Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems

基本信息

• 论文ID: 2501.00835
• 标题: Current-induced re-entrant superconductivity and extreme nonreciprocal superconducting diode effect in valley-polarized systems
• 作者: Yu-Chen Zhuang, Qing-Feng Sun
• 分类: cond-mat.supr-con
• 发表时间: 2025年1月1日
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2501.00835

摘要

超导二极管效应(SDE)是指金属-超导转变中超导临界电流的非互易性。通常，SDE有对应两个相反方向的正负临界电流$j_{c\pm}$，其幅值不相等。最近实验观察到了一种极端非互易性，即两个临界电流可以同时为正(或负)。本文理论上提出了实现极端非互易SDE的可能机制。基于微观理论和简单的谷极化模型，作者证明了在谷极化与外加电流相互作用下，解散Cooper对所需的破对电流可以被重新调制。在超导性消失附近，这种重新调制被证明能诱导极端非互易性以及电流诱导的重入超导性，其中系统具有两个不同的临界电流区间。

研究背景与动机

1. 核心问题：超导二极管效应(SDE)是一种新发现的超导现象，表现为非耗散超电流的非互易性。传统SDE的效率η一般只有几十个百分点，而最近在小扭转角三层石墨烯中观察到了极端非互易性，即100%效率的SDE。
2. 问题重要性：SDE不仅能揭示奇异超导系统的潜在特征，还可用作非耗散电路，在超导电子学、超导自旋电子学、量子信息和通信技术中具有重要应用前景。
3. 现有局限性：虽然已经观察到极端非互易性现象，但其物理机制尚不清楚。现有理论研究表明这种显著增强可能来自对称性破缺序参量与超电流的耦合，或面外电场诱导的耗散。
4. 研究动机：在扭转石墨烯系统中，直流电流可以调制甚至切换谷极化。考虑到自发谷极化在扭转三层石墨烯SDE中的重要作用，有必要研究极端非互易SDE与电流诱导谷极化调制之间的联系。

核心贡献

1. 理论机制：基于电流诱导的谷极化调制，提出了实现极端非互易性的理论机制
2. 模型构建：建立了简单的谷极化系统模型，包含谷间配对的s波超导
3. 新现象发现：预测了电流诱导的重入超导性，系统具有两个不同的临界电流区间
4. 100%效率SDE：提供了设计100%效率SDE的新途径
5. 物理图像：阐明了内在破对电流如何被重新调制为实际临界电流的物理机制

方法详解

任务定义

研究在谷极化系统中，外加电流如何通过调制谷极化来影响超导临界电流，从而实现极端非互易的超导二极管效应。

模型架构

1. 相互作用诱导的谷极化模型

构建包含谷间相互作用的两带哈密顿量： $H_v = \sum_{k,\tau} (\epsilon_{k,\tau} - \mu)c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \frac{U_v}{V}\sum_{k,k'} c^\dagger_{k,+}c_{k,+}c^\dagger_{k',-}c_{k',-}$

其中τ = ±标记谷指标K, K'，$U_v > 0$表示排斥性谷间相互作用。

2. 电流诱导的谷极化调制

在非平衡弹道量子输运框架下，外加偏压V下，正(负)速度电子的费米能级相对平衡态费米能级升高(降低)$eV/2$。由于谷内反演对称性破缺，各谷电子占据数变化为： $n_\tau = n^0_\tau + \alpha_\tau j_{ext}$

其中$\alpha_\tau$是依赖于修正化学势和谷劈裂场的系数。

3. BdG哈密顿量

加入s波谷间配对项： $H(q) = \sum_{k,\tau} E_{k,\tau} c^\dagger_{k,\tau} c_{k,\tau} + \sum_k \Delta(q)c^\dagger_{k+q,+}c^\dagger_{-k+q,-} + H.c.$

其中2q表示Cooper对的质心动量，反映螺旋态或FFLO态。

技术创新点

1. 物理机制创新：首次提出电流诱导谷极化调制可以重新调制破对电流的机制
2. 模型简化：使用简单的Stoner模型捕捉谷极化的本质特征
3. 自洽计算：通过自洽求解gap方程和谷极化方程，得到完整的相图
4. 重入现象：预测了新的电流诱导重入超导现象

实验设置

数据集

使用一维模型进行数值计算：

• 系统尺寸：V = Na，周期边界条件，N = 2000
• 能量单位：t = 1
• 电流单位：e/ℏ·t = 1
• 长度单位：a = 1
• 参数设置：$U_v = 2.8$，$U_s = 1.86$，温度T = 0.1

评价指标

1. 二极管效率：$\eta = \frac{j_{c+} - |j_{c-}|}{j_{c+} + |j_{c-}|}$
2. 临界电流：$j_{c\pm}$对应金属-超导转变的临界值
3. 谷劈裂场：$h_v = \frac{U_v}{2V}m$，其中m为谷极化

对比方法

• 传统SDE理论（无电流诱导谷极化调制）
• Rashba-Zeeman超导体模型
• Stoner-Wohlfarth磁性模型类比

实验结果

主要结果

1. 四个不同区域的相图

• 区域I：无SDE，由于$h^0_v = 0$
• 区域II：传统SDE，$j_{c+} \neq |j_{c-}|$
• 区域III：重入超导性，存在四个临界电流
• 区域IV：极端非互易性，只有两个正的临界电流

2. 临界电流的数值结果

在窄带宽4t = 10 meV的估算下：

• 能量单位：t = 2.5 meV
• 电流单位：≈ 96.6 nA
• 临界电流幅值：0-34 nA范围
• 温度：约2.9 K

3. 磁场调制效果

外磁场B可通过Zeeman效应耦合到谷，产生额外的谷劈裂场$h_B \propto B$，从而调制SDE的类型和极性。

消融实验

1. 带不对称性影响：更不对称的能带导致更大的系数$\alpha_+ - \alpha_-$，更容易实现极端非互易性
2. 系统尺寸收敛性：在固定填充因子下，临界电流随系统尺寸N的变化收敛
3. 温度效应：低温下效应更明显

案例分析

图3展示了四种不同电子占据数n下的临界电流演化：

• n = 640：无SDE
• n = 560：传统SDE
• n = 510：重入超导性
• n = 480：极端非互易性

相关工作

主要研究方向

1. SDE实验观测：人工超晶格Nb/V/Tan、体材料、约瑟夫森结等
2. 理论机制：磁手性各向异性、有限动量Cooper配对
3. 扭转石墨烯：谷极化、自旋轨道耦合、关联效应

本文优势

1. 首次将电流诱导谷极化调制与SDE联系
2. 预测了新的重入超导现象
3. 提供了100%效率SDE的理论途径
4. 给出了定量的数值结果和参数估算

结论与讨论

主要结论

1. 电流诱导的谷极化调制可以重新调制破对电流，实现极端非互易SDE
2. 在超导性消失附近容易出现极端非互易性
3. 系统可表现出电流诱导的重入超导性
4. 外磁场可以调制SDE的类型和极性

局限性

1. 线性近似只在小电流范围内有效
2. 忽略了超导态内电压屏蔽效应
3. 可能存在磁滞行为未充分考虑
4. 模型相对简化，实际系统更复杂

未来方向

1. 更精确的自洽计算包含非线性效应
2. 考虑超导态内的谷极化动力学
3. 实验验证理论预测
4. 扩展到其他二维材料体系

深度评价

优点

1. 理论创新性强：首次提出电流调制谷极化的SDE机制
2. 物理图像清晰：通过简单模型阐明了复杂现象的本质
3. 数值计算充分：系统研究了参数空间和外场效应
4. 实验相关性高：与扭转石墨烯实验高度相关
5. 预测价值大：预测了新的重入超导现象

不足

1. 模型简化过度：忽略了自旋自由度和更复杂的配对机制
2. 自洽性不足：线性近似的适用范围有限
3. 实验验证缺乏：缺少直接的实验证据支持
4. 定量精度有限：参数估算较为粗糙

影响力

1. 学术影响：为理解极端SDE提供了新的理论框架
2. 应用前景：为设计高效率超导二极管提供指导
3. 启发意义：可推广到其他谷电子学系统

适用场景

1. 扭转石墨烯超导体系
2. 其他具有谷自由度的二维材料
3. 谷极化与超导共存的系统
4. 需要高效率超导二极管的器件应用

参考文献

本文引用了66篇相关文献，涵盖了SDE的实验观测、理论机制、扭转石墨烯物理等多个方面，为研究提供了坚实的基础。重要参考文献包括SDE的首次观测7、扭转石墨烯中的极端非互易性实验12、以及相关的理论工作33,34等。