The tricritical behavior in a class of one-dimensional (1D) field theories that exhibit spontaneous symmetry breaking at zero temperature and chemical potential is analyzed. In the Gross-Neveu (GN)-type models of massless fermions the discrete chiral symmetry is spontaneously broken. After doping, the symmetry is restored at a critical chemical potential. We investigate the temperature effects on this doped 1D system under an external constant Zeeman magnetic field $B_0$. We find that $B_0$ suppresses the gapless behavior present for certain values of chemical potential and is able to induce a gapless-gapped phase transition at a critical field strength. We also discuss about the consequences of the consideration of inhomogeneous condensates to the tricritical point, within the Ginzburg-Landau expansion.
论文ID : 2501.00518标题 : Tricritical behavior of a relativistic field theory in one dimension作者 : Heron Caldas, A. L. Mota (Universidade Federal de São João del Rei, Brazil)分类 : hep-th (高能物理-理论), cond-mat.str-el (凝聚态物理-强关联电子系统), hep-ph (高能物理-现象学), nucl-th (核理论)发表时间 : 2024年12月31日论文链接 : https://arxiv.org/abs/2501.00518 本文分析了一类一维场论中的三临界行为,这些场论在零温度和零化学势下表现出自发对称性破缺。在Gross-Neveu (GN)型无质量费米子模型中,离散手征对称性被自发破缺。掺杂后,对称性在临界化学势处得到恢复。研究了在外加恒定塞曼磁场B₀作用下,这种掺杂一维系统的温度效应。发现B₀抑制了在特定化学势值下存在的无能隙行为,并能够在临界场强处诱导无能隙-有能隙相变。还讨论了在Ginzburg-Landau展开框架内,考虑非均匀凝聚态对三临界点的影响。
本文研究一维相对论性场论中的三临界现象,特别关注:
外加塞曼磁场对Gross-Neveu模型相图的影响 磁场诱导的无能隙-有能隙相变机制 非均匀凝聚态对三临界点位置的影响 理论意义 : GN模型是研究量子场论基本特征的重要理论工具,展现了1/N展开、重整化、渐近自由、手征对称性破缺等QCD的基本特征实际应用 : 该模型可用于描述反式聚乙炔(TPA)中从孤子相到金属相的相变,以及其他一维有机导体的性质方法论贡献 : 为研究强磁场下低维电子系统的金属-绝缘体转变提供理论框架以往研究主要集中在零磁场情况 对磁场诱导的相变机制理解不够深入 缺乏对非均匀凝聚态影响的系统分析 发现磁场抑制效应 : 证明了塞曼磁场B₀能够抑制特定化学势值下的无能隙行为,在临界场强B₀,c处诱导无能隙-有能隙相变建立完整相图 : 通过Ginzburg-Landau展开至(∆/kᵦT)⁶和(μ↑,↓/kᵦT)⁴阶,构建了(μ↑,↓, T)平面内的完整相图发现重入行为 : 在零温度下,对于μ < μc,随着δμ(即B₀)的增加,系统表现出"重入"行为:有能隙-无能隙-有能隙相序列确定三临界点演化 : 明确了外加塞曼磁场使三临界点向与B₀增长相反的方向移动,显著减少了相图中的有能隙区域证明非均匀效应 : 证明了考虑空间非均匀∆(x)凝聚态时,GN相图中三临界点的位置保持不变研究一维Gross-Neveu模型在有限温度、化学势和外加塞曼磁场作用下的相变行为,特别是三临界现象。
输入参数 :
温度 T 化学势 μ 和化学势不平衡 δμ = gμᵦB₀/2 外加磁场 B₀ 输出 :
能隙参数 ∆(T, μ, δμ) 相图结构 三临界点位置 基本的GN模型拉格朗日密度为:
L_GN = Σ_{s=↑,↓} ψ̄^s (iℏγ⁰∂_t - iℏv_F γ¹∂_x)ψ^s + (λℏv_F)/(2N) (ψ̄ψ)²
在大N(平均场)近似下:
L_GN = Σ_s ψ^s† (iℏ∂_t - iℏv_F γ⁵∂_x - γ⁰∆(x))ψ^s - N/(2ℏv_F λ) ∆²(x)
引入化学势和塞曼磁场效应:
L_CP = Σ_{s=↑,↓} μψ̄^s γ⁰ψ^s
L_Z = Σ_{s=↑,↓} (σ_s/2) gμ_B B₀ ψ̄^s γ⁰ψ^s
定义有效化学势:μ↑ = μ + δμ, μ↓ = μ - δμ,其中δμ = gμᵦB₀/2
通过虚时间形式主义,构造配分函数:
Z = ∫ Dψ̄ Dψ exp{∫₀^β dτ ∫ dx [L_GN]}
积分费米子场后得到有效作用量:
S_eff[∆] = -β/(2ℏv_F λ) ∫ dx ∆²(x) + Σ_{s=↑,↓} Tr ln(D_s)
通过引入δμ ≠ 0处理自旋不平衡系统,系统地研究了磁场诱导的相变。
使用高温展开评估有限温度下的有效势:
V_eff(μ↑,↓, T) = α₀ + α₂∆² + α₄∆⁴ + α₆∆⁶
其中各系数包含了温度和化学势的依赖关系。
考虑空间依赖的能隙参数∆(x),使用椭圆函数解:
数值计算 : 直接数值求解有效势方程解析近似 : Ginzburg-Landau展开至不同阶数相图构造 : 通过寻找相变线和三临界点温度: 0 ≤ T ≤ 2Tc(0) 化学势: 0 ≤ μ ≤ 2μc 磁场参数: 0 ≤ δμ ≤ μc 能隙参数∆的行为 相变线的位置和性质 三临界点坐标(μtc, Ttc) 在T = 0时发现:
临界磁场:δμc = 0.372∆₀,对应B₀,c = 0.744∆₀/(gμᵦ) 在μ = μc和δμ = δμc处发生无能隙到有能隙的一阶相变 对于μ < μc,存在重入行为:有能隙→无能隙→有能隙 通过Ginzburg-Landau展开得到:
二阶相变线:α₂ = 0 一阶相变线:α₄² - 4α₂α₆ = 0 三临界点:α₂ = α₄ = 0 数值结果显示:
二阶近似:μtc ≈ 0.527∆₀, Ttc ≈ 0.344∆₀ 六阶近似:μtc ≈ 0.592∆₀, Ttc ≈ 0.321∆₀ 数值精确值:μtc = 0.608∆₀, Ttc = 0.318∆₀ 比较不同阶Ginzburg-Landau展开的结果:
μ²/T²阶:给出定性正确的相结构 μ⁶/T⁶阶:显著改善定量精度 系统研究了不同δμ值对相图的影响:
δμ增加导致三临界化学势μtc减少 有能隙相区域显著缩小 当δμ ≥ δμc时,系统进入完全极化态:
n↑ = (1/πℏvF)√(μ↑² - ∆²) n↓ = 0 高温极限下的泡利磁化率:
χ(T) = gμᵦ²/(πℏvF) - (gμᵦ²/(πℏvF))[7ζ(3)/(4π²)]∆²/(kᵦT)²
Gross-Neveu模型 : 原始GN模型及其在QCD中的应用相变理论 : Ginzburg-Landau理论和临界现象一维系统 : 低维电子系统的相变行为有机导体 : 反式聚乙炔等一维有机导体的性质磁场效应 : 低维系统中的金属-绝缘体转变自旋电子学 : 自旋极化导体的应用塞曼磁场能够有效抑制一维系统的无能隙行为 存在磁场诱导的无能隙-有能隙相变,临界场强为B₀,c = 0.744∆₀/(gμᵦ) 三临界点随磁场增强向低化学势方向移动 非均匀凝聚态不改变三临界点位置 大N近似的适用范围有限 高温展开在低温区域精度不足 未考虑更复杂的相互作用效应 研究电磁场联合作用下的输运性质 探索在实际材料中的实验验证 扩展到二维和三维系统 理论完整性 : 系统地研究了磁场对一维相对论场论的影响方法创新 : 巧妙结合解析和数值方法,获得了完整的相图物理洞察 : 发现了重入相变等有趣的物理现象实用价值 : 为一维有机导体的研究提供了重要理论基础近似精度 : 高温展开在某些区域精度有限实验验证 : 缺乏与实验结果的直接比较推广性 : 主要局限于一维系统理论贡献 : 丰富了对低维量子相变的理解应用前景 : 为设计自旋极化器件提供理论指导方法价值 : 展示了场论方法在凝聚态物理中的应用一维有机导体的相变研究 量子线中的磁输运现象 冷原子系统的相变模拟 本文引用了47篇重要文献,涵盖了Gross-Neveu模型的理论基础、相变理论、实验研究等多个方面,为研究提供了坚实的理论基础。
总体评价 : 这是一篇高质量的理论物理论文,系统地研究了一维相对论场论中的三临界现象,发现了磁场诱导相变等重要物理效应,对理解低维量子系统具有重要意义。