقتران بين المدار والدوران: ينتج فجوة صغيرة، مما يعزز الاستجابة غير الخطية
  3. هندسة بيري: معدل الاستقطاب بالاتصال بيري يحدد خصائص النقل

القيود

  1. قيود المواد: تتطلب مواد بمجموعة فضاء محددة وهيكل مغناطيسي
  2. تأثيرات درجة الحرارة: لم يتم أخذ تأثير درجة الحرارة المحدودة على الترتيب المغناطيسي والنقل في الاعتبار
  3. تأثيرات الاضطراب: تستند الحسابات النظرية على بلورة مثالية، ولم يتم تقييم تأثير العيوب في المواد الفعلية

الاتجاهات المستقبلية

  1. استكشاف المواد: البحث عن مواد مغناطيسية وادي أكثر بخصائص مماثلة
  2. التحقق التجريبي: التحقق من التنبؤات النظرية من خلال قياسات المقاومة غير المحلية وغيرها
  3. تصميم الأجهزة: تطوير أجهزة إلكترونيات الدوران والوادي بناءً على تأثير NVH القابل للتحكم المغناطيسي
  4. الأنظمة متعددة الطبقات: التوسع إلى أنظمة متعددة الطبقات والهياكل غير المتجانسة الأكثر تعقيداً

التقييم المتعمق

المزايا

  1. الابتكار النظري: إدخال المغناطيسية إلى تأثير NVH للمرة الأولى، مما يحقق مشاركة درجات الحرية الدورانية
  2. الطريقة الشاملة: دمج نموذج الربط الضيق وحسابات المبادئ الأولى، ربط النظرية بالمواد الفعلية
  3. الصورة الفيزيائية الواضحة: فهم عميق للآلية الدقيقة لتأثير NVH من خلال تحليل التماثل
  4. آفاق التطبيق: فتح اتجاهات جديدة في المجال المتقاطع بين إلكترونيات الوادي والدوران

النقاط التقنية البارزة

  1. التحقق بدون إجهاد: تجنب المشاكل التقنية للإجهاد الخارجي من خلال المغناطيسية الداخلية
  2. التحكم المتعدد: التحكم المتزامن في أبعاد متعددة من الموصلية والاستقطاب الدوراني
  3. الأرقام الملحوظة: الموصلية المحسوبة لها قابلية قياس تجريبية
  4. التحقق من المواد: تأكيد التنبؤات النظرية في المواد الفعلية

أوجه القصور

  1. نطاق المواد: التحقق الحالي فقط في أنظمة مواد محددة، مع حاجة إلى توسيع الشمولية
  2. غياب التجربة: عمل نظري بحت، يفتقد التحقق التجريبي
  3. العوامل البيئية: عدم الأخذ الكافي في الاعتبار لتأثيرات درجة الحرارة والم掺杂 وعوامل أخرى عملية
  4. تحقيق الأجهزة: المسار من التأثير الأساسي إلى الجهاز الفعلي غير واضح بشكل كافٍ

تقييم التأثير

  1. القيمة الأكاديمية: مساهمة مهمة في نظرية النقل غير الخطي للوادي، تعزيز تطور المجالات ذات الصلة
  2. الإمكانات التقنية: توفير أساس نظري لأجهزة إلكترونيات الدوران والوادي من الجيل القادم
  3. الأهمية متعددة التخصصات: ربط الفيزياء الحالة الصلبة وعلم المواد وهندسة الأجهزة في مجالات متعددة

السيناريوهات المعمول بها

  1. البحث الأساسي: البحث الأساسي في الفيزياء لإلكترونيات الوادي والدوران
  2. تصميم المواد: توجيه التصميم النظري لمواد وادي مغناطيسية جديدة
  3. تطوير الأجهزة: التحقق من المفهوم لأجهزة إلكترونية منخفضة الطاقة ومتعددة الوظائف
  4. تكنولوجيا المعلومات: خطط معالجة معلومات جديدة بناءً على ترميز الوادي والدوران

المراجع

تستشهد هذه الورقة بـ 40 مرجعاً مهماً، تغطي النظرية الأساسية لإلكترونيات الوادي والظواهر النقل غير الخطي والمواد المغناطيسية وطرق حساب المبادئ الأولى وغيرها، مما يوفر أساساً نظرياً وتقنياً متيناً للبحث.

تتمتع هذه الورقة بأهمية ابتكار نظري كبيرة، حيث تفتح طريقاً جديداً لتطبيق المواد المغناطيسية ذات التماثل المركزي في إلكترونيات الوادي، وتعد بتعزيز تطور هذا المجال الناشئ والمتقاطع لإلكترونيات الدوران والوادي.