2025-11-24T12:37:17.367994

Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure

Yu, Lee, Watanabe et al.
Atomic defects in solids offer a versatile basis to study and realize quantum phenomena and information science in various integrated systems. All-electrical pumping of single defects to create quantum light emission has been realized in several platforms including color centers in diamond and silicon carbide, which could lead to the circuit network of electrically triggered single-photon sources. However, a wide conduction channel which reduces the carrier injection per defect site has been a major obstacle. Here, we realize a device concept to construct electrically pumped single-photon emission using a van der Waals stacked structure with atomic plane precision. Defect-induced tunneling currents across graphene and NbSe2 electrodes sandwiching an atomically thin h-BN layer allow robust and persistent generation of non-classical light from h-BN. The collected emission photon energies range between 1.4 and 2.9 eV, revealing the electrical excitation of a variety of atomic defects. By analyzing the dipole axis of observed emitters, we further confirm that emitters are crystallographic defect structures of h-BN crystal. Our work facilitates implementing efficient and miniaturized single-photon devices in van der Waals platforms toward applications in quantum optoelectronics.
academic

Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure

基本信息

  • 论文ID: 2407.14070
  • 标题: Electrically pumped h-BN single-photon emission in van der Waals heterostructure
  • 作者: Mihyang Yu, Jeonghan Lee, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Jieun Lee
  • 分类: quant-ph cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
  • 发表时间: 2024年7月
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2407.14070

摘要

本文报告了在范德华异质结构中实现六方氮化硼(h-BN)缺陷的电泵浦单光子发射。通过构建石墨烯和NbSe2电极夹持原子薄h-BN层的器件结构，实现了缺陷诱导的隧穿电流驱动的非经典光发射。发射光子能量范围为1.4-2.9 eV，揭示了多种原子缺陷的电激发。通过分析发射器的偶极轴方向，确认了发射器为h-BN晶体的晶体学缺陷结构。

研究背景与动机

  1. 要解决的问题:
    • 传统的单光子源主要依赖光学泵浦，这在集成量子器件中存在局限性
    • 电泵浦单光子源能够实现更好的器件集成和控制，但在二维材料中尚未实现
    • 宽导电通道会降低每个缺陷位点的载流子注入效率
  2. 问题重要性:
    • 单光子源是量子通信、量子计算和量子传感的核心器件
    • 电驱动的单光子源可以实现更好的可扩展性和集成度
    • h-BN作为二维材料具有独特的量子光学性质
  3. 现有方法局限性:
    • 金刚石和碳化硅中的色心虽然可实现电泵浦，但材料厚度限制了器件小型化
    • 光学泵浦需要激光源，增加了系统复杂性并产生背景信号
    • 缺乏对特定缺陷位点的精确控制
  4. 研究动机:
    • 利用范德华异质结构的原子级精度构建电泵浦单光子器件
    • 实现h-BN缺陷的直接电激发
    • 为量子光电子学应用提供小型化、集成化的解决方案

核心贡献

  1. 首次实现了h-BN中缺陷的电泵浦单光子发射，突破了传统光学泵浦的限制
  2. 设计了新型范德华异质结构器件，采用石墨烯/h-BN/NbSe2的非对称电极配置
  3. 证明了缺陷诱导隧穿电流与光子发射的直接关联，发射强度与电流呈线性关系
  4. 观察到宽能量范围(1.4-2.9 eV)的单光子发射，揭示了多种缺陷类型的电激发
  5. 通过偏振分析确认了发射器的晶体学结构，并将其分类为三个不同的缺陷群组
  6. 为量子光电子学器件的小型化和集成化提供了新的技术路径

方法详解

任务定义

本研究的任务是在范德华异质结构中实现h-BN缺陷的电泵浦单光子发射。输入为施加在器件两端的电压，输出为单光子发射，约束条件包括需要在低温(6.5K)下工作以获得稳定的量子发射。

器件架构

  1. 整体设计:
    • 采用NbSe2(顶电极)/h-BN/石墨烯(底电极)的三层结构
    • h-BN层包含光学活性层(5nm)和隔离层(2nm)
    • 电极边缘对齐以限制隧穿电流路径
  2. 材料选择原理:
    • NbSe2: 空穴型范德华金属，功函数5.9 eV
    • 石墨烯: 电子型电极，功函数4.5 eV
    • h-BN: 宽带隙二维材料，含有光学活性缺陷
  3. 工作机制:
    • 功函数差异产生内建电场
    • 施加电压驱动载流子通过缺陷隧穿
    • 电子-空穴复合产生单光子发射

技术创新点

  1. 非对称电极设计:
    • 利用NbSe2和石墨烯的功函数差异实现高效载流子注入
    • 正偏压下NbSe2提供空穴，石墨烯提供电子
  2. 缺陷工程:
    • 通过O2气氛高温退火创建光学活性缺陷
    • 缺陷密度和类型可通过退火条件控制
  3. 电流限制策略:
    • 电极边缘对齐减少参与导电的缺陷数量
    • 提高单个缺陷的载流子注入效率

实验设置

器件制备

  1. 材料准备: 高纯h-BN晶体经O2气氛高温退火处理
  2. 器件制作: 采用干法转移技术逐层堆叠范德华异质结构
  3. 电极制作: 电子束光刻和金属蒸发制作Au接触电极

测量系统

  1. 光学系统: 自制共焦显微镜系统，数值孔径0.65的物镜
  2. 光谱仪: CCD探测器，可进行空间成像和光谱测量
  3. 关联测量: Hanbury Brown-Twiss干涉仪测量二阶关联函数
  4. 环境控制: 低温恒温器，工作温度6.5K

评价指标

  1. 单光子特性: 二阶关联函数g²(0) < 0.5
  2. 发射稳定性: 时间稳定性和光谱稳定性
  3. 电光转换: 发射强度与电流的线性关系
  4. 光谱特性: 零声子线位置、线宽、声子边带

实验结果

主要结果

  1. 单光子发射确认:
    • 发射器E1的g²(0) = 0.25 ± 0.21，明确证明单光子特性
    • 关联函数宽度18.2 ± 7.2 ns，反映电激发的独特跃迁过程
  2. 电光关联:
    • 发射强度与隧穿电流呈线性关系(斜率≈1.31)
    • 阈值电压约26V，电流约6nA时光子计数率~700 cps
  3. 光谱特性:
    • 观察到1.5、2.8、2.9 eV处的零声子线
    • 2.8 eV发射器具有160 meV的声子边带，与h-BN纵光学声子匹配
    • 随电压增加出现Stark频移和谱线展宽

缺陷分类分析

根据发射能量和偏振特性，将观察到的发射器分为三类：

  1. 第1组 (1.4-1.7 eV):
    • 尖锐零声子线，弱声子边带
    • 偏振轴随机分布
    • 可能对应氧相关缺陷
  2. 第2组 (1.9-2.4 eV):
    • 光谱形状和偏振分布变化较大
    • 中间能量范围的混合缺陷类型
  3. 第3组 (2.4-3.0 eV):
    • 明显的160 meV声子边带
    • 偏振轴主要沿60°间隔的晶体学方向
    • 可能对应碳相关缺陷

电压极性依赖性

  • 正偏压: 发射器数量远超负偏压，高能发射器主要在正偏压下观察
  • 负偏压: 发射器较少，主要为低能发射器
  • 这与NbSe2和石墨烯的功函数差异导致的非对称载流子注入一致

相关工作

  1. 固态单光子源: 金刚石NV中心、SiC缺陷的电泵浦已实现，但材料厚度限制小型化
  2. 二维材料量子发射: WSe2、MoSe2等材料的激子发射，但主要为光学泵浦
  3. h-BN缺陷研究: 光学泵浦的h-BN单光子源已广泛研究，但电泵浦此前未实现
  4. 范德华异质结构: 在电子输运和光电器件方面应用广泛，但量子光学应用较少

结论与讨论

主要结论

  1. 成功实现了h-BN中首个电泵浦单光子发射器，证明了范德华异质结构在量子光学器件中的潜力
  2. 缺陷诱导隧穿电流机制为二维材料中的电泵浦提供了新思路
  3. 多种缺陷类型的同时激发展示了该方法的通用性
  4. 器件的原子级薄度为量子光电子学的小型化开辟了道路

局限性

  1. 工作温度: 目前需要低温(6.5K)工作，限制了实际应用
  2. 阈值电压: 相对较高的阈值电压(~26V)可能影响器件集成
  3. 发射效率: 光子计数率相对较低，需要进一步优化
  4. 稳定性: 部分发射器存在闪烁现象，影响长期稳定性

未来方向

  1. 室温工作: 通过缺陷工程和器件优化实现室温单光子发射
  2. 阈值降低: 改善界面质量和接触电阻以降低工作电压
  3. 发射增强: 结合光学微腔提高发射效率和收集效率
  4. 确定性制备: 发展可控的缺陷创建技术实现按需单光子源

深度评价

优点

  1. 开创性贡献: 首次在h-BN中实现电泵浦单光子发射，填补了该领域的空白
  2. 器件设计巧妙: 非对称电极配置和缺陷工程的结合体现了深入的物理理解
  3. 实验充分: 从单光子特性到缺陷分类的全面表征
  4. 技术意义重大: 为量子器件的小型化和集成化提供了新路径

不足

  1. 机理解释: 对电激发与光激发差异的物理机制解释还需深入
  2. 重现性: 不同器件间的一致性和重现性需要更多验证
  3. 应用限制: 低温工作和相对较低的效率限制了实际应用前景

影响力

  1. 学术影响: 开辟了二维材料电泵浦量子光学的新研究方向
  2. 技术推动: 为量子通信和量子计算器件提供了新的技术选择
  3. 产业前景: 虽然目前仍处于基础研究阶段，但为未来的量子器件产业化奠定了基础

适用场景

  1. 片上量子光学: 适合构建集成化的量子光学回路
  2. 量子通信: 可作为小型化的单光子源应用于量子密钥分发
  3. 基础研究: 为研究二维材料中的量子现象提供了新工具

参考文献

论文引用了59篇重要文献，涵盖了固态单光子源、二维材料物理、范德华异质结构等多个相关领域的关键工作，为研究提供了坚实的理论和实验基础。

这项工作在量子光学和二维材料交叉领域具有重要意义，虽然目前还存在一些技术挑战，但为未来的量子器件发展开辟了新的方向。随着技术的进一步发展，有望实现更高效、更稳定的电泵浦单光子源。