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Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study

Kumar, Chaudhary, Chandra
Spin gapless semiconductors (SGSs), novel quantum materials, are notable for their tunable spin-transport properties. Considering that the SGS materials might have an invariably deformed lattice upon integration into devices, and given that the SGS nature is highly sensitive to external factors, the impact of lattice distortions on the different physical properties of CoFeCrGa SGS alloy has been investigated using density functional theory calculations. For lattice distortions, the uniform strain corresponding to $-6\% \leq ΔV / V_0 \leq 6\% \quad (a: 5.60\text{-}5.83~\textÅ)$, and the tetragonal distortion corresponding to $0.8 \leq c/a \leq 1.2 \quad (a: 5.38\text{-}6.16~\textÅ,~c: 4.92\text{-}6.45~\textÅ)$ are modelled. All uniformly strained CoFeCrGa structures are found to display SGS character, magnetic isotropy, small anomalous Hall conductivity (AHC), and small spin Hall conductivity (SHC) - closely resembling those of the ideal CoFeCrGa structure. In contrast, the tetragonally deformed structures display nearly half-metallic behavior with very high spin polarization, very large magnetic anisotropy ($ \sim 10^6~\mathrm{J/m^3}$), and very large AHC ranging from ($ -215 \text{ to } 250~\mathrm{S/cm} $) depending on the axial ratio of the distorted structure. The SHC, however, does not change significantly under tetragonal distortion and remains nearly of the same order as that of the Y-I ordered structure. In summary, these findings demonstrate that CoFeCrGa displays favorable spintronic properties even under lattice distortions, underscoring its potential for next-generation spintronic applications.
academic

Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study

基本信息

  • 论文ID: 2411.06520
  • 标题: Effect of the Lattice-distortion on the Electronic Structure, Magnetic Anisotropy, and Hall Conductivities of the CoFeCrGa Spin Gapless Semiconductor: A First-Principles Study
  • 作者: Amar Kumar (IIT Delhi), Sujeet Chaudhary (IIT Delhi), Sharat Chandra (IGCAR)
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
  • 发表时间: 2024年11月
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2411.06520

摘要

本研究通过密度泛函理论(DFT)计算系统地研究了晶格畸变对CoFeCrGa自旋无能隙半导体(SGS)电子结构、磁各向异性和霍尔电导率的影响。研究考虑了均匀应变(-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%)和四方畸变(0.8 ≤ c/a ≤ 1.2)两种晶格畸变模式。结果表明，均匀应变下的CoFeCrGa结构保持SGS特性、磁各向同性以及较小的异常霍尔电导率(AHC)和自旋霍尔电导率(SHC)。相比之下，四方畸变结构显示出近似半金属行为，具有极高的自旋极化率、巨大的磁各向异性(~10⁶ J/m³)和显著增强的AHC(-215至250 S/cm)。

研究背景与动机

问题背景

  1. 自旋电子学材料需求: 现代自旋电子学器件需要具有高自旋极化率、高居里温度、大磁各向异性和大霍尔电导率的磁性材料。
  2. 现有材料局限性:
    • CoFeB合金在与隧道势垒界面处垂直磁各向异性较弱
    • 四方Heusler合金隧穿磁阻较低
    • 钙钛矿材料薄膜形式下结构不稳定
    • 立方Heusler合金实验自旋极化率低且磁各向同性
  3. SGS材料优势:
    • 比磁性半导体具有更高的居里温度
    • 可同时提供100%自旋极化的电子和空穴载流子
    • 低激发能量实现高效能传输
    • 载流子扩散长度长，实现高效自旋传输

研究动机

CoFeCrGa作为新发现的四元Heusler合金SGS材料，具有高居里温度(>600 K)和磁矩(~2.0 μB/f.u.)，但其在器件集成时不可避免地会发生晶格畸变，而SGS性质对外部因素高度敏感。因此，系统研究晶格畸变对其物理性质的影响对器件设计至关重要。

核心贡献

  1. 系统性研究框架: 首次全面研究了均匀应变和四方畸变对CoFeCrGa SGS合金多种物理性质的影响
  2. 交换关联泛函验证: 通过对比GGA和GGA+U方法，确定GGA更适合研究CoFeCrGa的物理性质
  3. 电子结构稳定性发现: 证明了CoFeCrGa的SGS特性在均匀应变下具有鲁棒性，但在四方畸变下会转变为半金属性质
  4. 磁各向异性调控机制: 揭示了四方畸变诱导的巨大磁各向异性(~10⁶ J/m³)及其双极性特征
  5. 霍尔输运性质调控: 发现四方畸变可显著增强异常霍尔电导率，为自旋电子学应用提供了新的调控手段

方法详解

计算方法

本研究采用基于平面波赝势的密度泛函理论(DFT)计算，使用QUANTUM ESPRESSO软件包。

技术参数

  • 交换关联泛函: 广义梯度近似(GGA) - PBE参数化
  • 能量截断: 350 Ry
  • k点网格: 15×15×15 (Y-I有序16原子立方单胞)
  • 收敛标准:
    • 原子力 < 10⁻³ Ry/Bohr
    • 总能量变化 < 10⁻⁶ Ry

晶格畸变建模

均匀应变

  • 应变范围: -6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%
  • 晶格参数: 5.60-5.83 Å
  • 物理意义: 模拟器件集成时的等向应力效应

四方畸变

  • 轴比范围: 0.8 ≤ c/a ≤ 1.2
  • 体积约束: 保持优化立方相体积V₀不变
  • 晶格参数: a = 5.38-6.16 Å, c = 4.92-6.45 Å

物理性质计算

磁晶各向异性能(MCA)

采用磁力定理计算：

MCA = E_band[100] - E_band[001]
K_MCA = MCA/V

磁形状各向异性(MSA)

通过直接求和法计算偶极-偶极相互作用：

MSA = E_dip[100] - E_dip[001]

霍尔电导率

使用最大局域化Wannier函数(MLWF)和Kubo公式计算异常霍尔电导率(AHC)和自旋霍尔电导率(SHC)。

实验结果

交换关联泛函验证

方法晶格参数(Å)磁矩(μB/f.u.)SGS特性自旋极化率
GGA5.722.00是92.33%
GGA+U6.489.33否33.14%
实验值5.792.01是-

GGA方法的计算结果与实验值高度吻合，因此选择GGA作为后续计算的交换关联泛函。

均匀应变效应

电子结构稳定性

  • SGS特性保持: 所有均匀应变结构(-6% ≤ ΔV/V₀ ≤ 6%)均保持SGS特性
  • 磁矩稳定: 总磁矩保持在2.00 μB/f.u.
  • 自旋极化: 负应变下100%，正应变(1-5%)下50%，最大正应变(6%)下回升至~100%

相对形成能

均匀应变结构的相对形成能很小(≲ 0.1 eV/f.u.)，表明这些结构在实验中容易形成。

四方畸变效应

电子结构转变

  • SGS→半金属转变: 即使小的四方畸变也会破坏SGS特性
  • 高自旋极化: 小畸变结构(0.90 ≤ c/a ≤ 1.10)显示~90%自旋极化
  • 金属性增强: 大畸变(|Δc/a| ≥ 0.10)导致金属性质占主导

磁各向异性

四方畸变诱导巨大的磁晶各向异性：

  • 压缩结构(c/a < 1.0): 面内磁各向异性，MCA = -0.17至-2.07×10⁶ J/m³
  • 拉伸结构(c/a > 1.0): 垂直磁各向异性，MCA = 0.10至1.64×10⁶ J/m³
  • 双极性特征: MCA随轴比呈现明确的双极性变化

霍尔电导率调控

  • AHC显著增强: 四方畸变下AHC范围为-215至250 S/cm，远高于立方结构的-30 S/cm
  • SHC保持稳定: 在四方畸变下SHC变化不大，维持在与Y-I有序结构相当的水平

原子和轨道贡献分析

  • MCA主要贡献: 过渡金属d轨道和Ga的p轨道
  • 轨道特异性: 不同畸变结构中特定轨道(如Co-d_z², Fe-d_xy等)对MCA贡献显著
  • 电子重分布: 费米能级附近电子态重分布是MCA变化的微观机制

相关工作

SGS材料研究现状

  • 理论预测: 过去十年中通过第一性原理计算预测了众多SGS材料
  • 实验验证: 多种SGS材料已被实验证实，包括Cr₃Al、V₃Al、FeMnGa等
  • 四元优势: 四元Heusler合金SGS比二元或三元具有更高的可调性

CoFeCrGa研究历史

  • 首次预测: Gao等人首次理论预测
  • 实验验证: Bainsla等人首次实验制备并确认SGS特性
  • 薄膜稳定性: Mishra等人证明其在薄膜形式下仍保持SGS特性

晶格畸变研究

现有研究主要集中在其他Heusler合金的畸变效应，对CoFeCrGa的系统性研究尚属首次。

结论与讨论

主要结论

  1. 应变稳定性: CoFeCrGa的SGS特性在均匀应变下具有良好的鲁棒性，这对实际器件应用非常有利
  2. 畸变调控: 四方畸变可以将SGS转变为半金属，并诱导巨大的磁各向异性和增强的霍尔电导率
  3. 双极性磁各向异性: 通过控制c/a比值可以实现面内或垂直磁各向异性的精确调控
  4. 器件设计指导: 研究为基于CoFeCrGa的自旋电子学器件设计提供了重要的理论指导

实际应用前景

器件集成策略

  • GaAs衬底: 可诱导垂直磁各向异性(PMA)
  • MgO衬底: 可诱导面内磁各向异性(IMA)
  • 应变工程: 通过控制生长条件实现所需的磁性取向

性能优势

  • 高热稳定性: 巨大的磁各向异性确保器件的高热稳定性
  • 高存储密度: 垂直磁各向异性有利于实现高密度数据存储
  • 低功耗: SGS特性有利于实现低功耗自旋传输

局限性

  1. 计算精度: DFT计算存在固有的近似性，实际值可能与计算值有偏差
  2. 温度效应: 研究仅考虑0K下的性质，未涉及有限温度效应
  3. 界面效应: 未考虑实际器件中的界面效应和缺陷影响
  4. 动力学稳定性: 未进行声子计算验证畸变结构的动力学稳定性

未来方向

  1. 实验验证: 需要实验研究验证理论预测的畸变效应
  2. 界面工程: 研究CoFeCrGa与不同材料的界面性质
  3. 缺陷效应: 考虑点缺陷对SGS性质的影响
  4. 器件模拟: 基于材料性质进行器件级别的性能模拟

深度评价

优点

  1. 研究全面性: 系统地研究了两种主要畸变模式对多种物理性质的影响，研究内容全面且深入
  2. 方法严谨性:
    • 首先验证了计算方法的可靠性
    • 采用了合适的收敛性检验
    • 物理模型设置合理
  3. 结果可信度:
    • 计算结果与已有实验数据高度吻合
    • 物理机制解释清晰合理
    • 数值结果具有统计学意义
  4. 实用价值: 为CoFeCrGa基自旋电子学器件的设计提供了重要的理论指导
  5. 技术创新:
    • 首次系统研究CoFeCrGa的畸变效应
    • 揭示了畸变诱导的磁各向异性调控机制
    • 发现了霍尔电导率的可调性

不足

  1. 理论局限:
    • 仅考虑了共线磁性，未包含非共线磁结构
    • 0K计算，缺乏有限温度效应
    • 未考虑磁子-声子耦合效应
  2. 实验缺失:
    • 缺乏实验验证，特别是畸变结构的实际制备
    • 未提供与其他SGS材料的对比实验
  3. 应用局限:
    • 未考虑实际器件中的界面效应
    • 缺乏器件级别的性能评估
    • 未讨论制备工艺的可行性
  4. 计算细节:
    • MSA计算采用直接求和法可能存在精度问题
    • 未进行声子计算验证动力学稳定性

影响力评估

  1. 学术贡献:
    • 为SGS材料的应变工程提供了重要理论基础
    • 丰富了Heusler合金的磁性调控理论
    • 为自旋电子学材料设计提供了新思路
  2. 实用价值:
    • 指导CoFeCrGa基器件的设计和制备
    • 为新型自旋电子学器件开发提供材料基础
    • 有助于实现高性能磁存储器件
  3. 可复现性:
    • 计算方法和参数描述详细
    • 使用的软件包为开源软件
    • 结果具有良好的可重复性

适用场景

  1. 磁存储器件: 利用可调的磁各向异性实现高密度、低功耗存储
  2. 自旋逻辑器件: 利用SGS特性实现高效自旋传输和操控
  3. 磁传感器: 利用增强的霍尔效应实现高灵敏度磁场检测
  4. 太赫兹发射器: 利用大的异常霍尔电导率实现太赫兹波发射

参考文献

本文引用了75篇相关文献，涵盖了SGS材料、Heusler合金、磁各向异性和霍尔效应等多个研究领域的重要工作，为研究提供了坚实的理论基础。

总体评价: 这是一篇高质量的理论研究论文，系统地揭示了晶格畸变对CoFeCrGa SGS材料性质的影响机制，为相关器件的设计和应用提供了重要的理论指导。研究方法严谨，结果可信，具有重要的学术价值和应用前景。