Statistical Structure of Charge Disorder in Si/SiGe Quantum Dots
Samadi, CywiÅski, Krzywda
Properties of quantum dot based spin qubits have significant inter-device variability due to unavoidable presence of various types of disorder in semiconductor nanostructures. A significant source of this variability is charge disorder at the semiconductor-oxide interface, which causes unpredictable, yet, as we show here, correlated fluctuations in such essential properties of quantum dots like their mutual tunnel couplings, and electronic confinement energies. This study presents a systematic approach to characterize and mitigate the effects of such disorder. We utilize finite element modeling of a Si/SiGe double quantum dot to generate a large statistical ensemble of devices, simulating the impact of trapped interface charges. This work results in a predictive statistical model capable of generating realistic artificial data for training machine learning algorithms. By applying Principal Component Analysis to this dataset, we identify the dominant modes through which disorder affects the multi-dimensional parameter space of the device. Our findings show that the parameter variations are not arbitrary, but are concentrated along a few principal axes - i.e.there are significant correlations between many properties of the devices.
We finally compare that against control modes generated by sweeping the gate voltages, revealing limitations of the plunger-only control. This work provides a framework for enhancing the controllability and operational yield of spin qubit devices, by systematically addressing the nature of electrostatic disorder that leads to statistical correlations in properties of double quantum dots.
academic
البنية الإحصائية للاضطراب الشحني في نقاط الكم Si/SiGe
تقدم هذه الدراسة تحليلاً منهجياً لتأثير الاضطراب الشحني على التباين بين أجهزة البتات الكمية المغزلية في نقاط الكم Si/SiGe. من خلال نمذجة العناصر المحدودة التي تولد عينات إحصائية كبيرة، اكتشفت الدراسة أن تغيرات المعاملات ليست عشوائية، بل تتركز على طول عدة اتجاهات رئيسية. باستخدام تحليل المكونات الرئيسية (PCA)، تم تحديد ثلاثة أنماط اضطراب رئيسية وبناء نماذج إحصائية تنبؤية. تكشف الدراسة عن القيود المتأصلة في استخدام مخططات التحكم بالبوابة فقط، وتوفر إطار عمل لتحسين القابلية للتحكم وإنتاجية تشغيل أجهزة البتات الكمية المغزلية.
تتميز أجهزة البتات الكمية المغزلية في نقاط الكم Si/SiGe بتباين كبير بين الأجهزة، ويرجع هذا بشكل أساسي إلى الاضطرابات المختلفة التي لا مفر منها في الهياكل النانوية شبه الموصلة. من بين هذه الاضطرابات، يعتبر الاضطراب الشحني على واجهة شبه الموصل-الأكسيد مصدراً مهماً للتباين.
تحديات قابلية التوسع في الحوسبة الكمية: يجعل تباين الجهاز عملية ضبط الأنظمة متعددة البتات الكمية معقدة، وعندما يزداد عدد البتات الكمية N، يصبح الضبط اليدوي غير قابل للإدارة
متطلبات التصنيع الصناعي: تكمن الميزة طويلة الأجل لنقاط الكم Si/SiGe في إمكانية استخدام تقنيات التصنيع الصناعي لإنشاء رقائق تحتوي على ملايين البتات الكمية، لكن يجب حل مشكلة التباين
تدريب خوارزميات الضبط الآلي: تتطلب خوارزميات التعلم الآلي التدريب على بيانات استجابة الأجهزة متعددة النقاط المحاكاة مع الاضطراب
إنشاء نموذج إحصائي تنبؤي: يعتمد على نمذجة العناصر المحدودة والتوزيع الغاوسي متعدد المتغيرات، قادر على توليد بيانات اصطناعية واقعية لتدريب خوارزميات التعلم الآلي
تحديد ثلاثة أنماط اضطراب رئيسية: من خلال تحليل PCA، تم اكتشاف أن أكثر من 90% من التباين البارامتري يتركز في ثلاثة اتجاهات رئيسية
تحديد كمي لقيود مخططات التحكم: مقارنة منهجية بين مخططات التحكم ثنائية البوابة وثلاثية البوابة، مما يكشف أن استخدام بوابة الغطاس فقط يفسر حوالي 50% فقط من تباين الاضطراب
توفير إطار عمل للتفسير الفيزيائي: ربط الأنماط الإحصائية بآليات فيزيائية محددة (مثل توزيع الشحنة بين النقاط)
إنشاء نموذج تحليل PCA: تأسيس PCA كإطار عمل قوي لتحليل البيانات متعددة المتغيرات في مجال التحكم بنقاط الكم
تتضمن الورقة 65 مرجعاً، تغطي الأعمال المهمة في مجالات نقاط الكم Si/SiGe والبتات الكمية المغزلية والتحكم بالتعلم الآلي وغيرها، مما يوفر أساساً نظرياً متيناً للبحث.
التقييم الشامل: هذا عمل ذو أهمية كبيرة في مجال فيزياء أجهزة الحوسبة الكمية. من خلال تطبيق مبتكر لطرق التحليل الإحصائي على دراسة تباين أجهزة الكم، لا توفر الورقة رؤى فيزيائية عميقة فحسب، بل تنشئ أيضاً إطار عمل تنبؤي عملي. على الرغم من وجود بعض قيود تبسيط النموذج، فإن مساهمتها المنهجية وقيمتها التطبيقية تجعلها تقدماً مهماً في هذا المجال.