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On-chip rewritable phase-change metasurface for programmable diffractive deep neural networks

Zarei

Photonic neural networks capable of rapid programming are indispensable to realize many functionalities. Phase change technology can provide nonvolatile programmability in photonic neural networks. Integrating direct laser writing technique with phase change material (PCM) can potentially enable programming and in-memory computing for on-chip photonic neural networks. Sb2Se3 is a newly introduced ultralow-loss phase change material with a large refractive index contrast over the telecommunication transmission band. Compact, low-loss, rewritable, and nonvolatile on-chip phase-change metasurfaces can be created by using direct laser writing on a Sb2Se3 thin film. Here, by cascading multiple layers of on-chip phase-change metasurfaces, an ultra-compact on-chip programmable diffractive deep neural network is demonstrated at the wavelength of 1.55um and benchmarked on two machine learning tasks of pattern recognition and MNIST (Modified National Institute of Standards and Technology) handwritten digits classification and accuracies comparable to the state of the art are achieved. The proposed on-chip programmable diffractive deep neural network is also advantageous in terms of power consumption because of the ultralow-loss of the Sb2Se3 and its nonvolatility which requires no constant power supply to maintain its programmed state.

academic

On-chip rewritable phase-change metasurface for programmable diffractive deep neural networks

基本信息

论文ID: 2411.05723
标题: On-chip rewritable phase-change metasurface for programmable diffractive deep neural networks
作者: Sanaz Zarei (Sharif University of Technology)
分类: physics.optics
发表时间: 2024年11月
论文链接: https://arxiv.org/abs/2411.05723

需求驱动: 光子神经网络需要快速编程能力来实现多种功能，但现有方案缺乏有效的可重配置性
技术挑战: 传统光子神经网络缺乏非易失性可编程能力，需要持续供电维持状态
材料限制: 现有相变材料在通信波段损耗较高，限制了器件性能

研究重要性

光子神经网络具有低功耗、高并行性和光速信号处理的优势，是下一代计算平台的候选
可编程性是实现多功能光子神经网络的关键技术
片上集成是实现实用化光子计算的必要条件

现有方法局限性

传统光子神经网络结构固定，缺乏灵活性
现有可重配置方案需要持续供电，功耗较高
相变材料在通信波段通常具有较高损耗

核心贡献

首次提出基于Sb2Se3相变材料的片上可重写超表面技术用于衍射深度神经网络
实现了超紧凑(30μm×40μm)的片上可编程衍射深度神经网络
验证了在模式识别任务上100%准确率，MNIST数字分类任务上91.86%准确率
提供了非易失性、低功耗的光子神经网络解决方案
建立了直接激光写入与相变材料结合的快速重编程方法

材料选择: 使用Sb2Se3作为相变材料，具有超低损耗和大折射率对比度
结构设计: 在结晶态Sb2Se3(cSb2Se3)薄膜中构建非晶态Sb2Se3(aSb2Se3)棒阵列
几何参数: 晶格常数500nm，Sb2Se3膜厚30nm，SiO2保护层200nm
可调参数: 通过调节aSb2Se3棒的长度和宽度控制透射相位和幅度

网络架构

输入层 → 相变超表面1 → 相变超表面2 → ... → 相变超表面N → 输出层

隐藏层: 每层为一个相变超表面，包含多个元原子(神经元)
连接方式: 通过光的衍射和干涉实现层间连接
输出层: 多个线性排列的探测区域

技术创新点

材料创新:
- 采用Sb2Se3相变材料，在通信波段具有超低损耗
- 大折射率对比度(非晶态vs结晶态)提供强调制能力
制备工艺:
- 直接激光写入技术实现一步制备和重编程
- 无需额外制造工艺，可本地纠错和调整
设计优化:
- 棒长度作为可学习参数，实现π/2以上相位调制
- 透射幅度接近1，保持高效率
非易失性:
- 相变状态稳定，无需持续供电维持编程状态

实验设置

数据集

模式识别任务:
- 英文字母X、Y、Z的10×6像素二值图像
- 通过随机单像素和双像素翻转生成5490张图像
- 训练集4590张，测试集900张
MNIST数字分类:
- MNIST数据库中0、1、2手写数字
- 训练集18623张，测试集3147张
- 28×28像素灰度图像下采样至14×14像素