2025-11-15T08:19:11.446957

Landau Level Single-Electron Pumping

Pyurbeeva, Blumenthal, Mol et al.
We present the first detailed study of the effect of a strong magnetic field on single-electron pumping in a device utilising a finger-gate split-gate configuration. In the quantum Hall regime, we demonstrate electron pumping from Landau levels in the leads, where the measurements exhibit pronounced oscillations in the lengths of the pumping plateaus with the magnetic field, reminiscent of Shubnikov-de Haas oscillations. This similarity indicates that the pumping process is dependent on the density of states of the 2D electron gas over a narrow energy window. Based on these observations, we develop a new theoretical description of the operation of single-electron pumps which for the first time allows for the determination of the physical parameters of the experiment; such as the capture energy of the electrons, the broadening of the quantised Landau levels in the leads, and the quantum lifetime of the electrons.
academic

Landau Level Single-Electron Pumping

基本信息

  • 论文ID: 2406.13615
  • 标题: Landau Level Single-Electron Pumping
  • 作者: E. Pyurbeeva, M.D. Blumenthal, J.A. Mol, H. Howe, H.E. Beere, T. Mitchell, D.A. Ritchie, M. Pepper
  • 分类: cond-mat.mes-hall (凝聚态物理-介观与霍尔效应)
  • 发表时间: 2025年1月3日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2406.13615

摘要

本研究首次详细探讨了强磁场对采用指栅-分裂栅配置的单电子泵的影响。在量子霍尔区域，作者展示了从导线中朗道能级进行的电子泵浦，测量结果显示泵浦平台长度随磁场出现显著振荡，类似于Shubnikov-de Haas振荡。这种相似性表明泵浦过程依赖于二维电子气在窄能量窗口内的态密度。基于这些观察，研究者发展了单电子泵操作的新理论描述，首次能够确定实验的物理参数，如电子俘获能、导线中量子化朗道能级的展宽以及电子的量子寿命。

研究背景与动机

问题定义

单电子泵作为量子信息处理、纳米电子学和电子量子光学的关键器件，需要高精度地控制单个电子。然而，现有的理论框架——通用衰减级联(UDC)模型虽然能很好地拟合实验数据，但在解释物理现象方面存在局限性，无法将器件"指纹"参数αn、δn与温度、磁场、射频信号幅度等关键物理参数明确关联。

研究重要性

  1. 技术应用需求: 量子信息处理和纳米电子学对高精度单电子控制的迫切需求
  2. 理论完善: 现有UDC模型无法解释复杂物理现象的局限性
  3. 器件优化: 需要理解磁场对电子泵浦精度的影响机制

研究动机

通过高精度的分裂栅指栅(SFG)电子泵配置，系统研究强磁场下的单电子泵浦行为，建立新的物理模型来解释观察到的现象，并确定关键的器件参数。

核心贡献

  1. 首次系统研究: 详细研究了强磁场(1T-9T)对单电子泵的影响
  2. 新物理现象发现: 发现泵浦平台长度振荡与Shubnikov-de Haas振荡的相关性
  3. 创新理论模型: 提出0-DIP (零导数拐点)模型，解释泵浦动力学
  4. 参数直接测量: 首次直接测量电子俘获能(9.4 meV)、朗道能级展宽(0.84 meV)和量子寿命(0.78 ps)
  5. 磁场依赖性揭示: 证明泵浦过程依赖于源极中窄能量窗口内的态密度

方法详解

器件设计与实验配置

实验采用分裂栅指栅(SFG)配置的单电子泵：

  • 材料系统: GaAs/AlGaAs异质结构，二维电子气密度n = 1.53×10¹⁵ m⁻²
  • 栅极配置: 指栅(入口，150nm宽)和分裂栅(出口，400nm宽，200nm间距)
  • 工作参数: 射频频率180MHz，幅度300mV，偏置电压100mV
  • 测量环境: 7mK稀释制冷机，10T超导磁体

0-DIP理论模型

核心物理图像

传统UDC模型假设量子点在费米能级以下"装载"电子，然后通过非平衡弛豫过程泵浦。新的0-DIP模型提出：

  1. 零导数拐点配置: 当入口和出口势垒足够接近时，存在特定的Eent值使得总势能剖面在源极侧出现零导数拐点
  2. 束缚态形成: 超过0-DIP配置后，第一个束缚态在俘获能Ec ≈ αEexit处形成
  3. 快速去耦: 进一步增加入口势垒导致隧穿耦合指数衰减，量子点迅速与源极隔离

数学描述

势能剖面表示为：

E(x) = Eent φent(x) + Eexit φexit(x)

量子点特征尺寸随势垒高度的演化：

Wd = CW √(dE/Eexit)
Dd = CD √((dE)³/Eexit)

其中Wd为势垒宽度，Dd为量子点深度。

磁场依赖性分析

发现所有泵浦平台遵循相同的振荡模式，可用单一参数λ(B)描述：

I = ef Σn exp[-exp(-αn(Vexit - λ(B)δ'n))]

实验设置

测量协议

  1. 泵浦映射: 测量泵浦电流随出口电压Vexit和磁场B的二维依赖关系
  2. Shubnikov-de Haas测量: 分别在有/无射频信号条件下测量纵向电阻
  3. 量子霍尔效应: 确定电子密度和填充因子
  4. 参数扫描: 磁场1T-9T，步长0.5T

关键实验参数

  • 射频参数: VAmp = 300mV, fRF = 180MHz
  • 直流偏置: Vent = -600mV, VSD = 100mV
  • 电子密度: nD = 1.53×10¹⁵ m⁻²
  • 温度: 7mK基温

实验结果

主要发现

1. 平台长度振荡

  • 泵浦平台长度随磁场呈现非单调振荡，在7.2T附近出现显著共振峰
  • 振荡模式与Shubnikov-de Haas效应高度相关

2. 普遍标度律

前四个泵浦平台的起始电压δ₁₋δ₄经线性变换后完全重合，标度因子遵循幂律η(n) ≈ nᵃ，其中a = 1.58

3. 朗道能级参数测定

通过拟合共振峰宽度确定：

  • 朗道能级展宽: Γ = 0.84 meV
  • 量子寿命: τᵢ = 0.78 ps
  • 俘获能: Ec = 9.4 meV (在B = 7.3T处)

4. 自旋效应

模拟结果表明必须考虑自旋劈裂才能正确描述实验数据，证实了磁场中自旋简并度的解除。

数值结果对比

实验测得的量子寿命τᵢ = 0.78 ps与文献报道的GaAs/AlGaAs系统典型值(0.5-1.0 ps)一致，验证了测量的可靠性。

理论分析与模拟

态密度计算

通过朗道量子化理论计算不同磁场下的态密度：

En = ℏωc(n + 1/2) ± gμBB/2

其中ωc = eB/m*为回旋频率。

俘获能演化

发现俘获能随磁场线性变化：Ec(B) = Ec(7.3T) + k(B - 7.3T)，变化范围ΔEc = 2.4 meV。

相关工作

历史发展

  1. 早期研究: Blumenthal等(2007)首次实现GHz单电子泵浦
  2. 磁场效应: Wright等(2008)和Kaestner等(2009)观察到磁场增强泵浦精度
  3. 振荡现象: Leicht等(2011)首次报道类似振荡，但缺乏深入的物理解释

理论框架

  • UDC模型: Kashcheyevs和Kaestner(2010)提出的标准理论框架
  • 开放量子系统: 近期工作开始从开放量子系统角度研究驱动量子点

结论与讨论

主要结论

  1. 物理机制: 单电子泵浦过程本质上依赖于源极朗道能级的态密度
  2. 能量窗口: 电子交换过程局限在远小于朗道能级宽度的窄能量窗口内
  3. 参数测定: 首次直接测量了俘获能、朗道能级展宽和量子寿命等关键参数
  4. 普遍性: 所有泵浦平台遵循统一的磁场依赖规律

局限性

  1. 模型简化: 0-DIP模型基于一维近似，实际器件的二维效应可能影响精确性
  2. 参数范围: 实验仅覆盖特定的磁场和频率范围
  3. 多电子效应: 模型主要针对单电子泵浦，多电子过程需要进一步研究

未来方向

  1. 频率依赖: 研究射频频率对量子寿命和俘获能的影响
  2. 温度效应: 探索温度对泵浦动力学的作用
  3. 出射能量: 研究被泵浦电子的出射能量特性
  4. 多电子态: 扩展理论描述多电子泵浦过程

深度评价

优点

  1. 实验精度: 使用SFG配置实现了前所未有的测量精度
  2. 理论创新: 0-DIP模型提供了新的物理图像，解释了长期困惑的现象
  3. 参数测定: 首次直接测量关键物理参数，为器件设计提供定量指导
  4. 系统性: 从1T到9T的系统研究揭示了完整的磁场依赖性

不足

  1. 理论复杂性: 0-DIP模型的数学推导较为复杂，可能限制其广泛应用
  2. 适用范围: 模型的普适性需要在其他器件几何和材料系统中验证
  3. 动力学细节: 对俘获过程的微观动力学描述仍需完善

影响力

  1. 学术价值: 为单电子泵浦领域提供了新的理论框架
  2. 应用前景: 为高精度量子器件设计提供了重要指导
  3. 方法学: 建立了磁场环境下量子器件表征的新方法

适用场景

  1. 量子计量: 作为电流标准的高精度单电子泵
  2. 量子信息: 按需单光子源和电子量子光学器件
  3. 基础研究: 研究介观系统中的量子输运现象

参考文献

本文引用了58篇相关文献，涵盖了单电子泵浦、量子霍尔效应、开放量子系统等多个领域的重要工作，为研究提供了坚实的理论基础。

总结: 这项工作通过精密的实验和创新的理论模型，深入揭示了磁场环境下单电子泵浦的物理机制，为该领域的发展做出了重要贡献。0-DIP模型不仅解释了实验观察，还提供了定量预测能力，标志着单电子泵浦理论的重要进展。