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Comparative Analysis of THz Signal Emission from SiO$_2$/CoFeB/Metal Heterostructures: Wideband and High-Frequency THz Signal Advantage of PtBi-based Emitter

Winkel, Parvini, Stiewe et al.
Spintronic THz emitters have attracted much attention due to their desirable properties, such as affordability, ultra-wideband capability, high efficiency, and tunable polarization. In this study, we investigate the characteristics of THz signals, including their frequency, bandwidth, and amplitude, emitted from a series of heterostructures with ferromagnetic (FM) and nonmagnetic (NM) materials. The FM layer consists of a wedge-shaped CoFeB layer with a thickness of 0 to 5 nm, while the NM materials include various metals such as Pt, Au, W, Ru, Pt$_{\%92}$Bi$_{\%8}$, and Ag$_{\%90}$Bi$_{\%10}$ alloys. Our experiments show that the emitter with Pt-NM layer has the highest amplitude of the emitted THz signal. However, the PtBi-based emitter exhibits a higher central THz peak and wider bandwidth, making it a promising candidate for broadband THz emitters. These results pave the way for further exploration of the specific compositions of Pt$_{1-x}$Bi$_{x}$ for THz emitter design, especially with the goal of generating higher frequency and wider bandwidth THz signals. These advances hold significant potential for applications in various fields such as high-resolution imaging, spectroscopy, communications, medical diagnostics, and more.
academic

Comparative Analysis of THz Signal Emission from SiO2_2/CoFeB/Metal Heterostructures: Wideband and High-Frequency THz Signal Advantage of PtBi-based Emitter

基本信息

  • 论文ID: 2307.02232
  • 标题: Comparative Analysis of THz Signal Emission from SiO2_2/CoFeB/Metal Heterostructures: Wideband and High-Frequency THz Signal Advantage of PtBi-based Emitter
  • 作者: Tristan Joachim Winkel, Tahereh Sadat Parvini, Finn-Frederik Stiewe, Jakob Walowski, Farshad Moradi, Markus Münzenberg
  • 分类: physics.optics
  • 发表时间: July 6, 2023
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2307.02232

摘要

自旋电子学太赫兹发射器因其经济性、超宽带能力、高效率和可调偏振等优良特性而备受关注。本研究调查了铁磁(FM)和非磁性(NM)材料异质结构发射的太赫兹信号特性，包括频率、带宽和振幅。FM层由厚度为0-5nm的楔形CoFeB层组成，NM材料包括Pt、Au、W、Ru、Pt92_{92}Bi8_8和Ag90_{90}Bi10_{10}合金等多种金属。实验表明，Pt-NM层发射器具有最高的太赫兹信号振幅，而PtBi基发射器表现出更高的中心太赫兹峰值和更宽的带宽，是宽带太赫兹发射器的有前途候选者。

研究背景与动机

研究问题

本研究旨在解决自旋电子学太赫兹发射器的性能优化问题，特别是如何通过材料选择和结构设计来增强太赫兹信号的频率、带宽和振幅特性。

重要性

  1. 技术需求: 太赫兹波在材料科学、生物学、医学等领域有广泛应用潜力，包括光谱学、成像和通信
  2. 器件优势: 自旋电子学太赫兹发射器相比传统发射器具有成本低、超宽带、高效率等优势
  3. 应用前景: 高分辨率成像、光谱学、通信、医学诊断等领域对高频宽带太赫兹信号有迫切需求

现有局限性

传统太赫兹发射器在频率范围、带宽和效率方面存在限制，需要通过优化异质结构材料组合来突破性能瓶颈。

研究动机

基于自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应的物理机制，通过系统性比较不同非磁性层材料对太赫兹发射特性的影响，寻找最优的材料组合。

核心贡献

  1. 系统性材料比较: 首次对多种非磁性层材料(Pt、Au、W、Ru及PtBi、AgBi合金)在太赫兹发射中的性能进行全面对比分析
  2. 厚度优化发现: 确定了CoFeB层2nm的临界厚度，超过此厚度太赫兹信号振幅趋于饱和
  3. PtBi合金优势: 发现PtBi基发射器虽然振幅较纯Pt低50%，但具有更高的中心频率(~0.3THz频移)和更宽的带宽(~0.35THz)
  4. 理论机制阐释: 通过太赫兹时域光谱技术分析了不同材料的电导率和阻抗特性，揭示了性能差异的物理机制
  5. 应用指导: 为高频宽带太赫兹发射器的材料设计提供了实验依据和理论指导

方法详解

任务定义

研究不同异质结构SiO2_2/CoFeB/NM在飞秒激光激发下的太赫兹发射特性，优化信号的振幅、频率和带宽。

实验架构

样品制备

  1. 基底: 熔融石英(SiO2_2)基底
  2. 铁磁层: 楔形Co40_{40}Fe40_{40}B20_{20}层，厚度0-5nm，采用磁控溅射制备
  3. 非磁性层: 包括纯金属(Pt: 2,3,4nm; W: 2nm; Au: 2nm; Ru: 4nm)和合金(Pt92_{92}Bi8_8: 2nm; Ag90_{90}Bi10_{10}: 2nm)，采用电子束蒸发制备

测量系统

  1. 激发源: 飞秒激光脉冲(中心波长~810nm，脉宽40fs，重复频率80MHz)
  2. 检测器: 商用低温生长GaAs(LT-GaAs) Auston开关，带宽>4THz
  3. 扫描技术: 二维电机扫描台实现位置相关的太赫兹光谱测量

物理机制

太赫兹发射原理

基于逆自旋霍尔效应(ISHE)的太赫兹发射机制：

ETHz=A⋅FdNM+dFM⋅j0s⋅tFMNM⋅λNM⋅tanh⁡dNMλNM⋅θSH⋅eZ(ω)E_{THz} = \frac{A \cdot F}{d_{NM} + d_{FM}} \cdot j_0^s \cdot t_{FM}^{NM} \cdot \lambda_{NM} \cdot \tanh\frac{d_{NM}}{\lambda_{NM}} \cdot \theta_{SH} \cdot e^{Z(\omega)}

其中各项分别表示：

  • 泵浦脉冲吸收
  • 自旋电流产生
  • 自旋-电荷电流转换
  • 电荷电流-电场转换

关键参数

  • θSH\theta_{SH}: 自旋霍尔角
  • λNM\lambda_{NM}: 非磁性层中自旋电流弛豫长度
  • Z(ω)=Z0n1+n2+Z0GZ(\omega) = \frac{Z_0}{n_1+n_2+Z_0G}: 频率相关阻抗

技术创新点

  1. 楔形结构设计: 通过楔形CoFeB层实现厚度连续变化，可在单个样品上系统研究厚度效应
  2. 多材料对比: 同时研究纯金属和合金材料，揭示合金化对太赫兹性能的影响
  3. 太赫兹时域光谱分析: 采用Tinkham公式定量分析材料的频率相关电导率和阻抗特性

实验设置

样品参数

  • CoFeB楔形层: 0-5nm厚度梯度
  • 非磁性层厚度: Pt(2,3,4nm), W(2nm), Au(2nm), Ru(4nm), PtBi(2nm), AgBi(2nm)
  • 基底: 500μm厚熔融石英

测量条件

  • 泵浦功率密度: 0.8±0.2 mJ/cm²
  • 外加磁场: 10mT
  • 检测带宽: >4THz

表征技术

  1. 磁光克尔效应: 确定CoFeB层厚度分布
  2. 太赫兹时域光谱: 测量材料电导率和阻抗
  3. 二维扫描: 获得位置-时间相关的太赫兹信号

实验结果

主要结果

厚度依赖性

  • 临界厚度: CoFeB层在2nm厚度时太赫兹信号振幅达到最大值
  • 饱和行为: 超过2nm后信号振幅趋于饱和，归因于结构缺陷、电子散射和电阻增加

材料性能对比

NM层材料振幅aVs中心频率THz带宽特性
Pt(2nm)46.350.75基准
Pt(3nm)36.020.73较窄
Pt(4nm)30.830.71较窄
PtBi(2nm)22.901.04最宽(~0.35THz)
W(2nm)-13.270.84中等

关键发现

  1. 振幅性能: Pt(2nm)发射器具有最高太赫兹振幅
  2. 频率优势: PtBi发射器中心频率比Pt高0.3THz
  3. 带宽优势: PtBi发射器具有最宽的太赫兹带宽

电导率分析

Pt厚度效应

通过Drude模型拟合发现：

  • 等离子体频率: 随厚度增加而增大(ωp,Pt(2)=0.19×1016\omega_{p,Pt(2)} = 0.19 \times 10^{16} Hz → ωp,Pt(4)=0.36×1016\omega_{p,Pt(4)} = 0.36 \times 10^{16} Hz)
  • 散射时间: 随厚度增加而减小(τPt(2)=52\tau_{Pt(2)} = 52 fs → τPt(4)=23\tau_{Pt(4)} = 23 fs)
  • 阻抗关系: ∣ZPt(2)∣>∣ZPt(3)∣>∣ZPt(4)∣|Z_{Pt(2)}| > |Z_{Pt(3)}| > |Z_{Pt(4)}|

PtBi异常行为

PtBi合金表现出独特的电导率特性：

  • 实部电导率与Pt(2nm)相当
  • 虚部电导率为负值(Im[σPtBi]=−aω\text{Im}[\sigma_{PtBi}] = -a\omega)，无法用简单Drude模型解释
  • 自旋-电荷转换效率是纯Pt的两倍

相关工作

自旋电子学太赫兹发射

  1. 基础理论: 基于自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应的太赫兹发射机制
  2. 材料研究: 重金属/铁磁金属异质结构的自旋电子学特性
  3. 器件优化: 通过材料选择和结构设计优化太赫兹发射性能

本文贡献

相比现有研究，本文首次系统比较了多种合金材料在太赫兹发射中的性能，特别是发现了PtBi合金在高频宽带应用中的优势。

结论与讨论

主要结论

  1. 最优厚度: CoFeB层2nm厚度为太赫兹发射的最优配置
  2. 材料选择: 纯Pt提供最高振幅，PtBi合金提供最佳频率和带宽性能
  3. 性能权衡: 在振幅与带宽之间存在权衡关系，需根据应用需求选择材料

局限性

  1. 机制理解: PtBi合金的异常电导率行为需要更深入的理论研究
  2. 组分优化: 未系统研究Pt1−x_{1-x}Bix_x不同组分比例的影响
  3. 温度效应: 未考虑温度对材料性能的影响

未来方向

  1. 组分调控: 系统研究Pt1−x_{1-x}Bix_x合金不同组分的太赫兹发射特性
  2. 理论建模: 发展更完善的理论模型解释PtBi合金的异常行为
  3. 器件集成: 将优化的材料组合应用于实际太赫兹器件中

深度评价

优点

  1. 系统性强: 全面比较了多种材料的太赫兹发射性能
  2. 实验严谨: 采用楔形结构设计和高精度测量技术
  3. 机制清晰: 结合理论模型和实验数据阐释物理机制
  4. 应用导向: 为实际器件设计提供了有价值的指导

不足

  1. 理论局限: 对PtBi合金异常行为的理论解释不够深入
  2. 参数空间: 未充分探索合金组分比例对性能的影响
  3. 环境因素: 缺乏温度、湿度等环境因素的影响研究

影响力

  1. 学术价值: 为自旋电子学太赫兹发射器的材料设计提供了重要参考
  2. 实用价值: 发现的PtBi合金优势对宽带太赫兹应用具有重要意义
  3. 可复现性: 实验方法详细，结果具有良好的可重复性

适用场景

  1. 高分辨率成像: PtBi发射器的宽带特性适合高分辨率太赫兹成像
  2. 宽带光谱: 适用于需要宽频谱覆盖的太赫兹光谱应用
  3. 通信系统: 高频特性使其在太赫兹通信中具有潜在优势
  4. 医学诊断: 宽带高频特性有利于生物医学太赫兹应用

参考文献

本文引用了自旋电子学、太赫兹物理和材料科学领域的重要文献，包括霍尔效应的历史发现、自旋霍尔效应的理论预测和实验验证、以及太赫兹技术的应用研究等29篇相关论文，为研究提供了坚实的理论基础。