Emergence of half-metallic ferromagnetism and valley polarization in transition metal substituted WSTe monolayer

基本信息

• 论文ID: 2412.10819
• 标题: Emergence of half-metallic ferromagnetism and valley polarization in transition metal substituted WSTe monolayer
• 作者: Shivani Kumawat, Chandan Kumar Vishwakarma, Mohd Zeeshan, Indranil Mal, Sunil Kumar, B. K. Mani
• 单位: Indian Institute of Technology Delhi, University of California Santa Barbara
• 分类: cond-mat.mtrl-sci, cond-mat.mes-hall
• 提交时间: 2024年12月14日
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2412.10819

摘要

本文通过第一性原理计算研究了过渡金属(Fe、Mn、Co)掺杂对二维Janus材料WSTe单层的电子、自旋和谷电子学性质的影响。研究发现原始WSTe表现出本征的Rashba和Zeeman型自旋劈裂，Rashba参数约为422 meVÅ。过渡金属掺杂后，特定浓度(Fe的6.25%和18.75%、Mn的25%、Co的18.75%和25%)的结构呈现半金属铁磁性，实现100%自旋极化。谷极化值分别达到65、54.4和46.3 meV(对应6.25%的Fe、Mn和Co)。研究还揭示了应变工程对这些性质的可调控性，为自旋电子学和谷电子学器件应用提供了理论基础。

研究背景与动机

研究问题

二维Janus材料(如WSTe)因其独特的晶格结构和对称性破缺特性在自旋电子学和谷电子学领域具有重要应用潜力。然而，这类材料的主要局限在于其本征非磁性特性，限制了其在多功能器件中的应用。

问题重要性

1. 自旋电子学需求：自旋极化材料是实现低功耗、高速度自旋电子器件的关键，相比传统电子器件具有更快速度、超低热耗散和非易失性等优势
2. 谷电子学前景：谷自由度作为新的量子自由度，可实现光学圆二色性、谷霍尔效应和自旋-谷锁定等现象
3. 实验验证：已有实验证实室温铁磁性可在过渡金属掺杂的二维材料中实现(如Fe-MoS₂、V-WSe₂等)

现有方法局限

1. Janus-TMDCs材料通常为非磁性，限制了自旋电子学应用
2. 对WSTe的过渡金属掺杂效应研究存在空白
3. 缺乏对谷极化可调控性的系统研究

研究动机

选择WSTe作为研究对象基于以下考虑：

• 其母体化合物WTe₂在Co掺杂后显示巨大谷极化
• Janus结构固有的面外镜像对称性破缺提供额外自由度
• 强自旋轨道耦合效应有利于产生Rashba劈裂和谷极化

核心贡献

1. 系统研究了过渡金属掺杂WSTe的多功能特性：全面探讨了Fe、Mn、Co掺杂对电子结构、磁性、自旋劈裂和谷极化的影响
2. 预测了半金属铁磁态的出现：发现特定掺杂浓度下实现100%自旋极化，为自旋电子器件提供理想材料平台
3. 揭示了应变可调控的谷极化：首次系统研究了单轴和双轴应变对WSTe谷极化的调控机制，最大谷极化可达112 meV
4. 建立了结构-性质关联：阐明了磁性起源、自旋劈裂机制和谷极化的微观物理图像
5. 提供了定量设计参数：给出了Rashba参数(422 meVÅ)、Zeeman劈裂(403 meV)等关键参数，为实验研究提供指导

方法详解

计算方法论

本研究采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，使用Vienna Ab initio Simulation Package (VASP)软件包。

核心计算设置

1. 交换关联泛函：采用广义梯度近似(GGA)的Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE)赝势
2. 平面波截断能：500 eV
3. k点网格：13×13×1的Γ中心网格
4. 收敛标准：能量收敛10⁻⁶ eV，力收敛10⁻⁴ eV/Å
5. 真空层厚度：12 Å(避免层间相互作用)

强关联电子处理

对Fe/Mn/Co的d电子强关联效应，采用旋转不变的DFT+U方法(Dudarev方案)：

• 通过密度泛函微扰理论(DFPT)自洽计算Hubbard U参数
• 计算得到的U值：Fe (4.4 eV)、Mn (4.6 eV)、Co (5.3 eV)
• 这些值与文献报道(4.6, 4.0, 5.0 eV)基本一致

自旋轨道耦合

为探究Rashba劈裂、Zeeman自旋劈裂和谷极化，在计算中包含相对论效应(SOC)。

结构建模

• 使用4×4×1超胞模拟过渡金属替位掺杂
• 掺杂浓度：6.25%、12.5%、18.75%、25%
• TM原子替换W原子位置

关键物理量计算

Rashba参数

通过以下关系式计算： $\alpha_R = \frac{2E_R}{k_R}$ 其中$E_R$是能量差，$k_R$是动量偏移

谷极化

定义为K和K'谷的能量差： $\Delta_{KK'} = |E_{K'} - E_K|$

自旋极化

通过态密度在费米能级处的自旋不对称性确定

磁性基态

比较铁磁(FM)和反铁磁(AFM)构型的相对能量： $\Delta E = E_{FM} - E_{AFM}$

技术创新点

1. 系统的应变工程研究：首次系统考察单轴和双轴应变(±3%)对WSTe的Rashba参数、Zeeman劈裂和谷极化的影响
2. 多浓度对比分析：通过四个不同掺杂浓度的对比，揭示了浓度依赖的相变行为(半导体-半金属转变)
3. 自旋织构分析：在kₓ-kᵧ平面计算自旋织构，直观展示Rashba效应的物理本质
4. 微观机制阐释：通过轨道分辨态密度和自旋电荷密度分析，建立了宏观性质与微观电子结构的关联

实验设置

结构参数

• 原始WSTe：
  • 晶格常数：3.31 Å(本工作)，与文献值3.35-3.36 Å吻合
  • W-S键长(L₁)：2.429 Å
  • W-Te键长(L₂)：2.718 Å
  • 键角θ：83.11°
• TM掺杂后的结构变化：
  • 晶格常数基本不变
  • 键长缩短(L₁和L₂均减小)，表明更强的共价相互作用
  • 例如Fe-WSTe：L₁=2.282 Å, L₂=2.623 Å

稳定性验证

通过结合能计算验证结构稳定性：

• 所有TM-WSTe结构的结合能均为负值
• 表明相对稳定的掺杂构型
• Fe-WSTe结合能范围：-37.22 至 -49.43 eV

磁性构型

• 考察铁磁(FM)和反铁磁(AFM)两种磁序
• 通过能量比较确定基态磁构型
• 大多数情况下FM为基态(除25% Co-WSTe)

计算收敛性

• k点网格收敛性测试
• 真空层厚度测试(12 Å足以消除层间作用)
• 截断能收敛性验证

实验结果

原始WSTe的电子结构

基本电子性质

1. 带隙特征：
   • 无SOC：间接带隙1.35 eV(价带顶在Γ点，导带底在Γ-K之间)
   • 含SOC：带隙减小至1.21 eV
   • 与文献值吻合良好
2. 轨道贡献：
   • 价带和导带边缘主要由W的5d轨道主导
   • S的3p和Te的5p轨道有次要贡献
   • 自旋上下态对称，确认非磁性特征

Rashba自旋劈裂

物理起源：面内反演对称破缺+垂直于材料平面的内建电场(由S和Te电负性差异产生)

定量结果：

• Γ-K方向：αᴿ = 422 meVÅ, Eᴿ = 18 meV, kᴿ = 0.043 Å⁻¹
• Γ-M方向：αᴿ = 356 meVÅ
• 与文献值(322-324 meVÅ)一致

自旋织构：

• 在Γ点附近VBM的kₓ-kᵧ平面展现典型的面内自旋极化
• 垂直分量几乎为零
• 呈现涡旋状自旋排列

Zeeman型自旋劈裂

• 价带K/K'谷：403 meV(与文献426 meV一致)
• 导带：仅37 meV(与文献29 meV一致)
• 价导带差异源于不同轨道贡献(VBM: dₓᵧ和dₓ²₋ᵧ²；CBM: d_z²)

应变调控效应

带隙演化

• 压缩应变：带隙缓慢增加
• 拉伸应变：带隙减小
• 双轴应变效果比单轴更显著

Rashba参数调控

单轴应变(-3%到+3%)：

• 压缩应变：αᴿ增强
  • Γ-K方向：+1.64% (3%压缩)
  • Γ-M方向：+2.43% (3%压缩)
• 拉伸应变：αᴿ减弱

双轴应变：

• 3%压缩：Γ-K方向增强2.08%，Γ-M方向增强2.63%
• 效果比单轴应变更明显

Zeeman劈裂趋势

• 与Rashba参数呈相反趋势
• 压缩应变：线性减小
• 拉伸应变：线性增加

TM掺杂的电子结构

Fe-WSTe系统

半金属特性：

• 6.25% Fe：自旋上金属，自旋下半导体(Eg=1.15 eV) → 100%自旋极化
• 12.5% Fe：两个自旋通道均为半导体(Eg↑=0.05 eV, Eg↓=0.54 eV)
• 18.75% Fe：半金属(Eg↓=0.95 eV) → 100%自旋极化
• 25% Fe：半导体(Eg↑=0.11 eV, Eg↓=1.08 eV)

态密度分析：

• W的5d电子仍主导价导带
• Fe的3d电子在费米能级附近贡献缺陷态
• 6.25%和18.75%在费米能级有多数自旋态，少数自旋存在带隙

Mn-WSTe和Co-WSTe

Mn-WSTe：

• 仅25%浓度呈现半金属性(Eg↓=1.16 eV)
• 其他浓度为半导体

Co-WSTe：

• 18.75%和25%呈现半金属性
• 带隙：18.75% (Eg↓=0.60 eV), 25% (Eg↓=0.33 eV)

磁性性质

磁基态确定

相对能量(ΔE = E_FM - E_AFM)：

• Fe-WSTe：-0.56, -0.29, -0.13, -0.38 eV(6.25%-25%)
• Mn-WSTe：-1.06, -0.24, -0.19, -0.26 eV
• Co-WSTe：-0.13, -0.09, -0.03 eV; +0.02 eV(25%为AFM)

结论：除25% Co-WSTe外，FM均为基态

磁矩分布

总磁矩演化：

特点：

• 随浓度增加趋势(Fe和Co在25%例外)
• 主要贡献来自TM原子(6.25%时：Fe 133%, Mn 189%, Co 66%)
• W、S、Te有反向贡献，导致总磁矩减小

磁性起源

d电子填充：

• Fe (3d⁶)：t₂g↑↑↑ t₂g↓↓ eg↑↑ → 4个未配对电子
• Mn (3d⁵)：t₂g↑↑↑ eg↑↑ → 5个未配对电子
• Co (3d⁷)：t₂g↑↑↑ t₂g↓↓↓ eg↑↑ eg↓ → 3个未配对电子

自旋电荷密度：

• 原始WSTe：均匀分布，零自旋极化
• TM-WSTe：自旋密度高度局域在TM原子周围
• 表明电荷转移和杂化效应

谷极化

6.25% Fe-WSTe的谷极化

无应变情况：

• ΔKK' = 65 meV
• 高于文献报道的V-WSSe (58 meV)
• VBM的劈裂远大于CBM

物理机制：

• 时间反演对称破缺(磁性掺杂)
• 强自旋轨道耦合
• K和K'谷自旋相反导致不对称劈裂

其他浓度和TM元素

• Mn-WSTe (6.25%)：ΔKK' = 54.4 meV
• Co-WSTe (6.25%)：ΔKK' = 46.3 meV
• 高浓度下缺陷态密集，难以准确量化谷极化

应变调控谷极化

单轴应变效果：

双轴应变效果：

关键发现：

1. 拉伸应变增强谷极化，压缩应变减弱
2. 双轴应变效果更显著
3. 最大谷极化112 meV(3%双轴拉伸)
4. 为实验调控提供了可行路径

消融分析

虽然论文未明确标注消融实验，但通过系统性研究可以提取以下组件贡献：

1. SOC的作用：
   • 无SOC：带隙1.35 eV，无自旋劈裂
   • 含SOC：带隙1.21 eV，出现Rashba和Zeeman劈裂
   • 结论：SOC是自旋劈裂的必要条件
2. TM掺杂浓度：
   • 低浓度(6.25%)：半金属+高谷极化
   • 中浓度：半导体或半金属
   • 高浓度(25%)：缺陷态密集
   • 结论：浓度调控可实现性质转变
3. 应变类型：
   • 单轴vs双轴：双轴效果更显著
   • 拉伸vs压缩：相反趋势
   • 结论：应变工程是有效调控手段

相关工作

二维磁性材料

1. 实验进展：
   • Fe-MoS₂：室温铁磁性(Fu et al., Nat. Commun. 2020)
   • V-WSe₂：单层室温铁磁(Yun et al., Adv. Sci. 2020)
   • V-MoTe₂：后生长掺杂实现铁磁(Coelho et al., Adv. Electron. Mater. 2019)
2. 理论研究：
   • TM掺杂黑磷：室温铁磁预测(Jiang et al., APL 2018)
   • 本文优势：首次系统研究WSTe的TM掺杂效应

谷电子学

1. 实验里程碑：
   • 石墨烯谷物理首次演示(Xiao et al., PRL 2007)
   • MoS₂圆偏振光控制谷极化(Zeng et al., Nat. Nanotech. 2012)
   • V-MoS₂室温谷极化(Sahoo et al., PRMaterials 2022)
2. Janus材料谷极化：
   • MoSSe磁性掺杂(Peng et al., JPCL 2018)
   • V-WSSe谷极化58 meV(Zhao et al., Appl. Surf. Sci. 2019)
   • 本文贡献：WSTe谷极化更高(65 meV)，首次系统研究应变调控

Rashba效应

1. Janus-TMDCs的Rashba劈裂：
   • MoSeTe和WSeTe理论研究(Hu et al., PRB 2018)
   • 本文αᴿ(422 meVÅ)与文献一致
2. 应变调控：
   • 应变对Rashba效应影响的一般性研究
   • 本文提供WSTe的定量数据

本文相对优势

1. 首次全面研究TM-WSTe的多功能特性
2. 系统考察应变对谷极化的影响
3. 预测可实现的100%自旋极化
4. 提供详细的微观机制分析

结论与讨论

主要结论

1. 原始WSTe性质：
   • 间接带隙半导体(1.35 eV)
   • 本征Rashba劈裂(αᴿ=422 meVÅ)和Zeeman劈裂(403 meV)
   • 应变可调控：压缩增强Rashba，拉伸减弱
2. TM掺杂诱导磁性：
   • 特定浓度实现半金属铁磁性(100%自旋极化)
   • Fe: 6.25%, 18.75%; Mn: 25%; Co: 18.75%, 25%
   • 最大磁矩：Fe-WSTe 8.48 μB(18.75%)
3. 谷极化及调控：
   • 6.25%掺杂实现显著谷极化：Fe(65 meV), Mn(54.4 meV), Co(46.3 meV)
   • 双轴拉伸应变可增强至112 meV(+72%)
   • 压缩应变减弱谷极化
4. 应用前景：
   • 自旋电子学：半金属特性适合自旋注入器件
   • 谷电子学：高谷极化支持谷霍尔效应
   • 多功能器件：自旋、谷、电荷三自由度协同调控

局限性

1. 计算方法限制：
   • DFT+U对强关联体系的描述有局限
   • 未考虑激子效应(对光学性质重要)
   • 温度效应未纳入(所有计算为0 K)
2. 浓度选择：
   • 仅考察4个浓度，可能遗漏其他有趣浓度点
   • 高浓度(>25%)未探索
3. 缺陷影响：
   • 未考虑替位掺杂外的其他缺陷类型(间隙、空位)
   • 实际样品中的无序效应未模拟
4. 动力学稳定性：
   • 未进行分子动力学模拟验证有限温度稳定性
   • 声子谱计算缺失
5. 实验可行性：
   • 掺杂浓度的精确控制在实验中具有挑战性
   • 应变的实际施加方法未讨论

未来方向

1. 实验验证：
   • 化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)制备TM-WSTe
   • 扫描隧道显微镜(STM)表征局域电子结构
   • 磁光克尔效应(MOKE)测量磁性
2. 理论拓展：
   • 考虑更多TM元素(V, Cr, Ni, Cu)
   • 研究共掺杂效应
   • 光学性质和激子效应计算
3. 器件设计：
   • 自旋场效应晶体管设计
   • 谷霍尔器件原型
   • 与其他二维材料的异质结
4. 动力学研究：
   • 自旋弛豫时间计算
   • 谷极化寿命评估
   • 输运性质模拟
5. 机器学习辅助：
   • 高通量筛选最优掺杂元素和浓度
   • 预测新型Janus材料

深度评价

优点

1. 研究系统性强：
   • 涵盖电子、磁性、自旋、谷四个维度
   • 三种TM元素、四个浓度的全面对比
   • 单轴/双轴应变的系统考察
2. 物理图像清晰：
   • 通过轨道分辨态密度揭示微观机制
   • 自旋织构直观展示Rashba效应
   • 自旋电荷密度阐明磁性起源
3. 定量数据可靠：
   • 与文献已知值高度一致(Rashba参数、Zeeman劈裂)
   • 计算参数收敛性良好
   • Hubbard U自洽计算增强可靠性
4. 应用导向明确：
   • 预测的100%自旋极化直接对应器件需求
   • 应变调控提供实验可操作方案
   • 谷极化值处于实用范围
5. 写作规范：
   • 结构清晰，逻辑严密
   • 图表信息丰富(13个主图)
   • 数据表格详尽(3个表格)

不足

1. 新颖性有限：
   • TM掺杂诱导磁性是已知策略
   • 应变调控谷极化也有先例
   • 主要贡献是对WSTe的首次系统研究
2. 机制分析深度：
   • 未详细讨论不同TM元素效果差异的微观原因
   • 浓度依赖的半金属-半导体转变机制未充分阐释
   • 应变效应的微观机理分析较浅
3. 实验指导不足：
   • 未讨论实验制备方法的可行性
   • 缺少与现有实验技术的对接
   • 测量方案建议缺失
4. 对比分析欠缺：
   • 与其他Janus材料(MoSSe, WSSe)的系统对比不足
   • 未明确WSTe相对其他材料的优势
5. 技术细节：
   • 磁晶各向异性能未计算(对磁稳定性重要)
   • 居里温度估算缺失
   • 缺陷形成能未给出

影响力评估

学术贡献：

• 填补了WSTe过渡金属掺杂研究的空白
• 为Janus材料谷电子学提供新案例
• 应变调控数据库扩充

实用价值：

• 半金属特性适合自旋电子器件
• 谷极化值(65-112 meV)在室温下可观测(kBT≈26 meV)
• 应变工程方案实验可行

可复现性：

• 计算参数详细(能量截断、k点、U值等)
• 使用广泛的VASP软件
• 结构参数完整提供
• 预期可复现性良好

潜在影响：

• 短期：引导WSTe实验合成和表征
• 中期：推动Janus材料自旋/谷电子学研究
• 长期：为多功能量子器件提供材料平台

适用场景

1. 自旋电子学器件：
   • 自旋注入器(100%自旋极化源)
   • 自旋过滤器
   • 磁隧道结
2. 谷电子学应用：
   • 谷霍尔器件
   • 谷光电探测器
   • 谷量子比特
3. 多功能器件：
   • 自旋-谷耦合晶体管
   • 可调谐光电器件
   • 低功耗逻辑器件
4. 基础研究：
   • 自旋轨道耦合物理
   • 二维磁性机制
   • 应变工程效应
5. 不适用场景：
   • 高温应用(磁性稳定性未确认)
   • 需要大带隙的应用(带隙仅1.2 eV)
   • 需要本征铁磁的应用(需掺杂)

参考文献（精选）

1. 方法论基础：
   • Kresse & Furthmüller (1996): VASP方法论, PRB 54, 11169
   • Dudarev et al. (1998): DFT+U方法, PRB 57, 1505
2. 实验对比：
   • Fu et al. (2020): Fe-MoS₂室温铁磁, Nat. Commun. 11, 2034
   • Sahoo et al. (2022): V-MoS₂谷极化, PRM 6, 085202
3. 理论参考：
   • Hu et al. (2018): Janus-TMDCs Rashba效应, PRB 97, 235404
   • Peng et al. (2018): MoSSe谷极化, JPCL 9, 3612
   • Zhao et al. (2019): WSSe TM掺杂, Appl. Surf. Sci. 490, 172
4. 综述性文献：
   • Vitale et al. (2018): 谷电子学综述, Small 14, 1801483
   • Liu et al. (2020): 二维材料自旋电子学, Nano-Micro Lett. 12, 1

总体评价：这是一篇系统而扎实的计算材料学论文，通过第一性原理方法全面探讨了TM掺杂WSTe的多功能特性。论文的主要价值在于：(1)首次系统研究WSTe的TM掺杂效应；(2)预测可实现的半金属铁磁态和高谷极化；(3)提供应变调控的定量方案。不足之处包括机制分析深度有限、实验指导不足。总体而言，该工作为Janus材料在自旋/谷电子学中的应用提供了重要的理论基础，具有较好的学术价值和应用前景。建议后续工作重点关注实验验证和器件设计。