Pyrite FeS$_2$ has been investigated for a wide range of applications, including thermoelectrics due to previous observation of large thermopower at room-temperature. However, the values of thermopower reported in the literature is extremely sensitive to the nature of sample -- whether they are natural or lab grown, bulk crystals or thin films -- and an ambiguity in the magnitude and sign of thermopower of pure FeS$_2$ exists. Variation in the magnitude of room-temperature thermopower has also been observed in Co-doped samples. Therefore, it is of interest to clarify the intrinsic thermopower of this system that could be measured in more pure samples. In this paper, we investigate the thermoelectric properties of Co-doped FeS$_2$ using first principles calculations. We apply three different doping schemes to understand the effect of electron doping in FeS$_2$, namely explicit Co-substitution, jellium doping and electron addition within rigid band approximation (RBA) picture. The calculated thermopower is less than $-50$ $μ$V/K for all values of Co doping that we studied, suggesting that this system may not be useful in thermoelectric applications. Interestingly, we find that RBA substantially overestimates the magnitude of calculated thermopower compared to the explicit Co-substitution and jellium doping schemes. The overestimation occurs because the changes in the electronic structure due to doping-induced structural modification and charge screening is not taken into account by the rigid shift of the Fermi level within RBA. RBA is frequently used in first principles investigations of the thermopower of doped semiconductors, and Co-substituted FeS$_2$ illustrates a case where it fails.
- 论文ID: 2311.06135
- 标题: Thermoelectric transport properties of electron doped pyrite FeS2
- 作者: Anustup Mukherjee, Alaska Subedi (CPHT, CNRS, École Polytechnique, Institut Polytechnique de Paris)
- 分类: cond-mat.mtrl-sci
- 发表时间: 2023年11月13日
- 论文链接: https://arxiv.org/abs/2311.06135
黄铁矿FeS₂由于其在室温下观察到的大热电势而被广泛研究用于热电等应用。然而,文献中报告的热电势值对样品性质(天然或实验室制备、块体晶体或薄膜)极其敏感,纯FeS₂热电势的大小和符号存在歧义。Co掺杂样品的室温热电势大小也存在变化。本文使用第一性原理计算研究Co掺杂FeS₂的热电性质,采用三种不同的掺杂方案:显式Co替代、jellium掺杂和刚性能带近似(RBA)。所有Co掺杂浓度下的计算热电势都小于-50 μV/K,表明该体系在热电应用中可能不实用。有趣的是,RBA显著高估了热电势,因为它未考虑掺杂引起的结构修饰和电荷屏蔽对电子结构的影响。
- 实验数据的不一致性:FeS₂的热电势测量值存在巨大差异,从-115到524 μV/K不等,符号也不一致
- 样品依赖性:热电性质强烈依赖于样品类型(天然vs人工、块体vs薄膜)
- 理论方法的准确性:现有理论研究多采用刚性能带近似(RBA),但其准确性存疑
- FeS₂由地球丰富且无毒的元素组成,在光伏、电池阴极和热电等能源应用中具有潜力
- 澄清其本征热电性质对于评估实际应用价值至关重要
- 为掺杂半导体的热电性质理论研究提供方法学指导
- 刚性能带近似(RBA)仅通过费米能级的刚性移动来模拟掺杂效应
- 忽略了掺杂引起的结构变化和电荷屏蔽效应
- 缺乏对不同掺杂方案的系统比较
- 系统比较三种掺杂方案:首次对比了显式Co替代、jellium掺杂和RBA三种方法在FeS₂热电性质计算中的差异
- 揭示RBA的局限性:发现RBA显著高估热电势,并从电子结构角度解释了原因
- 澄清Co掺杂FeS₂的热电性能:证明所有掺杂浓度下热电势都小于50 μV/K,表明该体系不适合热电应用
- 提供方法学指导:为掺杂半导体热电性质的理论研究提供了重要的方法学洞察
采用密度泛函理论(DFT)框架,使用Vienna Ab initio Simulation Package (VASP)进行计算:
- 交换关联泛函:局域密度近似(LDA)
- 赝势方法:投影缀加波(PAW)方法
- 能量截断:≥420 eV
- k点网格:自洽循环8×8×8,态密度计算24×24×24
通过在FeS₂电子结构中移动费米能级来模拟额外电子,对应等效Co掺杂值。
在FeS₂单胞中显式添加电子作为背景电荷,进行电子结构计算。
逐步用Co原子替代Fe原子,考虑实际的化学替代效应。
使用BoltzTraP2代码在恒定弛豫时间近似(CRTA)下求解线性化玻尔兹曼输运方程:
塞贝克系数:
S(μ,T)=σαiναj
霍尔系数:
RH(μ,T)=σαjσiβναβk
其中输运张量定义为:
σαβ(μ,T)=Ω1∫σαβ(ϵ)[−∂ϵfμ(ϵ)]dϵ
- 晶体结构:黄铁矿FeS₂,空间群Pa3
- 单胞组成:4个Fe原子(4a位),8个S原子(8c位)
- 掺杂浓度:研究了1%、5%、10%、15%、25%、50%的Co掺杂
同时考虑了非磁性和铁磁性相,因为实验表明FexCo1-xS₂在x≥0.1时为铁磁性。
- 混合化合物的晶格常数遵循Vegard定律
- 对原子位置进行弛豫以最小化原子受力
- FeS₂的内部参数u=0.3821
| 掺杂方案 | 非磁性相 (μV/K) | 铁磁相 (μV/K) |
|---|
| RBA | -46.71 | -46.71 |
| Jellium | -14.68 | -14.69 |
| Co替代 | -19.67 | -20.49 |
| 掺杂方案 | 非磁性相 (μV/K) | 铁磁相 (μV/K) |
|---|
| RBA | -39.60 | -39.60 |
| Jellium | -17.52 | -17.52 |
| Co替代 | -25.58 | -25.58 |
- RBA系统性高估:在所有掺杂浓度下,RBA都显著高估了热电势的绝对值
- 温度依赖性一致:三种方法都显示热电势随温度增加而增大
- 载流子类型:所有情况下塞贝克系数都为负值,表明电子为主要载流子
- 热电性能有限:所有掺杂浓度下室温热电势都小于50 μV/K
通过分析态密度(DOS)和能带结构发现:
- RBA中:费米能级位于态密度的陡峭区域
- Jellium掺杂中:费米能级移至较宽的肩部区域
- Co替代中:费米能级位于相对平缓的区域
由于塞贝克系数S ∝ d ln N(EF)/dE,费米能级附近更陡峭的态密度导致RBA中更大的S值。
| 组成 | RBA (μV/K) | Jellium (μV/K) |
|---|
| Fe₀.₉₉Co₀.₀₁S₂ | -32.45 | -28.52 |
| Fe₀.₉₅Co₀.₀₅S₂ | -10.47 | -10.24 |
| Fe₀.₉Co₀.₁S₂ | -17.11 | -10.13 |
| Fe₀.₈₅Co₀.₁₅S₂ | -25.41 | -11.75 |
- 历史数据:20世纪上半叶报告的塞贝克系数范围从-115到524 μV/K
- 现代研究:
- Kato等:天然n型样品S = -300 μV/K
- Willeke等:高迁移率单晶S达到-320 μV/K
- 薄膜研究:普遍报告正的S值(60-75 μV/K)
- 早期计算:Gudelli等和Harran等使用RBA预测优化的S超过-400 μV/K
- 本工作贡献:首次系统比较不同掺杂方案,揭示RBA的局限性
- 热电性能有限:Co掺杂FeS₂在所有研究的掺杂浓度下,室温热电势都小于50 μV/K,远低于优秀热电材料的标准(>200 μV/K)
- RBA方法的局限性:刚性能带近似显著高估热电势,因为它忽略了:
- 掺杂引起的结构修饰
- 电荷屏蔽效应
- 能带展宽和相对劈裂的变化
- 方法学意义:Co替代FeS₂是RBA失效的典型例子,为掺杂半导体热电性质研究提供了重要警示
- 计算方法限制:使用LDA可能低估带隙,影响热电性质的准确性
- 掺杂浓度范围:显式Co替代方案受限于单胞大小,无法研究很低的掺杂浓度
- 弛豫时间近似:采用恒定弛豫时间近似可能影响输运性质的准确性
- 改进计算方法:使用更精确的交换关联泛函(如HSE06)
- 扩展研究体系:研究其他过渡金属掺杂的效应
- 实验验证:制备高质量样品验证理论预测
- 方法学创新:首次系统比较三种掺杂方案,为该领域提供了重要的方法学基准
- 物理洞察深刻:从电子结构角度深入解释了RBA高估的物理机制
- 计算严谨:考虑了磁性效应,使用了合适的计算参数和收敛标准
- 实用价值明确:明确指出Co掺杂FeS₂不适合热电应用,避免无效的实验投入
- 理论方法局限:LDA可能不够准确,特别是对于相关电子体系
- 温度范围有限:主要关注室温性质,缺乏高温下的系统研究
- 掺杂机制单一:仅研究了电子掺杂,未考虑空穴掺杂的可能性
- 学术贡献:为掺杂半导体热电性质的理论研究提供了重要的方法学指导
- 实用价值:帮助研究者避免在不promising的体系上浪费资源
- 可复现性强:计算细节描述充分,易于重现和扩展
- 理论研究:为其他掺杂半导体热电性质研究提供方法学参考
- 材料筛选:在热电材料的高通量筛选中排除不合适的候选材料
- 实验指导:为实验研究者选择合适的掺杂策略提供理论依据
论文引用了38篇重要文献,涵盖了FeS₂的基础性质、实验研究、理论计算方法等各个方面,为研究提供了坚实的文献基础。特别值得注意的是对Xi等人最新实验工作的引用,该工作似乎解决了之前关于FeS₂载流子类型的争议。
总体评价:这是一篇高质量的理论研究论文,不仅澄清了Co掺杂FeS₂的热电性质,更重要的是揭示了广泛使用的RBA方法的局限性,为该领域的理论研究提供了重要的方法学贡献。研究结果对于指导热电材料的理论筛选和实验研究具有重要价值。