2025-11-13T22:58:11.194510

Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ Nanowire Arrays

Ramachandran, Anand, Eom et al.

A wide family of two dimensional (2D) systems, including stripe-phase superconductors, sliding Luttinger liquids, and anisotropic 2D materials, can be modeled by an array of coupled one-dimensional (1D) electron channels or nanowire arrays. Here we report experiments in arrays of conducting nanowires with gate and field tunable interwire coupling, that are programmed at the LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface. We find a magnetically-tuned metal-to-insulator transition in which the transverse resistance of the nanowire array increases by up to four orders of magnitude. To explain this behavior, we develop a minimal model of a coupled two-wire system which agrees well with observed phenomena. These nanowire arrays can serve as a model systems to understand the origin of exotic behavior in correlated materials via analog quantum simulation.

academic

Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$ Nanowire Arrays

基本信息

论文ID: 2410.01937
标题: Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$ Nanowire Arrays
作者: Ranjani Ramachandran, Shashank Anand, Kitae Eom, Kyoungjun Lee, Dengyu Yang, Muqing Yu, Sayanwita Biswas, Aditi Nethwewala, Chang-Beom Eom, Erica Carlson, Patrick Irvin, Jeremy Levy
分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.str-el, cond-mat.supr-con
发表时间: 2025年1月3日
论文链接: https://arxiv.org/abs/2410.01937

摘要

本研究基于LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$ 界面构建了可编程的耦合纳米线阵列，实现了栅极和磁场可调的线间耦合。研究发现了磁场调控的金属-绝缘体转变现象，其中纳米线阵列的横向电阻可增加多达四个数量级。为解释这一行为，作者开发了耦合双线系统的最小模型，与实验观察高度吻合。这些纳米线阵列可作为模型系统，通过模拟量子仿真来理解关联材料中奇异行为的起源。

研究背景与动机

问题背景

一维系统的理论重要性: 一维电子系统能够展现强相互作用效应，如自旋-电荷分离、电荷分数化和Luttinger液体行为等奇异量子现象。
耦合准一维系统的广泛性: 许多重要的二维系统，包括条纹相超导体、滑动Luttinger液体和各向异性二维材料，都可以建模为耦合一维电子通道阵列。
实验实现的挑战: 可控耦合线系统的实验实现极其有限，这阻碍了对这类重要电子材料家族的深入理解。

研究动机

理论与实验的桥梁: 利用LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$ 界面的可重构特性，构建可控的耦合纳米线系统
模拟量子仿真: 为研究高温超导体、有机准一维导体等复杂材料提供实验平台
基础物理探索: 研究条纹相与超导性的相互作用，验证理论预测

核心贡献

首次实现可编程耦合纳米线阵列: 基于LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$ 界面，利用超低压电子束光刻技术构建了可重构的纳米线阵列系统
发现磁场调控的金属-绝缘体转变: 观察到横向电阻在磁场作用下增加多达四个数量级的巨磁阻效应
建立理论模型: 开发了耦合双线系统的最小模型，成功解释了实验观察到的现象
提供新的研究平台: 为研究条纹相、Luttinger液体和电荷有序相等奇异量子态提供了实验工具

方法详解

实验系统设计

样品制备

异质结构: 在TiO $_2$ 终止的STO(001)衬底上通过脉冲激光沉积生长3.4个单胞的LaAlO $_3$
电极制作: 采用Ar离子铣削和标准光刻技术制作4 nm Ti/20 nm Au界面电极
纳米线定义: 使用100 V加速电压、100 pC/cm线剂量的超低压电子束光刻在室温下定义导电纳米线

器件几何结构

纳米线阵列: 长度l = 38 μm的平行一维导电纳米线
线间距调控: 通过分层曝光技术，从2 μm逐步减小到250 nm
测量配置: 四端子配置分别测量平行(G∥)和垂直(G⊥)于纳米线方向的电导

理论模型

单线波导模型

采用非相互作用电子的波导模型，假设沿纳米线方向(x)的平移不变性：

$H_{wire} = \frac{1}{2m^*}(p_x - eBy)^2 + \frac{p_y^2}{2m^*} + \frac{p_z^2}{2m^*_z} + \frac{1}{2}m^*\omega_y^2y^2 + \frac{1}{2}m^*_z\omega_z^2z^2 - g\mu_BBs$

本征能量为： $E_n(B) = (n_y + 1/2)\hbar\Omega_B + ((2n_z + 1) + 1/2)\hbar\omega_z - g\mu_BBs + \frac{\hbar^2k_x^2\omega_y^2}{2m^*\Omega_B^2}$

其中 $\Omega_B = \sqrt{\omega_y^2 + (eB/m^*)^2}$ 是磁场修正的有效频率。

线间耦合模型

线间隧穿的哈密顿量： $H_{inter} = \frac{1}{2m^*}\left(p_x - eB(y - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2})\right)^2 + \frac{p_y^2}{2m^*} - eV_T\frac{(y-y_0)}{d-y_0} + E_0 - g\mu_BBs$

隧穿阈值条件： $\mu = \frac{1}{2}m^*\omega_c^2\left(d - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2}\right)^2 - \hbar k_x\omega_c\left(d - \frac{p_x\omega_c}{m^*\Omega_B^2}\right) - eV_0 + E_0 - \mu_BgBs$