We propose to design atomtronic circuits with Bose-Einstein condensates (BECs) in circuit-like traps that are controlled via mobile barriers. Using classical-field simulations, we demonstrate a universal set of logical gates and show how to assemble them into circuits. We first demonstrate an AND gate based on a T-shaped BEC, utilizing a combination of mobile and static barriers. The mobile barriers provide the logical input of the gate, while the static barrier functions as a Josephson junction that generates the AND output of the gate via a density imbalance across the barrier. Next we show how to combine three AND gates into a circuit, with a design composed of two T-shapes and an H-shape. Furthermore, we demonstrate how to use Josephson oscillations to create a NOT gate and combine it with an AND gate, thereby showcasing a universal set of gates and their assembly into circuits.
论文ID : 2411.13642标题 : Designing Atomtronic Circuits via Superfluid Dynamics作者 : Sarah Jährling, Vijay Pal Singh, Ludwig Mathey分类 : cond-mat.quant-gas quant-ph发表时间 : 2024年11月22日论文链接 : https://arxiv.org/abs/2411.13642 本文提出了一种利用玻色-爱因斯坦凝聚体(BEC)在电路状陷阱中设计原子电子学电路的方法,通过移动势垒进行控制。使用经典场模拟,作者演示了通用逻辑门集合及其组装成电路的方法。首先展示了基于T形BEC的AND门,利用移动和静态势垒的组合实现。移动势垒提供门的逻辑输入,静态势垒作为约瑟夫森结,通过势垒两侧的密度不平衡产生AND门的输出。接着展示了如何将三个AND门组合成电路,设计包含两个T形和一个H形结构。此外,还演示了如何利用约瑟夫森振荡创建NOT门并与AND门结合,从而展示了通用门集合及其电路组装。
本研究旨在解决如何利用超冷原子系统构建原子电子学(atomtronics)逻辑电路的问题。原子电子学是一个新兴技术领域,利用冷原子技术的成就来模拟电子电路。
技术优势 :BEC由于其对退相干和耗散效应的低敏感性,特别适合研究超冷量子系统中的超流体现象应用前景 :原子电子学电路可以作为量子技术的基础构件,为量子计算和量子信息处理提供新的平台基础科学价值 :为理解超流体动力学和约瑟夫森效应提供了新的实验平台现有研究主要集中在单个约瑟夫森结的实现 缺乏系统性的方法来构建复杂的逻辑电路 通用逻辑门集合的实现尚未完全建立 构建一个完整的原子电子学框架,能够实现通用逻辑门并将其组装成复杂电路,为未来的量子技术应用奠定基础。
提出了基于T形BEC的两输入AND门设计 ,利用移动势垒作为输入,静态势垒作为约瑟夫森结输出构建了四输入AND门电路 ,通过H形配置连接两个T形结构实现了NOT门 ,利用约瑟夫森振荡的相位控制机制展示了通用逻辑门集合 ,通过AND门和NOT门的组合实现NAND门提供了完整的电路组装方法论 ,为复杂原子电子学电路的设计提供了理论基础设计和实现基于BEC的逻辑门电路,输入为移动势垒的速度控制,输出为静态势垒处的密度不平衡。约束条件包括临界电流行为和约瑟夫森结动力学。
系统由哈密顿量描述:
H ^ 0 = ∫ d r [ ℏ 2 2 m ∇ ψ † ( r ) ∇ ψ ( r ) + g 2 ψ † ( r ) ψ † ( r ) ψ ( r ) ψ ( r ) ] \hat{H}_0 = \int dr \left[ \frac{\hbar^2}{2m}\nabla\psi^\dagger(r)\nabla\psi(r) + \frac{g}{2}\psi^\dagger(r)\psi^\dagger(r)\psi(r)\psi(r) \right] H ^ 0 = ∫ d r [ 2 m ℏ 2 ∇ ψ † ( r ) ∇ ψ ( r ) + 2 g ψ † ( r ) ψ † ( r ) ψ ( r ) ψ ( r ) ]
其中相互作用强度 g = 8 π a s ℏ 2 / ( l z m ) g = \sqrt{8\pi a_s}\hbar^2/(l_z m) g = 8 π a s ℏ 2 / ( l z m ) ,a s a_s a s 为s波散射长度。
采用截断Wigner近似下的经典场方法,将连续哈密顿量映射到离散的Bose-Hubbard模型:
i ℏ ∂ t ψ j = − J ∑ i ( j ) ψ i ( j ) + V e x t ( r j , t ) ψ j + U ∣ ψ j ∣ 2 ψ j i\hbar\partial_t\psi_j = -J\sum_{i(j)}\psi_{i(j)} + V_{ext}(r_j,t)\psi_j + U|\psi_j|^2\psi_j i ℏ ∂ t ψ j = − J ∑ i ( j ) ψ i ( j ) + V e x t ( r j , t ) ψ j + U ∣ ψ j ∣ 2 ψ j
其中隧穿能量J = ℏ 2 / ( 2 m l 2 ) J = \hbar^2/(2ml^2) J = ℏ 2 / ( 2 m l 2 ) ,在位相互作用U = g / l 2 U = g/l^2 U = g / l 2 。
静态势垒 :V s ( r , t ) = V 0 , s ( t ) exp ( − 2 ( r − r 0 , s ) 2 σ s 2 ) V_s(r,t) = V_{0,s}(t)\exp\left(-\frac{2(r-r_{0,s})^2}{\sigma_s^2}\right) V s ( r , t ) = V 0 , s ( t ) exp ( − σ s 2 2 ( r − r 0 , s ) 2 ) 移动势垒 :V m ( r , t ) = V 0 , m ( t ) exp ( − 2 ( r − r 0 , m − v t ) 2 σ m 2 ) V_m(r,t) = V_{0,m}(t)\exp\left(-\frac{2(r-r_{0,m}-vt)^2}{\sigma_m^2}\right) V m ( r , t ) = V 0 , m ( t ) exp ( − σ m 2 2 ( r − r 0 , m − v t ) 2 ) 临界电流设计 :选择移动势垒速度v 0 < v c v_0 < v_c v 0 < v c ,使单个势垒移动产生的电流低于临界电流超临界响应 :两个势垒同时移动时,总电流超过临界电流,产生密度不平衡输出量化 :通过密度不平衡z ( t ) = n l e f t ( t ) − n r i g h t ( t ) n z(t) = \frac{n_{left}(t) - n_{right}(t)}{n} z ( t ) = n n l e f t ( t ) − n r i g h t ( t ) 量化逻辑输出利用约瑟夫森振荡的四分之一周期,通过相位印记ϕ 0 = 0.25 π \phi_0 = 0.25\pi ϕ 0 = 0.25 π 实现密度不平衡的翻转。
材料 :6 L i 2 ^6Li_2 6 L i 2 分子相互作用参数 :g ~ = 0.1 \tilde{g} = 0.1 g ~ = 0.1 2D密度 :n ≈ 2.3 μ m − 2 n \approx 2.3\mu m^{-2} n ≈ 2.3 μ m − 2 温度 :T / T 0 = 0.1 T/T_0 = 0.1 T / T 0 = 0.1 离散化长度 :l = 0.5 μ m l = 0.5\mu m l = 0.5 μ m 移动势垒 :V ~ 0 , m = 3 \tilde{V}_{0,m} = 3 V ~ 0 , m = 3 ,σ ~ m = 8 \tilde{\sigma}_m = 8 σ ~ m = 8 ,v 0 = 0.1 v_0 = 0.1 v 0 = 0.1 mm/s静态势垒 :V ~ 0 , s = 2.5 \tilde{V}_{0,s} = 2.5 V ~ 0 , s = 2.5 ,σ ~ s = 3 \tilde{\sigma}_s = 3 σ ~ s = 3 系统尺寸 :L x × L y = 200 × 120 μ m 2 L_x \times L_y = 200 \times 120\mu m^2 L x × L y = 200 × 120 μ m 2 (AND门)势垒建立 :150 ms线性上升系统平衡 :50 ms等待时间势垒移动 :以恒定速度移动500 ms密度分析 :在指定区域计算密度不平衡双输入激活 :z ( t ) > 0.2 z(t) > 0.2 z ( t ) > 0.2 ,显著密度不平衡单输入激活 :z ( t ) ≈ 0 z(t) \approx 0 z ( t ) ≈ 0 ,无显著不平衡无输入 :z ( t ) = 0 z(t) = 0 z ( t ) = 0 ,系统保持平衡通过H形配置成功实现:
全输入激活 :z ( t ) ≈ 0.14 z(t) \approx 0.14 z ( t ) ≈ 0.14 其他15种组合 :z ( t ) < 0.05 z(t) < 0.05 z ( t ) < 0.05 ,接近零输入0 → 输出1 :约瑟夫森振荡第一个四分之一周期输入1 → 输出0 :约瑟夫森振荡第二个四分之一周期成功组合AND门和NOT门,实现完整的NAND门功能,证明了通用逻辑门集合的可行性。
本研究建立在原子约瑟夫森结25-28 、原子SQUID29-34 和Shapiro台阶35-37 等先前工作基础上。
与超导电路元件18-22 的类比为原子电子学提供了理论框架。
采用的经典场方法38-40 能够捕捉超越平均场近似的动力学行为。
成功演示了基于BEC的完整逻辑门集合 建立了原子电子学电路的设计方法论 证明了约瑟夫森结在逻辑操作中的关键作用 为复杂量子电路的构建提供了可扩展的框架 经典场近似 :未考虑完全的量子涨落效应温度限制 :需要极低温度维持BEC状态时间尺度 :操作时间相对较长(数百毫秒)实验复杂性 :需要精确的势垒控制和时序量子效应 :包含完整量子涨落的理论描述速度优化 :提高逻辑操作的速度三维扩展 :从2D系统扩展到3D实现实验验证 :在真实冷原子系统中的实验实现理论完整性 :提供了从基本原理到复杂电路的完整理论框架方法创新性 :巧妙地利用临界电流行为实现逻辑操作系统性设计 :从单门到电路的系统性构建方法通用性 :实现了图灵完备的逻辑门集合实验验证缺失 :仅有理论和数值模拟,缺乏实验验证噪声分析不足 :未充分考虑实际系统中的噪声和不完美性可扩展性问题 :大规模电路的实现可行性需要进一步验证学术价值 :为原子电子学领域提供了重要的理论基础技术前景 :为量子计算和量子信息处理开辟新的技术路线跨学科意义 :连接了冷原子物理和量子电子学量子模拟 :模拟复杂量子多体系统量子计算 :作为量子计算的硬件平台基础研究 :研究超流体动力学和约瑟夫森效应本文引用了48篇重要文献,涵盖了原子电子学、超流体物理、约瑟夫森效应和数值模拟方法等关键领域的最新进展。