We report the detailed physical properties of YRu3Si2 with the Ru kagome lattice at normal and superconducting states. The results of resistivity and magnetization show that YRu3Si2 is a type-II bulk superconductor with Tc ~ 3.0 K. The specific heat measurement further suggests that this superconductivity could originate from the weak or moderate electron-phonon coupling. On the other hand, both large Kadawaki-Woods ratio and Wilson ratio indicate that there is a strong electron correlation effect in this system, which may have a connection with the featured flat band of kagome lattice.
academic- 论文ID: 2109.11478
- 标题: Superconductivity in kagome metal YRu3Si2 with strong electron correlations
- 作者: Chunsheng Gong, Shangjie Tian, Zhijun Tu, Qiangwei Yin, Yang Fu, Ruitao Luo, and Hechang Lei
- 分类: cond-mat.supr-con (凝聚态物理-超导), cond-mat.str-el (强关联电子系统)
- 发表时间: 2021年10月14日 (arXiv预印本)
- 论文链接: https://arxiv.org/abs/2109.11478
本文详细研究了具有Ru kagome晶格的YRu3Si2在正常态和超导态的物理性质。电阻率和磁化率测量结果表明YRu3Si2是一个Tc ~ 3.0 K的II型体超导体。比热测量进一步表明该超导性可能源于弱或中等强度的电子-声子耦合。另一方面,大的Kadowaki-Woods比和Wilson比表明该系统中存在强电子关联效应,这可能与kagome晶格的特征平带有关。
- kagome金属中的超导性研究:kagome晶格由于其独特的二维结构(角共享三角形),为研究磁挫折、电子关联和拓扑电子态提供了理想平台
- 电子关联与拓扑性质的相互作用:探索kagome金属中电子关联效应与能带拓扑性质之间的关系
- 新型kagome超导体的发现:寻找和表征新的kagome超导体材料,以深化对关联拓扑现象的理解
- kagome晶格具有特殊的电子结构特征:Dirac点、平带和van Hove点
- 这些拓扑特征可能导致各种奇异的关联拓扑现象,如巨大反常霍尔效应、磁性Weyl半金属态等
- 超导性与拓扑性质的结合可能产生新奇的量子态
- 实验上对kagome金属中电子关联效应与能带拓扑性质相互作用的研究较少
- 已知的kagome超导体数量有限,如AV3Sb5 (A = K, Rb, Cs)系列和RT3B2系列
- 对YRu3Si2的超导性质研究不够深入,特别是与LaRu3Si2的对比
- 系统表征了YRu3Si2的超导性质:确定了Tc ~ 3.0 K的II型体超导特性
- 揭示了弱到中等强度的电子-声子耦合机制:通过比热测量和McMillan公式计算得到λe-ph = 0.50(2)
- 证实了强电子关联效应的存在:通过Kadawaki-Woods比和Wilson比的分析
- 建立了超导性质与kagome平带的潜在联系:为理解kagome金属中的关联拓扑现象提供了实验基础
本研究采用综合的实验表征手段:
- 采用电弧熔炼方法制备YRu3Si2多晶样品
- 原料:Y金属屑(99.9%)、Ru粉(99.9%)、Si粉(99.9%)
- 为避免YRu2Si2相的形成,添加过量的Ru
- 在氩气气氛下多次重熔以提高均匀性
- 粉末X射线衍射(PXRD):使用Bruker D8衍射仪,Cu Kα辐射
- Rietveld精修:使用TOPAS4软件确定晶格参数
- 电输运测量:使用Quantum Design PPMS-14T系统
- 磁化率测量:使用Quantum Design MPMS3系统
- 比热测量:PPMS系统,温度范围2-300K
YRu3Si2具有六方层状CeCo3B2型结构:
- 空间群:P63/m (No. 176)
- 晶格参数:a = 0.5542(1) nm, c = 0.7150(7) nm
- 关键特征:Ru原子形成扭曲的kagome层,具有两种不同的Ru-Ru键长(0.2692 nm和0.2858 nm)
- 超导转变温度:Tc = 2.98 K (ZFC模式,μ0H = 1 mT)
- 超导体积分数:~110% (T = 1.8 K),确认体超导性
- 超导类型:ZFC和FC曲线的差异以及磁滞回线确认为II型超导体
通过磁化率和电阻率测量确定:
- 下临界磁场:μ0Hc1(0) = 28.0(3) mT
- 上临界磁场:μ0Hc2(0) = 0.655(2) T (G-L公式拟合)
- 热力学临界磁场:μ0Hc(0) = 0.42(9) T
- 相干长度:ξGL = 22.43(2) nm
- 穿透深度:λGL = 24.80(3) nm
- G-L参数:κGL = 1.11(4) > 1/√2,确认II型超导体
- 金属性行为:ρ(T)随温度单调下降
- 剩余电阻比:RRR = ρ(300K)/ρ(4K) ≈ 8.6
- 低温拟合:ρ(T) = ρ0 + AT² + BT⁵
- ρ0 = 4.99(5) μΩ cm
- A = 2.38(7)×10⁻³ μΩ cm K⁻²
- B = 5.9(4)×10⁻⁸ μΩ cm K⁻⁵
- 起始转变温度:Tc,onset = 3.0 K
- 转变宽度:ΔTc = 0.082 K,表明样品质量良好
- 热力学Tc:2.84 K (等熵构造法)
- 比热跳跃:ΔCele/γTc = 1.21(4) < 1.43 (BCS弱耦合极限)
- Sommerfeld系数:γ = 27.5(8) mJ mol⁻¹ K⁻²
- Debye温度:ΘD = 460(26) K
- 耦合常数:λe-ph = 0.50(2) (McMillan公式,μ* = 0.13)
- 确认为弱到中等强度耦合超导体
在μ0H = 0.5 T下的磁化率可用公式拟合:
χ(T) = χ(0)1-(T/TE)² + C/(T+T0)
拟合参数:
- χ(0) = 5.56(2)×10⁻⁴ emu mol⁻¹ Oe⁻¹
- TE = 640(10) K
- 有效磁矩:μeff = 0.1113(3) μB/Ru
- Kadowaki-Woods比:A/γ² = 3.15(2) μΩ cm mol² K² J⁻²
- 远大于过渡金属值(0.4),但小于重费米子系统(10)
- Wilson比:RW = 1.49(4) > 1
- Laves相超导体:立方MgCu2型结构,Tc范围0.07-10 K
- RT3B2系列:六方层状结构,过渡金属形成kagome层
- AV3Sb5系列:最近发现的kagome超导体,同时存在CDW和超导
- 结构相似性:同为CeCo3B2型结构
- Tc差异:YRu3Si2 (3.0 K) < LaRu3Si2 (7.8 K)
- 上临界磁场:YRu3Si2 (0.655 T) < LaRu3Si2 (~4 T)
- 电子关联:两者都显示强关联特征
- YRu3Si2是一个Tc ~ 3.0 K的II型体超导体
- 超导机制为弱到中等强度的BCS电子-声子耦合
- 系统中存在显著的强电子关联效应
- 关联效应可能与kagome平带相关
强电子关联效应的起源可能是:
- kagome晶格的特征平带导致费米能级附近态密度增强
- 平带电子的局域化增强了电子-电子相互作用
- 这种关联效应与超导性质共存,形成独特的电子态
- 多晶样品:限制了对各向异性性质的研究
- Ru杂质:可能影响某些物理量的准确测定
- 理论模型缺乏:需要更深入的理论计算支持
- 单晶生长:获得高质量单晶进行各向异性研究
- 能带计算:理论计算验证kagome平带的作用
- 压力调控:研究压力对超导和关联性质的影响
- 光谱学研究:ARPES等技术直接观测电子结构
- 系统性强:采用多种实验手段全面表征超导性质
- 数据可靠:实验结果一致性好,误差分析充分
- 物理图像清晰:建立了超导性与电子关联的联系
- 对比分析深入:与LaRu3Si2的对比突出了材料特性
- 机理解释有限:对电子关联与超导性关系的微观机制讨论不够深入
- 理论支撑不足:缺乏第一性原理计算等理论验证
- 样品质量:多晶样品和杂质相的存在限制了研究精度
- 丰富了kagome超导体家族:为该领域提供了新的研究对象
- 验证了关联-拓扑耦合:实验证实了强关联效应在kagome金属中的重要性
- 指导后续研究:为相关材料的探索提供了实验基准
该研究适用于:
- 凝聚态物理中的超导机制研究
- 强关联电子系统的实验表征
- kagome材料的物性调控
- 拓扑超导体的候选材料筛选
本文引用了46篇重要文献,主要包括:
- kagome材料的拓扑性质研究 (Ye et al., Nature 2018)
- AV3Sb5超导体系列 (Ortiz et al., Phys. Rev. Lett. 2020)
- LaRu3Si2的相关研究 (Li et al., Phys. Rev. B 2011)
- 超导理论基础 (McMillan, Phys. Rev. 1968; Werthamer et al., Phys. Rev. 1966)