2025-11-29T15:34:18.748886

Kohn-Sham inversion with mathematical guarantees

Herbst, Bakkestuen, Laestadius
We use an exact Moreau-Yosida regularized formulation to obtain the exchange-correlation potential for periodic systems. We reveal a profound connection between rigorous mathematical principles and efficient numerical implementation, which marks the first computation of a Moreau-Yosida-based inversion for physical systems. We develop a mathematically rigorous inversion algorithm which is demonstrated for representative bulk materials, specifically bulk silicon, gallium arsenide, and potassium chloride. Our inversion algorithm allows the construction of rigorous error bounds that we are able to verify numerically. This unlocks a new pathway to analyze Kohn-Sham inversion methods, which we expect in turn to foster mathematical approaches for developing approximate functionals.
academic

Kohn-Sham inversion with mathematical guarantees

基本信息

  • 论文ID: 2409.04372
  • 标题: Kohn-Sham inversion with mathematical guarantees
  • 作者: Michael F. Herbst (EPFL), Vebjørn H. Bakkestuen (Oslo Metropolitan University), Andre Laestadius (Oslo Metropolitan University & University of Oslo)
  • 分类: physics.chem-ph, math-ph, math.MP, quant-ph
  • 发表时间: 2024年9月(arXiv v3: 2025年5月5日)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2409.04372

摘要

本文使用精确的Moreau-Yosida正则化方法来获取周期系统的交换-相关势(exchange-correlation potential)。研究揭示了严格数学原理与高效数值实现之间的深刻联系,这是首次将基于Moreau-Yosida的反演方法应用于实际物理系统。作者开发了一种数学上严格的反演算法,并在代表性块体材料(体硅、砷化镓和氯化钾)上进行了验证。该算法能够构建严格的误差界限并进行数值验证,为分析Kohn-Sham反演方法开辟了新途径,有望促进近似泛函的数学方法发展。

研究背景与动机

核心问题

密度泛函理论(DFT)是化学、材料科学和固态物理中不可或缺的工具。在Kohn-Sham(KS)形式中,DFT的所有未知量都集中在交换-相关(xc)泛函中,需要进行近似。尽管DFT在原理上是精确的,但KS-DFT在某些物理场景中仍面临挑战,特别是:

  1. 分数电荷问题:难以准确描述涉及分数电子电荷的过程(如解离或电荷转移激发)
  2. 带隙问题:半导体带隙被系统性低估

研究重要性

  1. 理论缺陷:精确的普适密度泛函与常用近似之间缺乏数学理解,使得严格构建新的更好泛函变得困难
  2. 反演问题:KS反演(给定基态密度求精确xc势)远不如正向KS-DFT问题研究充分
  3. 数学联系:早期工作已建立了分数电荷和带隙问题与KS-DFT非可微性之间的深刻联系

现有方法局限

  • 现有KS反演方法(如van Leeuwen-Baerends、Zhao-Morrison-Parr、Wu-Yang等)缺乏严格的数学保证
  • 缺乏鲁棒高效的数值方案
  • 没有严格的误差界限和收敛性分析

研究动机

最近的理论结果49表明,可以通过Moreau-Yosida(MY)正则化形式的数学极限获得xc势。MY正则化处理了精确普适泛函的非可微性问题,这与上述物理问题密切相关。本文首次将这一理论框架应用于实际物理系统。

核心贡献

  1. 首次实现:在实际物理系统上首次实现基于Moreau-Yosida框架的KS反演
  2. 数学严格性:开发了具有严格数学保证的反演算法,建立了精确的反演公式(方程10)
  3. 误差界限:首次为逆KS问题建立严格的误差界限(方程14、16、17),并数值验证
  4. 非扩张性证明:证明了近端映射的(坚实)非扩张性质(方程12)
  5. 实际应用:在三种代表性块体材料(Si、GaAs、KCl)上成功验证算法
  6. 理论-实践桥梁:建立了严格数学理论与实际数值实现之间的联系

方法详解

任务定义

输入:精确的基态密度 ρgs\rho_{gs}(可能来自实验数据、全组态相互作用、耦合簇或量子蒙特卡罗计算)

输出:对应的交换-相关势 vxcv_{xc},使得在辅助非相互作用系统中能够重现该密度

约束:假设密度是非相互作用v-可表示的(即存在某个势使得 ρgs\rho_{gs} 也是非相互作用基态密度)

数学框架

1. 函数空间选择

  • 密度空间D=Hper1(Ω,C)D = H^{-1}_{per}(\Omega, \mathbb{C})(周期Sobolev空间)
  • 势空间V=Hper1(Ω,C)V = H^1_{per}(\Omega, \mathbb{C})(D的对偶空间)
  • 范数定义uHpers2=G(1+G2)su^G2\|u\|^2_{H^s_{per}} = \sum_G (1 + |G|^2)^s |\hat{u}_G|^2 其中G为倒格矢

2. 对偶映射

对偶映射 J:DVJ: D \to V 定义为: J(ρ)={vV:vV2=ρD2=v,ρ}J(\rho) = \{v \in V : \|v\|^2_V = \|\rho\|^2_D = \langle v, \rho \rangle\}

在选定的函数空间下,对偶映射具有显式形式: J[ρ](r)=(Φρ)(r)=R3ρ(r)4πrrerrd3rJ[\rho](r) = (\Phi * \rho)(r) = \int_{\mathbb{R}^3} \frac{\rho(r')}{4\pi|r-r'|} e^{-|r-r'|} d^3r' 其中 Φ(r)=er/(4πr)\Phi(r) = e^{-|r|}/(4\pi|r|) 是Yukawa势,这一形式在数值上易于处理。

3. Moreau-Yosida正则化

引导密度泛函定义为: F(ρ)=T(ρ)+EH(ρ)+Ωvextρ\mathcal{F}(\rho) = T(\rho) + E_H(\rho) + \int_\Omega v_{ext}\rho 其中 T(ρ)T(\rho) 是动能泛函,EH(ρ)E_H(\rho) 是Hartree贡献。

关键优化问题: E(ρ;ρgs)=F(ρ)+12ερρgsD2\mathcal{E}(\rho; \rho_{gs}) = \mathcal{F}(\rho) + \frac{1}{2\varepsilon}\|\rho - \rho_{gs}\|^2_D

最小化该泛函得到近端密度 ρgsε=argminρE(ρ;ρgs)\rho^\varepsilon_{gs} = \arg\min_\rho \mathcal{E}(\rho; \rho_{gs})

4. 反演公式

交换-相关势通过以下极限获得: vxc(r)=limε0+1εR3ρgsε(r)ρgs(r)4πrrerrd3rv_{xc}(r) = \lim_{\varepsilon \to 0^+} \frac{1}{\varepsilon} \int_{\mathbb{R}^3} \frac{\rho^\varepsilon_{gs}(r') - \rho_{gs}(r')}{4\pi|r-r'|} e^{-|r-r'|} d^3r'

这是本文的核心理论结果,提供了从近端密度到xc势的显式计算公式。

模型架构

数值实现策略

  1. 轨道参数化:使用正交归一化轨道 Φ=(ψ1,,ψNb)\Phi = (\psi_1, \ldots, \psi_{N_b}) 参数化密度: ρΦ(r)=2i=1Nbψi(r)2\rho_\Phi(r) = 2\sum_{i=1}^{N_b} |\psi_i(r)|^2
  2. 能量表达式(方程15): E(Φ,ρgs)=i=1NbΩψi2+EH(ρΦ)+ΩvextρΦ+12ερΦρgsD2\mathcal{E}(\Phi, \rho_{gs}) = \sum_{i=1}^{N_b} \int_\Omega |\nabla\psi_i|^2 + E_H(\rho_\Phi) + \int_\Omega v_{ext}\rho_\Phi + \frac{1}{2\varepsilon}\|\rho_\Phi - \rho_{gs}\|^2_D
  3. 优化方法
    • 使用基于BFGS的拟牛顿方案
    • 适应Stiefel流形的几何结构(保持轨道正交性)
    • 停止准则:优化器达到机器精度或 ρgsε\rho^\varepsilon_{gs} 的迭代变化低于0.01ε
  4. ε序列:采用指数递减序列,范围从1到约10710^{-7}

技术创新点

1. 非扩张性证明

证明了近端映射 ρρε\rho \mapsto \rho^\varepsilon 是(坚实)非扩张算子: ρερ~εDρρ~D\|\rho^\varepsilon - \tilde{\rho}^\varepsilon\|_D \leq \|\rho - \tilde{\rho}\|_D

证明思路

  • 利用 1εJ(ρερ)F(ρε)-\frac{1}{\varepsilon}J(\rho^\varepsilon - \rho) \in \partial\mathcal{F}(\rho^\varepsilon)
  • 通过次微分的极大单调性
  • 应用Hölder不等式

2. 误差界限理论

定义比率 Qε(Δρ):=ρgsερ~gsεDΔρD1Q_\varepsilon(\Delta\rho) := \frac{\|\rho^\varepsilon_{gs} - \tilde{\rho}^\varepsilon_{gs}\|_D}{\|\Delta\rho\|_D} \leq 1

主要误差界限(方程14): vxcεv~xcεV1+Qε(Δρ)εΔρD\|v^\varepsilon_{xc} - \tilde{v}^\varepsilon_{xc}\|_V \leq \frac{1 + Q_\varepsilon(\Delta\rho)}{\varepsilon}\|\Delta\rho\|_D

精细界限(方程16): vxcεv~xcε1εJ(Δρ)VQε(Δρ)εΔρD\left\|v^\varepsilon_{xc} - \tilde{v}^\varepsilon_{xc} - \frac{1}{\varepsilon}J(\Delta\rho)\right\|_V \leq \frac{Q_\varepsilon(\Delta\rho)}{\varepsilon}\|\Delta\rho\|_D

引入比率 RεR_\varepsilonSεS_\varepsilon,证明了(方程17): 01Qε(Δρ)Rε(Δρ)1+Qε(Δρ)20 \leq 1 - Q_\varepsilon(\Delta\rho) \leq R_\varepsilon(\Delta\rho) \leq 1 + Q_\varepsilon(\Delta\rho) \leq 2

3. 与传统方法的区别

  • 传统方法:缺乏严格数学保证,通常基于启发式优化
  • 本文方法
    • 基于凸分析和Banach空间理论
    • 提供收敛性保证(ρgsερgs\rho^\varepsilon_{gs} \to \rho_{gs}ε0+\varepsilon \to 0^+
    • 可计算的误差界限
    • 处理泛函的非可微性

实验设置

材料系统

研究了三种代表性块体材料:

  1. 体硅(Si):典型半导体
  2. 砷化镓(GaAs):化合物半导体
  3. 氯化钾(KCl):离子晶体

计算细节

正向计算(参考)

  • xc泛函:PBE泛函
  • 赝势:PBE pseudodojo标准赝势(含非线性核修正)
  • k点间距:最多0.12 Å1^{-1}
  • 动能截断:约为推荐值的2倍(确保高精度)
  • 软件:Density-Functional ToolKit (DFTK)

反演计算

  • 使用相同的赝势近似(包括Kleiman-Bylander非局域势项)
  • ε序列:从1到约10710^{-7}的指数递减序列
  • 优化停止准则:机器精度或 Δρgsε<0.01ε\Delta\rho^\varepsilon_{gs} < 0.01\varepsilon

误差引入方法

为测试误差界限,通过Fourier基截断引入受控扰动 Δρ\Delta\rho

  • 不同的截断能量 EcutE_{cut}(15, 25, 35, 45 Ha)
  • Ecut=45E_{cut} = 45 Ha为无扰动参考
  • 计算相应的 ΔρD\|\Delta\rho\|_D

实验设置说明

作者承认采用了"inverse crime"设置(正向和反演使用相同的模型和离散化基),但强调这是为了:

  1. 验证数学理论的严格性
  2. 直接比较反演得到的密度和势与参考值
  3. 未来工作将使用来自其他高精度方法的参考密度

实验结果

主要结果:精确反演(无噪声)

1. 体硅(图2)

  • 势的恢复:沿晶体高对称路径(O → (001) → O' → (110) → O'' → (111) → O)绘制势
  • 收敛性能
    • ε106\varepsilon \sim 10^{-6}:相对误差低于10%
    • ε\varepsilon 减小一个数量级:误差再降低一个数量级
  • 空间特征:在势的最尖锐特征附近,逐点收敛较慢,相对误差较大

2. 砷化镓(图3)

  • 沿类似路径绘制(从Ga-Ga键之间开始)
  • 与硅相比,在相同ε值下绝对相对误差略大
  • 整体上参考势被准确恢复

3. 氯化钾(图4)

  • 路径从钾(K)原子开始
  • 误差特征与GaAs类似
  • 三种材料均成功恢复参考势

关键发现:在无额外噪声(Δρ=0\Delta\rho = 0)时,算法能够精确恢复所有三种材料的xc势,验证了方法的有效性。

带噪声反演与误差估计

1. 收敛行为(图5)

研究了不同基截断引入的扰动对收敛的影响:

  • 关键观察:只要 ε>ΔρLper2\varepsilon > \|\Delta\rho\|_{L^2_{per}},势的收敛性质不变
  • 对于较小的ε,势开始偏离参考(V-范数)
  • 不同截断能量(15, 25, 35 Ha)对应不同的 ΔρD\|\Delta\rho\|_D

2. 非扩张性验证(图6)

计算比率 Qε(Δρ)=ρgsερ~gsεD/ΔρDQ_\varepsilon(\Delta\rho) = \|\rho^\varepsilon_{gs} - \tilde{\rho}^\varepsilon_{gs}\|_D / \|\Delta\rho\|_D

  • 理论界限0Qε10 \leq Q_\varepsilon \leq 1(由近端映射的非扩张性保证)
  • 数值结果
    • 大ε值:Qε1Q_\varepsilon \ll 1
    • ε0+\varepsilon \to 0^+Qε1Q_\varepsilon \to 1^-
    • 完全符合理论预测

3. 误差界限验证(图7)

比率 SεS_\varepsilon(图7上):

  • 定义:Sε(Δρ):=εvxcεv~xcε1εJ(Δρ)V/ΔρDS_\varepsilon(\Delta\rho) := \varepsilon \|v^\varepsilon_{xc} - \tilde{v}^\varepsilon_{xc} - \frac{1}{\varepsilon}J(\Delta\rho)\|_V / \|\Delta\rho\|_D
  • 理论界限:0SεQε10 \leq S_\varepsilon \leq Q_\varepsilon \leq 1
  • 数值表现:
    • 大ε:SεS_\varepsilon 很小(由于三个几乎为零的量的差异,略微偏离界限)
    • 小ε:与 QεQ_\varepsilon 设定的界限完美吻合
    • ε0+\varepsilon \to 0^+Sε1S_\varepsilon \to 1

比率 RεR_\varepsilon(图7下):

  • 定义:Rε(Δρ):=εvxcεv~xcεV/ΔρDR_\varepsilon(\Delta\rho) := \varepsilon \|v^\varepsilon_{xc} - \tilde{v}^\varepsilon_{xc}\|_V / \|\Delta\rho\|_D
  • 理论界限:1QεRε1+Qε1 - Q_\varepsilon \leq R_\varepsilon \leq 1 + Q_\varepsilon
  • 数值表现:
    • 严格遵守由 QεQ_\varepsilon 设定的界限
    • 紧密跟随下界 Rε1QεR_\varepsilon \geq 1 - Q_\varepsilon
    • 大ε值:Rε1R_\varepsilon \approx 1
    • 小ε:接近下界

数值挑战ε5×106\varepsilon \lesssim 5 \times 10^{-6} 时,问题变得数值上具有挑战性,表现为两个量的趋势中出现小幅振荡。

实验发现总结

  1. 理论验证:数值计算完美符合理论预测的误差界限和非扩张性质
  2. 鲁棒性:算法对密度扰动具有良好的鲁棒性(在 ε>Δρ\varepsilon > \|\Delta\rho\| 范围内)
  3. 普适性指示QεQ_\varepsilon 可能由独立于 Δρ\Delta\rho 的常数估计(但参数依赖于ε和引导泛函)
  4. 实用性:成功应用于三种不同类型的材料系统
  5. 数值精度:在 ε107\varepsilon \sim 10^{-7} 时仍能保持稳定计算

相关工作

KS反演方法发展历程

早期工作(1988-1994)

  • Aryasetiawan & Stott (1988):有效势方法
  • Knorr & Godby (1992):量子蒙特卡罗研究模型半导体
  • Görling (1992):从电子密度确定KS势和波函数
  • van Leeuwen & Baerends (1994):具有正确渐近行为的xc势

优化方法(2002-2007)

  • Wu-Yang (2002, 2003):直接优化方法
  • Zhao-Morrison-Parr (1994):ZMP方法
  • Bulat et al. (2007):有限基组中的优化有效势

近期进展(2013-2024)

  • 软件包开发
    • n2v (Shi, Chávez, Wasserman, 2022)
    • KS-pies (Nam et al., 2021)
  • 固态系统扩展
    • Aouina et al. (2023):固体基态密度的精确KS辅助系统
    • Ravindran et al. (2024):固体中的密度反演局域xc势
  • 理论分析
    • Burke组:密度驱动误差分析
    • Gould (2023):"Lieb-response"方法

数学理论基础

Moreau-Yosida正则化在DFT中的应用

  • Kvaal et al. (2014):可微但精确的DFT形式
  • Laestadius et al. (2018, 2019):Banach空间上的广义KS迭代
  • Penz et al. (2019):有限维正则化KS迭代的保证收敛
  • Penz, Csirik, Laestadius (2023):从MY正则化的密度-势反演(本文的直接理论基础)

本文相对优势

  1. 首次实现:MY框架首次应用于实际物理系统
  2. 严格保证:提供数学上严格的误差界限(前所未有)
  3. 理论-实践结合:将抽象数学理论转化为可计算的数值方案
  4. 通用框架:适用于周期系统,可扩展到更复杂系统
  5. 误差分析:超越现有方法的启发式误差估计

结论与讨论

主要结论

  1. 方法有效性:成功开发并验证了基于MY正则化的严格KS反演算法
  2. 理论贡献
    • 建立了显式反演公式(方程10)
    • 证明了近端映射的非扩张性(方程12)
    • 导出了首个严格误差界限(方程14、16、17)
  3. 数值验证:在三种代表性块体材料上验证了理论预测
  4. 桥梁作用:建立了数学分析、数值方案和物理近似之间的联系

局限性

1. 理论方面

  • 非局域势:当前理论框架尚未包含赝势的非局域效应(虽然数值实现中已使用)
  • 函数空间选择Hper1H^{-1}_{per}Hper1H^1_{per} 的选择虽然合理,但其他选择可能更优

2. 数值方面

  • Inverse crime:正向和反演使用相同模型,未来需要使用独立来源的参考密度
  • ε序列优化:当前使用简单的指数递减序列,可能有更高效的选择
  • 停止准则:0.01ε的启发式准则可进一步优化
  • 计算成本:需要对每个ε值求解优化问题

3. 应用范围

  • 目前限于周期绝缘体系统
  • 仅验证了三种相对简单的材料
  • 系统规模限制在几百个电子

未来方向

短期目标

  1. 参考密度来源:应用于来自mean-field理论(超越半局域DFT)的密度
  2. 非局域势理论:完善理论框架以包含非局域效应
  3. 函数空间优化:探索其他函数空间选择的效果
  4. 近似误差界限:基于 QεQ_\varepsilon 可能为常数的观察,发展更实用的误差估计

长期目标

  1. 泛函开发:利用严格的反演方案辅助开发新的近似泛函
  2. Hohenberg-Kohn映射:深入理解密度-势映射
  3. 量子嵌入:应用于量子嵌入技术
  4. 优化有效势:改进优化有效势方法
  5. 复杂系统:扩展到更大、更复杂的材料系统

深度评价

优点

1. 方法创新性(★★★★★)

  • 理论突破:首次将MY正则化理论成功应用于实际物理系统,填补了理论与实践的鸿沟
  • 数学严格性:提供了KS反演领域前所未有的数学保证
  • 误差界限:首次建立可计算、可验证的严格误差界限
  • 非扩张性利用:巧妙利用凸分析中的非扩张性质建立误差理论

2. 实验充分性(★★★★☆)

  • 多材料验证:在三种不同类型材料(半导体、离子晶体)上验证
  • 系统性测试
    • 精确反演(无噪声)
    • 带噪声反演
    • 误差界限验证
    • 收敛性分析
  • 可视化清晰:通过实空间势图和误差图直观展示结果
  • 定量分析:提供了详细的数值数据和比率分析

改进空间

  • 可增加更多材料类型(如金属、强关联系统)
  • 可与其他反演方法进行定量比较
  • 可提供计算效率分析

3. 结果说服力(★★★★★)

  • 理论-实验一致:数值结果完美符合理论预测
  • 误差界限严格:所有比率都在理论界限内
  • 收敛性明确:清晰展示了 ε0\varepsilon \to 0 的收敛行为
  • 鲁棒性验证:证明了方法对密度扰动的稳定性

4. 写作清晰度(★★★★★)

  • 结构合理:理论→数值实现→实验验证的逻辑清晰
  • 数学表述:严谨但不失可读性,适当使用物理直觉
  • 图表质量:高质量的势图和误差分析图
  • 可重现性:提供完整的开源代码(GitHub)和数据(Zenodo)

不足

1. 方法局限性

  • 计算成本:需要求解一系列ε值的优化问题,可能比传统方法更昂贵
  • ε选择:缺乏自适应选择ε序列的理论指导
  • 函数空间依赖:结果依赖于特定的函数空间选择,其最优性未充分探讨

2. 实验设置

  • Inverse crime:作者承认的限制,需要在未来工作中解决
  • 材料多样性:仅测试了三种相对简单的材料
  • 基准比较:缺少与其他反演方法(如Wu-Yang、ZMP)的直接定量比较

3. 理论完整性

  • 非局域势:理论框架尚未涵盖实际使用的非局域赝势
  • 近似界限:当前误差界限需要计算 QεQ_\varepsilon,在实际应用中可能不可行
  • 最优性:未证明所提方法在某种意义下是最优的

影响力

1. 对领域的贡献(★★★★★)

  • 范式转变:为KS反演引入严格的数学框架,可能改变该领域的研究方式
  • 理论基础:为未来发展更可靠的反演方案奠定坚实基础
  • 误差分析新途径:开辟了密度-势反演问题严格误差估计的新方向
  • 跨学科桥梁:连接了泛函分析、凸优化和量子化学

2. 实用价值(★★★☆☆)

  • 当前阶段:主要是概念验证,直接实用性有限
  • 未来潜力
    • 可能改进泛函开发流程
    • 为量子嵌入提供工具
    • 辅助理解DFT的基础问题(带隙、分数电荷)
  • 计算成本:需要进一步优化才能用于常规计算

3. 可复现性(★★★★★)

  • 开源代码:完整的Julia实现(基于DFTK)
  • 数据公开:原始数据在Zenodo上公开(DOI: 10.5281/zenodo.14894064)
  • 详细文档:方法和参数描述详细
  • 软件生态:基于成熟的DFTK平台,易于扩展

适用场景

理想应用场景

  1. 泛函开发:需要严格误差控制的近似泛函构建
  2. 基准测试:为其他反演方法提供严格的参考标准
  3. 理论研究:探索DFT基础问题(非可微性、v-可表示性)
  4. 方法学研究:开发新的数值反演技术

当前限制场景

  1. 大规模系统:计算成本可能限制应用
  2. 金属系统:当前实现限于绝缘体
  3. 强关联系统:未在这类系统上测试
  4. 实时应用:不适合需要快速反演的场景

未来拓展场景

  1. 量子嵌入:作为嵌入方法的核心组件
  2. 机器学习:为ML泛函提供高质量训练数据
  3. 不确定性量化:利用误差界限进行不确定性分析
  4. 多尺度模拟:在不同精度层次间传递信息

参考文献(关键文献)

理论基础

  1. Penz, Csirik, Laestadius (2023): "Density-potential inversion from Moreau–Yosida regularization", Electron. Struct. 5, 014009 - 本文的直接理论基础
  2. Penz et al. (2019): "Guaranteed convergence of a regularized Kohn-Sham iteration in finite dimensions", Phys. Rev. Lett. 123, 037401
  3. Laestadius et al. (2018): "Generalized Kohn–Sham iteration on Banach spaces", J. Chem. Phys. 149, 164103

DFT基础

  1. Hohenberg & Kohn (1964): "Inhomogeneous electron gas", Phys. Rev. 136, B864
  2. Kohn & Sham (1965): "Self-consistent equations including exchange and correlation effects", Phys. Rev. 140, A1133
  3. Levy (1979): "Universal variational functionals of electron densities", Proc. Natl. Acad. Sci. USA 76, 6062

反演方法

  1. van Leeuwen & Baerends (1994): "Exchange-correlation potential with correct asymptotic behavior", Phys. Rev. A 49, 2421
  2. Wu & Yang (2003): "A direct optimization method for calculating density functionals", J. Chem. Phys. 118, 2498
  3. Shi & Wasserman (2021): "Inverse Kohn–Sham Density Functional Theory: Progress and challenges", J. Phys. Chem. Lett. 12, 5308

数值工具

  1. Herbst, Levitt, Cancès (2021): "DFTK: A Julian approach for simulating electrons in solids", Proceedings of the JuliaCon Conference 3, 69

总体评分

维度评分说明
创新性★★★★★理论突破,首次实现MY反演
严谨性★★★★★数学证明严格,数值验证充分
实用性★★★☆☆概念验证阶段,未来潜力大
可读性★★★★★结构清晰,表述准确
影响力★★★★☆可能改变领域研究范式
综合评价★★★★☆重要的理论进展,为KS反演奠定严格数学基础

推荐阅读人群:DFT理论研究者、量子化学方法学家、计算材料学家、对数值分析和凸优化感兴趣的研究者。