2025-11-23T23:40:17.754325

Double-layer Thin-film LiNbO3 Longitudinally Excited Shear Wave Resonators with Ultra-large Electromechanical Coupling Coefficient and Spurious-Free Performance

Qin, Wu, Hao et al.
This work proposes a double-layer thin-film lithium niobate (LiNbO3) longitudinally excited shear wave resonator with a theoretical electromechanical coupling coefficient exceeding 60%, RaR close to 28%, and no spurious modes. This ultra-large electromechanical coupling coefficient, which is close to the upper limit of LiNbO3, is much larger than all microwave acoustic resonators reported so far. Based on X-cut thin-film LiNbO3, when the film thickness is in the order of hundreds of nanometers, the frequency of the fundamental mode of the resonator can cover 1GHz to10GHz. The resonator design is convenient and flexible. The resonant frequency can be modulated monotonically by changing either the electrode or the thickness of the thin-film LiNbO3 without introducing additional spurious modes. This ideal resonator architecture is also applicable to LiTaO3. With the development of the new generation of mobile communications, this resonator is expected to become a key solution for future high-performance, ultra-wide-bandwidth acoustic filters.
academic

Double-layer Thin-film LiNbO3 Longitudinally Excited Shear Wave Resonators with Ultra-large Electromechanical Coupling Coefficient and Spurious-Free Performance

基本信息

  • 论文ID: 2405.17168
  • 标题: Double-layer Thin-film LiNbO3 Longitudinally Excited Shear Wave Resonators with Ultra-large Electromechanical Coupling Coefficient and Spurious-Free Performance
  • 作者: Zhen-Hui Qin, Shu-Mao Wu, Chen-Bei Hao, Hua-Yang Chen, Sheng-Nan Liang, Si-Yuan Yu, Yan-Feng Chen
  • 分类: physics.app-ph
  • 机构: 南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学工程与应用科学学院
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2405.17168

摘要

本研究提出了一种双层薄膜铌酸锂(LiNbO3)纵向激励剪切波谐振器，理论机电耦合系数超过60%，谐振-反谐振(RaR)接近28%，且无杂散模式。这种超大机电耦合系数接近LiNbO3的理论上限，远超目前报道的所有微波声学谐振器。基于X切薄膜LiNbO3，当薄膜厚度为数百纳米量级时，谐振器基模频率可覆盖1GHz到10GHz。该谐振器设计方便灵活，可通过改变电极或薄膜LiNbO3厚度单调调节谐振频率而不引入额外杂散模式。

研究背景与动机

问题描述

随着5G/6G移动通信和传感产业的发展，对RF滤波器提出了更高的性能要求，包括高频率、大带宽、低插损、高带外抑制、高功率容限、温度稳定性、机械稳定性和便携性。目前微波声学滤波器面临的关键挑战是在低插损条件下实现大带宽。

问题重要性

  • 4G通信中RF滤波器的带宽要求一般小于10%
  • 未来6G等通信中RF滤波器的带宽可能需要超过20%
  • 这对微波声学滤波器提出了巨大挑战

现有方法局限性

  1. 延迟线滤波器：带宽和插损往往同时变化
  2. 谐振滤波器：带宽依赖于构成滤波器的谐振器的机电耦合系数
  3. 现有LiNbO3谐振器：
    • 基于Rayleigh模式的机电耦合系数相对较小
    • 横向激励声学模式的电场利用率仍然相对不足
    • 大机电耦合系数谐振器普遍存在杂散模式问题

研究动机

开发接近LiNbO3理论上限的超大机电耦合系数谐振器，同时解决杂散模式问题，为未来超宽带移动通信提供关键解决方案。

核心贡献

  1. 提出了双层薄膜LiNbO3纵向激励剪切波谐振器，实现了机电耦合系数60.5%，RaR达27.9%
  2. 解决了杂散模式问题，在主模式通带内实现完美的杂散模式抑制
  3. 实现了灵活的频率调制，可通过改变电极或薄膜厚度单调调节频率而不引入杂散模式
  4. 提供了理论分析框架，解释了双层结构抑制杂散模式的物理机制
  5. 验证了设计的实用性，证明了该架构对器件加工精度的高容忍度

方法详解

任务定义

设计一种微波声学谐振器，要求：

  • 输入：微波电磁信号
  • 输出：处理后的微波信号
  • 约束条件：超大机电耦合系数(>60%)、无杂散模式、频率可调

器件架构

整体结构设计

双层薄膜LiNbO3谐振器由以下部分组成：

  • 上层X切薄膜LiNbO3
  • 下层-X切薄膜LiNbO3
  • 顶部和底部金电极

材料选择原理

通过分析不同切向LiNbO3的压电系数e34，发现X切LiNbO3在纵向激励剪切波方面具有显著优势，因此选择X切薄膜LiNbO3构建谐振器。

双层结构的物理机制

基于压电耦合方程：

T = c(∂u/∂x) - e(∂φ/∂x)
D = e(∂u/∂x) + ε(∂φ/∂x)

对于双层等厚度薄膜LiNbO3谐振器，存在两种情况：

情况一：上下LiNbO3薄膜压电系数相同

  • 谐振条件：2πfd/v = nπ + π/2
  • 声场在上下薄膜中沿厚度方向反对称

情况二：上下LiNbO3薄膜压电系数大小相同但方向相反

  • 谐振条件：πfd/v = nπ + π/2
  • 声场在上下薄膜中沿厚度方向对称

技术创新点

杂散模式抑制机制

  • 主模式SH2：对应压电系数e34，在X切和-X切LiNbO3中数值相同但符号相反，属于情况二
  • 杂散模式A1：对应压电系数e35，在X切和-X切LiNbO3中数值和符号均相同，属于情况一
  • 结果：杂散A1模式频率远离主SH2模式通带，实现杂散抑制

频率调制策略

  1. 电极厚度调制：同时改变上下电极厚度可实现最佳性能
  2. 薄膜厚度调制：可通过区域减薄方法仅改变上层薄膜厚度
  3. 晶向调制：上下薄膜同步旋转时性能保持一致

实验设置

仿真参数

  • 薄膜厚度：300nm X切LiNbO3 + 300nm -X切LiNbO3
  • 电极材料：金(Au)，厚度20nm
  • 仿真方法：三维(3D)有限元仿真
  • 分析频段：1-10GHz

评价指标

  • 机电耦合系数(kt²)：衡量电能与机械能转换效率
  • 谐振-反谐振比(RaR)：反映滤波器带宽能力
  • 品质因数(Q)：表征谐振器损耗特性
  • 杂散模式抑制：主模式通带内杂散模式强度

对比基准

  • 单层薄膜LiNbO3谐振器
  • 现有报道的各种LiNbO3谐振器(SH0模式55%、Love模式44%、A1模式46%等)

实验结果

主要结果

性能对比

谐振器类型机电耦合系数RaR杂散模式
单层LiNbO365.9%-严重(4.45GHz)
双层LiNbO360.5%27.9%微弱(2.68GHz)
现有最佳报道55%22%普遍存在

频率覆盖范围

  • 薄膜厚度200-400nm对应频率3.7-6.8GHz
  • 数百纳米厚度可覆盖1-10GHz频段

参数调制分析

电极厚度影响

  • 同步调制：电极越薄，频率越高，耦合系数越大，无杂散模式
  • 非同步调制：性能略有下降，但仍可接受

薄膜厚度影响

  • 同步调制：厚度与频率呈准线性反比关系，耦合系数基本不变
  • 单层调制：仅改变上层厚度时，频率仍可准线性调节，耦合系数>56%

晶向容忍度

  • 单层旋转时性能单调下降
  • 双层同步旋转时性能完全一致，显示出极高的加工容忍度

重要发现

  1. 双层结构成功抑制杂散模式，同时保持超大机电耦合系数
  2. 频率调制高度灵活，可通过多种参数实现而不引入杂散
  3. 加工容忍度高，主要依赖薄膜质量而非电极精度

相关工作

发展历程

  • 1960年代末：首次出现LiNbO3声学谐振器，基于Rayleigh模式
  • 近年来发展：随着单晶薄膜LiNbO3技术成熟，出现多种新型谐振器
    • Lamb波中的A模式和S模式
    • 基于悬浮薄膜和固装衬底的水平剪切模式

关键进展

  • 2019年Zhou等：30Y-X切薄膜LiNbO3 SH0模式，耦合系数55%
  • 2020年Hsu等：X切薄膜LiNbO3 Love模式，耦合系数44%
  • 2020年Lu等：128Y-X切薄膜LiNbO3 A1模式，耦合系数46%
  • 2020年Plessky等：Y切薄膜LiNbO3纵向激励(YBAR)，预期50%
  • 2024年Hartmann等：X切薄膜LiNbO3纵向激励，超过40%

本工作优势

相比现有工作，本研究首次实现了接近LiNbO3理论上限的机电耦合系数，并完美解决了杂散模式问题。

结论与讨论

主要结论

  1. 突破性能指标：实现了机电耦合系数60.5%，RaR 27.9%，接近LiNbO3理论上限
  2. 解决关键问题：完美抑制杂散模式，为实用化扫清障碍
  3. 设计灵活性：频率可通过多种参数调节，适合滤波器设计需求
  4. 技术可扩展：方案同样适用于具有更高温度稳定性的LiTaO3

局限性

  1. 制备复杂性：需要制备高质量的双层薄膜LiNbO3，技术要求较高
  2. 成本考虑：相比单层结构，材料和工艺成本可能增加
  3. 实验验证：论文主要基于仿真结果，缺乏实际器件测试数据

未来方向

  1. 实验验证：制备实际器件并进行性能测试
  2. 滤波器集成：基于该谐振器构建超宽带滤波器
  3. 材料扩展：探索在LiTaO3等其他材料上的应用
  4. 工艺优化：开发高效的双层薄膜制备和加工工艺

深度评价

优点

  1. 理论创新性强：双层结构抑制杂散模式的物理机制清晰且创新
  2. 性能指标突出：机电耦合系数和RaR均达到前所未有的水平
  3. 实用价值高：解决了大耦合系数谐振器的杂散模式难题
  4. 分析全面：从材料选择到器件设计的完整理论分析
  5. 设计灵活：多种参数调制方式为实际应用提供便利

不足

  1. 缺乏实验验证：仅有仿真结果，缺乏实际器件的实验数据
  2. 制备可行性：双层薄膜的制备和键合工艺可行性需要验证
  3. 温度特性：未分析器件的温度稳定性和温度系数
  4. 功率处理能力：未涉及器件的功率容限分析
  5. 成本效益：未考虑相对于现有方案的成本优势

影响力

  1. 学术价值：为声学谐振器设计提供了新的理论框架和设计思路
  2. 产业意义：有望成为下一代超宽带移动通信的关键技术
  3. 技术推动：将推动薄膜LiNbO3加工技术的进一步发展
  4. 应用前景：在5G/6G通信、雷达、传感等领域具有广阔应用前景

适用场景

  1. 超宽带滤波器：适用于带宽要求>20%的未来通信系统
  2. 高频应用：1-10GHz频段的微波器件
  3. 低损耗要求：对插损有严格要求的射频前端
  4. 小型化需求：便携式通信设备和物联网终端

参考文献

论文引用了24篇重要参考文献，涵盖了LiNbO3声学器件的发展历程、相关理论基础和最新技术进展，为研究提供了坚实的理论基础和技术对比基准。

总体评价：这是一篇高质量的应用物理研究论文，提出了创新的双层薄膜LiNbO3谐振器设计，在理论上实现了突破性的性能指标。虽然缺乏实验验证，但其理论分析严谨，设计思路新颖，对推动下一代移动通信技术发展具有重要意义。