2025-11-12T16:37:10.450975

Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures

Misba, Gross, Hayashi et al.
We report on magnetic anisotropy modulation in Bismuth substituted Yttrium Iron Garnet (Bi-YIG) thin films and mesoscale patterned structures deposited on a PMN-PT substrate with the application of voltage-induced strain. The Bi content is selected for low coercivity and higher magnetostriction than that of YIG, yielding significant changes in the hysteresis loops through the magnetoelastic effect. The piezoelectric substrate is poled along its thickness, which is the [011] direction, by applying a voltage across the PMN-PT/SiO2/Bi-YIG/Pt heterostructure. In-situ magneto-optical Kerr effect microscopy (MOKE) shows the modulation of magnetic anisotropy with voltage-induced strain. Furthermore, voltage control of the magnetic domain state of the Bi-YIG film at a fixed magnetic field produces a 90° switching of the magnetization easy axis above a threshold voltage. The magnetoelectric coefficient of the heterostructure is 1.05x10^(-7)s/m which is competitive with that of other ferromagnetic oxide films on ferroelectric substrates such as La0.67Sr0.33MnO3/PMNPT and YIG/PMN-PZT. Voltage-control of magnetization reversal fields in 5-30 microns wide dots and racetracks of Bi-YIG show potential for energy efficient non-volatile memory and neuromorphic computing devices.
academic

Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures

基本信息

  • 论文ID: 2501.00980
  • 标题: Strain Mediated Voltage Control of Magnetic Anisotropy and Magnetization Reversal in Bismuth Substituted Yttrium Iron Garnet Films and Meso-structures
  • 作者: Walid Al Misba, Miela Josephine Gross, Kensuke Hayashi, Daniel B. Gopman, Caroline A. Ross, Jayasimha Atulasimha
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
  • 研究机构: 弗吉尼亚联邦大学、麻省理工学院、名古屋大学、美国国家标准技术研究院
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2501.00980

摘要

本研究报告了在PMN-PT基底上沉积的铋替代钇铁石榴石(Bi-YIG)薄膜和介观尺度图案结构中，通过电压诱导应变实现磁各向异性调制的研究成果。研究选择了特定的Bi含量以获得比YIG更低的矫顽力和更高的磁致伸缩，通过磁弹性效应在磁滞回线中产生显著变化。通过在PMN-PT/SiO2/Bi-YIG/Pt异质结构上施加电压，沿厚度方向(011方向)对压电基底进行极化。原位磁光克尔效应显微镜(MOKE)显示了电压诱导应变对磁各向异性的调制。在固定磁场下，电压控制Bi-YIG薄膜的磁畴状态可实现90°磁化易轴切换。该异质结构的磁电系数为1.05×10^(-7) s/m，与其他铁磁氧化物薄膜在铁电基底上的性能相当。5-30微米宽的Bi-YIG点和跑道结构的电压控制磁化反转场显示了在节能非易失性存储和神经形态计算器件中的应用潜力。

研究背景与动机

问题背景

  1. 能耗问题: 当前磁性随机存取存储器需要约10^11 A/m²的电流密度进行写入，能耗约10 fJ，而多铁性器件仅需1-100 aJ
  2. 磁电耦合需求: 需要通过电场控制磁化以实现高密度、低功耗的磁性存储器件
  3. 材料限制: 单相多铁性材料虽然直接体现磁电耦合，但复合异质结构提供3-4个数量级更强的磁电耦合

研究动机

  1. 应变传递机制: 利用铁电-铁磁复合异质结构中的应变传递机制实现低热耗散和高磁电耦合系数
  2. 材料优势: Bi-YIG具有低损耗角正切、大畴壁速度、低Gilbert阻尼和磁光活性等优势
  3. 工艺挑战: 解决铁磁石榴石在压电化合物上生长的晶格不匹配问题

核心贡献

  1. 首次实现Bi-YIG/PMN-PT异质结构的90°磁化易轴电压控制切换
  2. 开发了SiO2缓冲层技术，解决了石榴石在压电基底上的晶格匹配问题
  3. 获得了1.05×10^(-7) s/m的磁电系数，与其他氧化物铁磁/铁电系统相当
  4. 实现了微米尺度图案结构的电压控制磁化反转，展示了在存储和神经形态器件中的应用潜力
  5. 通过MOKE显微镜实现了磁畴动力学的原位观察

方法详解

材料制备

  1. 基底处理: 0.5mm厚(011)取向PMN-PT基底上射频磁控溅射2.4nm非晶SiO2缓冲层
  2. 薄膜生长: 使用脉冲激光沉积(PLD)在室温下共沉积YIG和BFO靶材，获得Bi2.13Y1.40Fe5Ox组分的45.6nm厚Bi-YIG薄膜
  3. 后处理: 600°C炉中退火72小时以结晶石榴石结构

异质结构设计

异质结构为PMN-PT/SiO2/Bi-YIG/Pt，其中：

  • PMN-PT: 压电基底，沿011方向极化
  • SiO2: 2.4nm缓冲层，避免外延生长产生正铁氧体结构
  • Bi-YIG: 45.6nm铁磁层
  • Pt: 顶电极

磁弹性能量模型

磁弹性能量表达式为： Fme=−32λsY1+νεxxsin⁡2θcos⁡2φ−32λsY1+νεyysin⁡2θsin⁡2φF_{me} = -\frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{xx}\sin^2\theta\cos^2\varphi - \frac{3}{2}\lambda_s\frac{Y}{1+\nu}\varepsilon_{yy}\sin^2\theta\sin^2\varphi

其中λs≈−4×10−6\lambda_s \approx -4×10^{-6}为负磁致伸缩系数，εxx\varepsilon_{xx}和εyy\varepsilon_{yy}为应变分量。

实验设置

表征方法

  1. 结构表征: 掠入射X射线衍射(GIXD)和X射线反射率(XRR)
  2. 磁性测量: 振动样品磁强计(VSM)测量面内和面外磁滞回线
  3. 形貌观察: 扫描电子显微镜(SEM)观察晶粒结构
  4. 磁畴观察: 磁光克尔效应(MOKE)显微镜原位观察

图案化工艺

使用光刻和离子束刻蚀制备最小尺寸5μm的椭圆和跑道结构

实验条件

  • 极化电压: 450V，持续90分钟
  • 测试电压范围: 0-450V，50V步长
  • MOKE光源: 蓝光(λ≈465nm)
  • 磁场范围: ±88mT

实验结果

结构和磁性表征

  1. 晶体结构: GIXD显示多晶石榴石特征峰，无强织构
  2. 磁性能: 饱和磁化强度101±5 kA/m，面内矫顽力10±5 mT
  3. 微观结构: 晶粒尺寸1-3μm，少量非晶区域

磁各向异性调制

  1. 应变效应: 沿x̂方向压缩应变增加，矫顽力从25±2 mT增至27±2 mT
  2. 易轴转换: 随电压增加，磁化易轴从ŷ转向x̂方向
  3. 方形度变化: x̂方向方形度随电压增加而增大，ŷ方向相反

磁电系数

计算得到磁电系数αE = 1.05×10^(-7) s/m，在0V到-50V电压变化时获得最大值。

微结构器件性能

  1. 椭圆结构: 电压从450V降至0V时，切换磁场从高场降至8mT
  2. 跑道结构: 畴壁传播场从7mT(0V)降至6mT(450V)

相关工作

磁电耦合机制

  1. 应变传递: 铁电-铁磁界面机械应变传递
  2. 界面效应: 自旋态密度调制
  3. 离子迁移: 电压驱动氧离子迁移

材料系统对比

相比其他系统的优势：

  • 比单相多铁性材料具有更强的磁电耦合
  • 比金属铁磁材料具有更低的阻尼和更快的磁化控制
  • 解决了石榴石在压电基底上的生长难题

结论与讨论

主要结论

  1. 成功实现了Bi-YIG薄膜90°磁化易轴的电压控制切换
  2. SiO2缓冲层技术有效解决了晶格匹配问题
  3. 磁电系数与其他氧化物系统相当，显示了良好的应用前景
  4. 微米尺度器件展现了在存储和神经形态计算中的潜力

局限性

  1. 线宽较宽: 多晶薄膜的铁磁共振线宽约200mT，远高于单晶薄膜的5mT
  2. 应力影响: 高薄膜应力影响磁性能
  3. 工艺优化: 需要进一步优化工艺参数和组分

未来方向

  1. 优化薄膜生长工艺以降低线宽
  2. 探索共振效应增强磁电响应
  3. 开发基于该技术的实际器件原型

深度评价

优点

  1. 技术创新: 首次在Bi-YIG/PMN-PT系统中实现90°易轴切换
  2. 工艺突破: SiO2缓冲层技术为石榴石/压电异质结构提供了新途径
  3. 系统性研究: 从薄膜到图案化结构的完整研究链条
  4. 实用价值: 展示了在低功耗存储器件中的应用潜力

不足

  1. 性能限制: 多晶结构导致的较宽线宽限制了器件性能
  2. 机理分析: 对磁畴动力学的理论分析相对简单
  3. 器件集成: 缺乏与现有半导体工艺的兼容性讨论

影响力

  1. 学术贡献: 为磁电复合材料领域提供了新的材料体系和工艺方法
  2. 应用前景: 为下一代低功耗磁存储器件提供了技术基础
  3. 工艺价值: SiO2缓冲层技术可扩展到其他石榴石组分和基底材料

适用场景

  1. 磁存储器件: 磁随机存取存储器(MRAM)
  2. 神经形态计算: 基于畴壁动力学的神经突触器件
  3. 自旋电子学: 自旋波器件和磁光器件
  4. 传感器: 电流传感器和磁场传感器

参考文献

论文引用了60篇相关文献，涵盖了多铁性材料、磁电耦合、石榴石薄膜生长、自旋电子学等多个领域的重要工作，为本研究提供了坚实的理论基础和技术背景。

技术要点总结：

  • 创新性地解决了石榴石在压电基底上的生长问题
  • 实现了电压控制的90°磁化易轴切换
  • 展示了从基础材料到功能器件的完整研究路径
  • 为低功耗磁电子器件提供了新的技术方案