2025-11-21T18:49:16.256979

Rayleigh Wave Suppression in Al0.6Sc0.4N-on-SiC Resonators

Liffredo, Stettler, Peretti et al.
We report on the fabrication of a Hybrid SAW/BAW resonator made of a thin layer of Sc-doped AlN (AlScN) with a Sc concentration of 40 at% on a 4H-SiC substrate. A Sezawa mode, excited by a vertical electric field, exploits the d31 piezoelectric coefficient to propagate a longitudinal acoustic wave in the AlScN. The resonant frequency is determined via the pitch in the interdigitated transducer (IDT) defined by Deep Ultraviolet (DUV) lithography. The resonant mode travels in the piezoelectric layer without leaking in the substrate thanks to the mismatch in acoustic phase velocities between the piezoelectric and substrate materials. We show the impact of the piezoelectric and IDT layers' thickness on the two found modes. Importantly, we show how thin piezoelectric and electrode layers effectively suppress the Rayleigh mode. While some challenges in the deposition of AlScN remain towards a large coupling coefficient k_eff^2, We show how wave confinement in the IDT obtains a good quality factor. We also show how modifying the IDT reflectivity allows us to engineer a stopband to prevent unwanted modes from being excited between resonance and antiresonance frequencies. Finally, we validate the simulation with fabricated and measured devices and present possible improvements to this resonator architecture.
academic

Rayleigh Wave Suppression in Al0.6Sc0.4N-on-SiC Resonators

基本信息

  • 论文ID: 2407.20286
  • 标题: Rayleigh Wave Suppression in Al0.6Sc0.4N-on-SiC Resonators
  • 作者: Marco Liffredo, Silvan Stettler, Federico Peretti, Luis Guillermo Villanueva
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
  • 发表时间/会议: 2024年7月 (arXiv预印本)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2407.20286

摘要

本文报告了一种混合SAW/BAW谐振器的制造，该谐振器由40 at%浓度的Sc掺杂氮化铝(AlScN)薄层在4H-SiC衬底上构成。Sezawa模式通过垂直电场激发，利用d31压电系数在AlScN中传播纵向声波。谐振频率通过深紫外(DUV)光刻定义的叉指换能器(IDT)间距确定。由于压电材料和衬底材料之间声相速度的失配，谐振模式在压电层中传播而不泄漏到衬底中。研究显示了压电层和IDT层厚度对两种发现模式的影响，重要的是展示了薄压电层和电极层如何有效抑制瑞利模式。

研究背景与动机

问题背景

  1. 5G和未来通信需求：随着5G的推出和未来几代通信技术的发展，需要更大的功率密度，这在声学滤波器的设计空间中增加了功率处理和散热要求。
  2. 现有技术局限性：
    • 悬浮谐振器在高功率下可能因热漂移和非线性而受限，因为产生的热量只能通过薄锚点散发
    • 标准表面声波(SAW)谐振器的工作频率受到能量泄漏到衬底中的限制
    • 体声波(BAW)谐振器需要复杂的声学布拉格反射器层
  3. 研究动机：
    • 开发能够有效散热的非悬浮器件
    • 实现高频操作同时避免能量泄漏
    • 利用AlScN材料的优异压电性能

技术路线选择

作者选择了混合SAW/BAW谐振器架构，这是2013年提出的"第三类FBAR"概念的发展，结合了SAW和BAW谐振器的优点。

核心贡献

  1. 成功制备了AlScN-on-SiC混合谐振器：实现了40%Sc掺杂的AlN薄膜在4H-SiC衬底上的高质量生长
  2. 实现了瑞利模式的有效抑制：通过优化压电层和电极厚度，成功抑制了不需要的瑞利模式
  3. 验证了Sezawa模式的波浪约束：证明了在适当的几何参数下，Sezawa模式可以在压电层中得到良好约束
  4. 建立了设计准则：提供了关于层厚度对模式行为影响的系统性分析
  5. 实现了stopband工程：展示了如何通过调节IDT反射率来工程化stopband，防止不需要的模式激发

方法详解

器件设计原理

材料选择

  • 压电材料：Al0.6Sc0.4N，选择原因：
    • 相比标准AlN具有更大的机电耦合系数
    • 声速较低(~9000 m/s)，有利于能量约束
  • 衬底材料：4H-SiC，选择原因：
    • 最慢的体剪切波速度(~7000 m/s)快于AlScN中的纵波速度
    • 4英寸晶圆容易获得

模式分析

器件中存在两种主要模式：

  1. 瑞利模式：低频模式，主要在衬底-压电层界面传播
  2. Sezawa模式：高频模式，在压电层中传播，是期望的工作模式

瑞利模式抑制机制

通过减少以下参数可以抑制瑞利模式：

  • 压电层厚度
  • 顶部Al电极厚度

器件结构设计

电极配置

  • 底电极：Ti粘附层 + Pt电极，仅在IDT孔径下方形成浮动电极
  • 顶电极：Al电极，形成IDT结构
  • 电场方向：纯垂直电场激发，利用d31压电系数

几何参数

  • 目标间距：500 nm (波长1 μm)
  • 压电层厚度：250 nm和150 nm两种设计
  • 电极厚度：250 nm器件用100 nm，150 nm器件用75 nm

制造工艺

工艺流程

  1. 底电极制备：溅射Ti粘附层和Pt底电极
  2. 图案化：光刻和刻蚀定义底电极图案
  3. 压电层沉积：300°C下沉积AlScN，100°C下沉积Al顶电极
  4. 顶电极图案化：使用Cl2 ICP RIE刻蚀，CF4/O2混合气体去除光刻胶

材料质量表征

  • 250 nm AlScN薄膜：X射线衍射摇摆曲线FWHM为1.2°
  • 150 nm AlScN薄膜：X射线衍射摇摆曲线FWHM为1.6°
  • 相比在Si上的相同工艺，SiC衬底显示出更好的AlScN生长垂直度

实验结果

仿真验证

仿真结果证实了设计概念：

  • 薄压电层和电极层确实能够抑制瑞利模式
  • Sezawa模式在适当厚度下保持良好的耦合
  • stopband位置和宽度可通过电极厚度调控

器件测量

测量设置

  • 使用GSG探针和RS-ZNB20矢量网络分析仪
  • 标准SOLT校准程序

主要结果

  1. 瑞利模式抑制：实验证实了瑞利模式在薄压电层器件中的消失
  2. 品质因子：在6.3 GHz频率下实现了390的负载Q值
  3. 耦合系数：测量的keff²低于仿真值，可能由于超薄AlScN层的制造问题

性能分析

  • 波浪约束：142个指状电极的IDT，仅两侧各5个虚拟电极，波浪约束主要来自IDT光栅本身
  • 寄生模式：观察到的寄生模式源于横向波数，可通过加权电极、变迹或倾斜母线抑制

技术创新点

设计创新

  1. 简化结构：相比原始混合SAW/BAW结构，无需定义压电柱，简化为IDT直接置于AlScN层上
  2. 浮动底电极：促进纯垂直电场的形成
  3. 厚度优化策略：系统性地研究了层厚度对模式行为的影响

材料创新

  1. 高Sc含量AlScN：40%的Sc掺杂浓度，在SiC衬底上实现高质量生长
  2. 材料匹配：AlScN/SiC材料组合实现了理想的声速匹配条件

工艺创新

  1. 简化制造流程：相比悬浮结构，无需释放步骤
  2. DUV光刻：实现500 nm间距的精细图案化

深度评价

优点

技术优势

  1. 概念验证成功：成功演示了AlScN-on-SiC混合谐振器的可行性
  2. 理论与实验一致：仿真预测与实验结果在模式抑制方面高度一致
  3. 制造工艺简化：相比传统FBAR器件，工艺流程更加简单
  4. 材料质量优异：在SiC衬底上实现了高质量AlScN薄膜生长

学术贡献

  1. 系统性分析：提供了层厚度对模式行为影响的全面分析
  2. 设计指导：建立了混合谐振器设计的重要准则
  3. 材料组合创新：首次系统研究AlScN/SiC材料组合在谐振器中的应用

不足

技术局限

  1. 耦合系数偏低：测量的keff²显著低于仿真值，影响器件性能
  2. 薄膜质量挑战：超薄AlScN层的沉积质量仍需改进
  3. 频率限制：需要注意模式色散以避免体辐射

实验不足

  1. 器件数量有限：仅展示了两种厚度配置的结果
  2. 长期稳定性：未提供器件长期稳定性和可靠性数据
  3. 功率处理能力：虽然提到功率处理优势，但未提供具体测试数据

影响力评估

学术影响

  1. 领域推进：为混合SAW/BAW谐振器领域提供了重要的实验验证
  2. 材料应用：拓展了AlScN材料在高频谐振器中的应用
  3. 设计方法学：建立了此类器件的设计方法学基础

实用价值

  1. 5G应用潜力：为5G和未来通信系统提供了新的谐振器解决方案
  2. 制造可行性：简化的工艺流程有利于商业化生产
  3. 性能权衡：在频率、品质因子和制造复杂度之间找到了良好平衡

适用场景

  1. 高频通信系统：适用于需要GHz频段谐振器的射频前端
  2. 功率处理应用：适合需要良好散热性能的高功率应用
  3. 集成电路：可与现有半导体工艺兼容的谐振器解决方案

结论与展望

主要结论

  1. 成功演示了AlScN-on-SiC混合谐振器中瑞利模式的抑制
  2. 验证了通过层厚度优化实现模式工程的可行性
  3. 建立了此类器件的设计和制造方法学

未来方向

  1. 材料优化：改进超薄AlScN层的沉积质量以提高耦合系数
  2. 器件优化：探索不同的IDT设计以进一步提升性能
  3. 应用拓展：将技术扩展到更高频率和更大功率应用
  4. 可靠性研究：开展长期稳定性和可靠性评估

这项工作为混合SAW/BAW谐振器技术的发展做出了重要贡献，特别是在材料选择、器件设计和制造工艺方面提供了有价值的见解，为未来高性能射频器件的开发奠定了基础。