2025-11-24T10:43:18.259488

Optical signatures of spin symmetries in unconventional magnets

Sivianes, Santos, IbaÃ±ez-Azpiroz

The concept of spin symmetries has gained renewed interest as a valuable tool for classifying unconventional magnetic phases, including altermagnets and recently identified p-wave magnets. In this work, we show that in compounds with weak spin-orbit coupling, the dominant spin and charge photoresponse is determined by spin group rather than the conventional magnetic group symmetry. As a concrete realization we consider the nonlinear shift photocurrent in Mn$_5$Si$_3$, a material that features the two possible classes of unconventional p-wave magnetism in the form of two competing spin structures, a coplanar and non-coplanar one. While both are predicted to generate shift currents based on magnetic symmetry considerations, only the non-coplanar configuration survives the spin symmetry requirements. This is numerically confirmed by our $\textit{ab-initio}$ calculations, providing a protocol to experimentally identify the spin configuration of this promising material in photogalvanic or transport measurements.

academic

Optical signatures of spin symmetries in unconventional magnets

基本信息

论文ID: 2406.19842
标题: Optical signatures of spin symmetries in unconventional magnets
作者: Javier Sivianes, Flaviano José dos Santos, Julen Ibañez-Azpiroz
分类: cond-mat.mes-hall (凝聚态物理-介观与霍尔效应)
发表时间: 2025年3月10日 (v3版本)
论文链接: https://arxiv.org/abs/2406.19842

摘要

本文研究了自旋对称性在非常规磁体光学响应中的作用。对于弱自旋轨道耦合材料，作者证明了自旋群对称性而非传统磁群对称性决定了主导的自旋和电荷光响应。以Mn₅Si₃为例，该材料在低温下存在两种可能的p波磁性构型（共面和非共面）。虽然磁对称性分析预测两种构型都能产生位移光电流，但只有非共面构型满足自旋对称性要求。第一性原理计算证实了这一预测，为通过光伏或输运测量实验确定材料自旋构型提供了可行方案。

研究背景与动机

核心问题

传统磁性理论以铁磁和反铁磁为主导范式，但近年来出现的交替磁性(altermagnetism)和p波磁性(p-wave magnetism)等非常规磁性相挑战了这一框架。如何有效分类和表征这些新型磁性相成为亟待解决的问题。

研究重要性

新物理机制：非常规磁体展现出独特的输运性质（如反常霍尔效应、拓扑霍尔效应），但其微观机制尚不清楚
实验鉴别困难：对于具有多种可能磁构型的材料（如Mn₅Si₃），传统中子散射等方法难以明确区分
器件应用潜力：这些材料在自旋电子学和光伏器件中有重要应用前景

现有方法局限

磁群对称性分析：传统方法基于磁点群，但对于弱自旋轨道耦合系统，自旋和晶格自由度近似解耦，磁群分析可能给出过于宽松的对称性约束
实验表征手段：Mn₅Si₃的低温(T<60K)非共线磁结构存在争议，现有实验技术难以确定其精确构型

研究动机

作者提出利用自旋群对称性(spin group symmetry)分析非线性光学响应，特别是位移光电流(shift photocurrent)，作为探测磁构型的新手段。这种方法利用了自旋对称性对光响应张量的额外约束，可以区分磁群对称性无法区分的磁结构。

核心贡献

理论框架建立：首次系统地将自旋群对称性应用于光电导率张量分析，证明在弱自旋轨道耦合系统中，有效点群由自旋对称性的空间部分决定
模型验证：通过双交换模型的数值计算，证实自旋对称性禁戒的光电导分量比允许分量小3-4个数量级
材料预测：对Mn₅Si₃的两种候选磁结构进行第一性原理计算，发现：
- 非共面结构的位移光电流达到~10⁻⁴ A/V²（与Weyl半金属相当）
- 共面结构的响应小两个数量级
- 提供了可测量的角度依赖光电流特征(~20 nA)
实验方案：提出通过测量偏振角依赖的直流光电流来鉴别Mn₅Si₃真实磁构型的实验协议
普适性扩展：将分析推广到自旋光电流，证明自旋对称性约束同样适用

方法详解

任务定义

输入：磁性材料的晶体结构和磁构型
输出：二阶非线性光电导率张量σᵃᵇᶜ(ω)及其对称性约束
约束：弱自旋轨道耦合近似(自旋和晶格自由度解耦)

理论框架

1. 自旋群对称性

自旋群操作表示为 Rₛ||Rᵣ|τ，其中：

Rₛ：作用于自旋空间的操作
Rᵣ|τ：常规空间群操作(旋转+平移)

关键洞察：电荷响应在纯自旋操作Rₛ下不变，因此光电导张量仅受空间操作Rᵣ构成的有效点群约束。

2. 位移光电流理论

长度规范下的位移光电导率：

$\sigma^{abc}(\omega) = -\frac{i\pi e^3}{2\hbar^2}\int\frac{dk}{(2\pi)^3}\sum_{mn}f_{nm}(I^{abc}_{mn} + I^{acb}_{mn})[\delta(\omega_{nm}-\omega) + \delta(\omega_{mn}-\omega)]$

其中跃迁矩阵元： $I^{abc}_{mn} = r^b_{mn}r^{c;a}_{nm}$

包含偶极项 $r^b_{mn}$ 和广义导数 $r^{c;a}_{nm}$ 。

为避免Wannier函数构造中的对称性破缺问题，作者采用速度规范：

$\sigma^{abc}(\omega) = \frac{\pi|e|^3}{2\hbar^2V}\sum_{k,m,n}\frac{f_{m,n}}{\omega^2_{m,n}}\text{Im}\left[v^b_{m,n}\sum_{l\neq m,n}\left(\frac{v^a_{n,l}v^c_{l,m}}{\omega_{n,l}} - \frac{v^c_{n,l}v^a_{l,m}}{\omega_{lm}}\right) + (b\leftrightarrow c)\right]\delta(\omega_{m,n}-\omega)$

3. 对称性约束推导

对于自旋对称性 Rₛ||Rᵣ，电场和电流变换为： $\mathbf{E} \xrightarrow{g} R_r\mathbf{E}, \quad \mathbf{j} \xrightarrow{g} R_r\mathbf{j}$

利用Neumann原理(物理性质必须具有晶体对称性)： $\sigma^{a'b'c'} = R^{a'a}_r R^{b'b}_r R^{c'c}_r \sigma^{abc} = \sigma^{abc}$

这与传统点群约束形式相同，但R_r来自自旋群而非磁点群。

4. 自旋光电流扩展

自旋位移电流张量： $\xi^{s,abc}_{\text{shift}} = \frac{i\pi q^3}{2\hbar^2V\Omega}\sum_{k,m,n}f_{mn}I^{s,abc}_{mn}(k)\delta(\Omega+\omega_{mn})$

变换规则包含额外的自旋旋转： $\xi^{s',a'b'c'} = \text{Det}(R_s)R^{s's}_s R^{a'a}_r R^{b'b}_r R^{c'c}_r \xi^{s,abc}$

计算实现

双交换模型

哈密顿量： $H = \sum_{\langle i,j\rangle,\alpha}t_1(c^\dagger_{i\alpha}c_{j\alpha} + h.c.) + \sum_{\langle\langle i,j\rangle\rangle,\alpha}t_2(c^\dagger_{i\alpha}c_{j\alpha} + h.c.) + J\sum_{i,\alpha,\alpha'}\mathbf{m}_i\cdot c^\dagger_{i\alpha}\mathbf{S}_{\alpha\alpha'}c_{i\alpha'}$

参数设置：

晶格常数 a=2Å
跃迁积分 t₁=1 eV, t₂=0.25 eV
交换常数 J=0.4 eV/μ²ᵦ

Mn₅Si₃第一性原理计算

方法：VASP软件包，PAW赝势，约束局域磁矩方法
参数：能量截断440 eV，k网格9×5×11，收敛标准10⁻⁷ eV
磁矩：Mn原子最大磁矩~2.6 μᵦ
能量差：共面与非共面结构能量差5 meV/atom

实验设置

模型系统

二维方形晶格（图1a）：

磁空间群：P1.1' (仅含T τₘ对称性)
自旋对称性：T||E|τₘ和E||Mₓ|0
有效点群：m (镜面对称)
对称性允许分量：σʸʸʸ, σʸˣˣ, σˣˣʸ

Mn₅Si₃材料

非共面结构（class-II p波磁体）

磁空间群：PS₁ = {E, Tτₓᵧ}
自旋对称性有效点群：m
允许分量：奇数个z指标的分量被禁戒

共面结构（class-I p波磁体）

磁空间群：PC2221 = {E, C₂ʸ, C₂ˣτz, C₂ʸτz} ⊗ {E, Tτₓᵧ}
自旋对称性：C₂ˣT||E|0（磁矩共面于yz平面）
有效点群：mmm（恢复空间反演对称）
所有非线性光响应在非相对论极限下被禁戒

光电流测量参数

光子能量：ℏω = 0.15 eV
光强：480 nW
光斑尺寸：w = 5 μm
偏振：E(ω) = E₀(ω)(0, cos(θ), sin(θ))

实验结果

模型系统主要结果

1. 自旋对称性验证（图1c）

允许分量σʸˣˣ：峰值~10⁻⁴ A/V² (|m|=0.75μᵦ时)
禁戒分量σˣˣˣ：比允许分量小3个数量级
数值结果与自旋对称性预测完全吻合

2. 磁矩依赖性（图1d）

关键发现：

位移光电流随|m|单调增长
|m| < 1 μᵦ：响应较弱
|m| ≈ 1.5 μᵦ：达到~10⁻⁴ A/V²，与Weyl半金属TaAs相当
在|m|→0极限下光电流消失（与传统铁电体不同）

峰位演化：

ω₁ ≈ 1.4 eV主导 (|m| < 0.33μᵦ)
ω₂ ≈ 1.9 eV主导 (|m| > 0.38μᵦ)

3. 自旋光电流（图1e）

自旋对称性预测的允许分量（ξˣ'ˣˣʸ, ξʸ'ˣˣʸ, ξᶻ'ˣˣʸ）与禁戒分量差异达4个数量级。

Mn₅Si₃计算结果

1. 电子结构特征（图2）

非共面结构：

金属性，费米面显示全方向自旋劈裂
Sˣ, Sʸ, Sᶻ分量均有限
自旋劈裂~0.5 eV（非相对论起源）

共面结构：

金属性，费米面自旋劈裂
Sʸ, Sᶻ几乎为零（除Γ点附近）
k空间自旋极化垂直于实空间磁化平面

理论解释：共面结构的C₂ˣT||E|0对称性要求： $S^{y,z}_n(k) = \langle\psi_{kn}|C_{2x}S^{y,z}C^{-1}_{2x}|\psi_{kn}\rangle = -S^{y,z}_n(k)$

因此平行分量必须为零。

2. 位移光电导率（图3a，图S4）

非共面结构：

峰值：~~10⁻⁴ A/V² (ℏω~~0.5 eV)
允许分量(σˣʸʸ, σˣᶻᶻ)：数量级10⁻⁴ A/V²
禁戒分量(σˣʸᶻ)：~10⁻⁶ A/V²
与自旋对称性预测完美符合

共面结构：

所有分量：~10⁻⁶ A/V²
比非共面结构小两个数量级
与自旋对称性预测的完全抑制基本一致

对比：

非共面Mn₅Si₃ > Weyl半金属TaAs/TaIrTe₄
非共面Mn₅Si₃ >> 半导体GaAs/BC₂N (高一个数量级)

3. 直流光电流角度依赖（图3b）

非共面结构：

幅值：~20 nA（实验可测）
角度依赖： $J_x = G_{xy'y'}(1-R)(1-e^{-\alpha d})wI$ 其中 $\sigma_{xy'y'} = \cos^2\theta\sigma_{xyy} + \sin^2\theta\sigma_{xzz} + \sin2\theta\sigma_{xyz}$
模式：主要为cos²θ + sin²θ形式

共面结构：

幅值：~0.2 nA（小两个数量级）
角度依赖：sin(2θ)形式（来自σˣʸᶻ）

实验可行性：

光子能量0.15 eV在实验可及范围
20 nA电流远超测量噪声水平
两种构型的幅值和角度分布差异显著

消融实验

磁矩大小影响（模型）

通过系统扫描|m|从0.13到2.0 μᵦ：

验证了光电流与磁矩的单调关系
确认了非相对论机制的主导作用
量化了达到显著响应所需的磁矩阈值(~1 μᵦ)

带数收敛性（Mn₅Si₃）

速度规范计算需截断求和：

使用300条能带确保收敛
k网格19×15×21（较Wannier插值粗糙但保证对称性）

案例分析

线性光学响应（图S5）

非共面Mn₅Si₃的介电张量：

允许的离对角分量εˣʸ：~~20ε₀ (ℏω~~1 eV)
禁戒分量εᶻˣ, εʸᶻ：<1ε₀
再次验证自旋对称性约束的有效性

完整张量分析（图S4, S6）

非共面：18个独立分量中，12个自旋对称性允许
共面：18个分量全部被自旋对称性禁戒
数值结果与理论预测逐分量吻合

结论与讨论

主要结论

理论贡献：
- 在弱SOC材料中，自旋群对称性比磁群对称性提供更严格的光响应约束
- 电荷响应由自旋对称性的空间部分构成的有效点群决定
- 自旋响应需同时考虑自旋和空间操作
材料预测：
- Mn₅Si₃的非共面构型产生巨大位移光电流(~10⁻⁴ A/V²)
- 共面构型的响应被自旋对称性几乎完全抑制
- 两种构型的光电流差异可作为实验鉴别手段
物理洞察：
- 非共线磁体中光响应与磁矩大小强相关
- p波磁体可产生媲美Weyl半金属的光伏效应
- 非相对论机制主导弱SOC系统的光响应

局限性

理论假设：
- 依赖弱SOC近似（自旋-晶格解耦）
- 对强SOC材料（如5d过渡金属化合物）不适用
- 未考虑激子效应和多体相互作用
计算方面：
- 速度规范需大量能带（300条）收敛
- k网格相对粗糙(19×15×21)可能影响精度
- 未计算反射率R(ω)，实际电流可能被高估
实验验证：
- 尚无Mn₅Si₃低温光电流的实验数据
- 样品质量和表面态可能影响测量
- 需要低温(T<60K)和中红外光源
材料局限：
- 仅研究了一种p波磁体
- 未系统探索其他轻元素磁性化合物
- 能量差(5 meV/atom)接近DFT误差范围

未来方向

理论扩展：
- 推广到线性响应（反常霍尔、能斯特效应）
- 研究集体激发（等离激元、磁振子）对光学性质的影响
- 考虑自旋塞贝克和自旋能斯特效应
材料探索：
- 筛选5万+自旋群化合物寻找高响应材料
- 研究其他p波磁体（如Fe₃Sn₂, Mn₃Ge）
- 设计具有特定自旋对称性的人工结构
实验建议：
- 低温偏振依赖光电流测量
- 二次谐波产生实验验证对称性
- 时间分辨光谱研究超快动力学
应用前景：
- 基于自旋对称性的光伏器件设计
- 纯自旋光电流的产生和调控
- 非易失性光学存储器

深度评价

优点

概念创新：
- 开创性地将自旋群对称性应用于光响应，建立了新的分析范式
- 揭示了非常规磁体中对称性-响应关系的新规律
- 为弱SOC磁性材料提供了超越传统磁群的理论工具
方法严谨：
- 从简单模型到复杂材料的递进式论证
- 速度规范计算避免Wannier函数的对称性破缺问题
- 完整的张量分析（18个独立分量逐一验证）
结果说服力：
- 理论预测与数值计算高度一致（3-4个数量级差异）
- 提供了明确的实验判据（20 nA vs 0.2 nA）
- 参数设置合理，处于实验可及范围
科学意义：
- 解决了Mn₅Si₃磁结构争议的鉴别问题
- 预测了p波磁体的巨大光伏效应
- 为2000+化合物的光学性质研究提供理论基础
写作质量：
- 逻辑清晰，从动机到结论层次分明
- 图表精美，有效传达核心信息
- 补充材料详尽（完整推导、所有张量分量）