2025-11-13T01:37:10.150123

$d$-Wave Polarization-Spin Locking in Two-Dimensional Altermagnets

Liu, Medhekar
We report the emergence of an uncharted phenomenon, termed $d$-wave polarization-spin locking (PSL), in two-dimensional (2D) altermagnets. This phenomenon arises from nontrivial Berry connections, resulting in perpendicular electronic polarizations in the spin-up and spin-down channels. Symmetry-protected $d$-wave PSL occurs exclusively in $d$-wave altermagnets with tetragonal layer groups. To identify 2D altermagnets capable of exhibiting this phenomenon, we propose a symmetry-eigenvalue-based criterion, and a rapid method by observing the spin-momentum locking. Using first-principles calculations, monolayer Cr$_2$X$_2$O (X = Se, Te) characterizes promising candidates for $d$-wave PSL, driven by the unusual charge order in these monolayers. This unique polarization-spin interplay leads to spin-up and spin-down electrons accumulating at orthogonal edges, enabling potential applications as spin filters or splitters in spintronics. Furthermore, $d$-wave PSL introduces an unexpected spin-driven ferroelectricity in conventional antiferromagnets. Such magnetoelectric coupling positions $d$-wave PSL as an ideal platform for fast antiferromagnetic memory devices. Our findings not only expand the landscape of altermagnets, complementing conventional collinear ferromagnets and antiferromagnets, but also highlight tantalizing functionalities in altermagnetic materials, potentially revolutionizing information technology.
academic

dd-Wave Polarization-Spin Locking in Two-Dimensional Altermagnets

基本信息

  • 论文ID: 2502.16103
  • 标题: dd-Wave Polarization-Spin Locking in Two-Dimensional Altermagnets
  • 作者: Zhao Liu, Nikhil V. Medhekar
  • 分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
  • 发表时间: 2025年2月22日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2502.16103

摘要

本文报告了二维反铁磁材料中一种全新的物理现象——dd波极化-自旋锁定(PSL)。该现象源于非平凡的Berry连接,导致自旋向上和自旋向下通道中出现相互垂直的电子极化。对称性保护的dd波PSL仅出现在具有四方层群的dd波反铁磁体中。作者提出了基于对称性本征值的判据和通过观察自旋-动量锁定的快速筛选方法。第一性原理计算表明,单层Cr2_2X2_2O (X = Se, Te)是dd波PSL的有希望候选材料。这种独特的极化-自旋相互作用使自旋向上和向下电子在正交边缘聚集,在自旋电子学中具有自旋滤波器或分离器的潜在应用。

研究背景与动机

问题背景

  1. 反铁磁体的新兴物理:传统的共线反铁磁体(AFs)在没有自旋轨道耦合的情况下出现了Kramers简并度解除,催生了反铁磁体(altermagnetism, AM)的快速发展。
  2. Berry相位物理的缺口:虽然AM中Berry曲率诱导的反常霍尔效应已被揭示,但Berry连接诱导的量子化电子极化与反铁磁序之间的内在联系尚未被报道。
  3. 功能性材料的需求:需要开发具有多功能特性的磁性材料,特别是在自旋电子学和磁电存储器件方面。

研究动机

  1. 探索AM中Berry连接的拓扑效应,补充现有Berry曲率研究的不足
  2. 寻找新型的极化-自旋耦合机制
  3. 开发具有实际应用价值的二维磁性材料

核心贡献

  1. 发现新物理现象:首次报告了二维AM中的dd波极化-自旋锁定(PSL)现象
  2. 建立理论框架:基于自旋层群理论构建了描述dd波PSL的最小模型
  3. 提出筛选判据:建立了基于对称性本征值的判据和快速筛选方法
  4. 材料预测:通过第一性原理计算确定了单层Cr2_2X2_2O作为候选材料
  5. 应用前景:揭示了自旋滤波/分离和反铁磁存储器的应用潜力

方法详解

任务定义

研究二维反铁磁体中电子极化与自旋之间的耦合关系,特别是寻找能够产生相互垂直的自旋向上和向下电子极化的材料和机制。

理论模型架构

1. 自旋层群构建

基于层群G=P4/mG = P4/m,结合磁序构建自旋层群: R=[EH]+[C2C4+H]R = [E||H] + [C_2||C_4^+H]

其中:

  • C2C_2:自旋翻转对称性
  • C4+C_4^+:绕z轴的四重逆时针旋转
  • H=PmmmH = Pmmm:减半子群

2. dd波自旋-动量锁定

自旋层群RR产生独特的dd波自旋-动量锁定,满足: [C2C4+]E(kx,ky,σ)=E(ky,kx,σ)[C_2||C_4^+]E(k_x, k_y, \sigma) = E(k_y, -k_x, -\sigma)

3. 电子极化计算

对于绝缘体,电子极化通过时间反演不变动量点(TRIM)的宇称计算: (pele,x,σ,pele,y,σ)=(Γ,σX,σ2,Γ,σY,σ2)mod1(p_{\text{ele},x,\sigma}, p_{\text{ele},y,\sigma}) = \left(\frac{\Gamma_{-,\sigma} - X_{-,\sigma}}{2}, \frac{\Gamma_{-,\sigma} - Y_{-,\sigma}}{2}\right) \bmod 1

技术创新点

1. 对称性约束条件

发现dd波PSL必须满足: pele,x,σ=pele,y,σp_{\text{ele},x,\sigma} = p_{\text{ele},y,-\sigma}X,σ+Y,σ=1mod2X_{-,\sigma} + Y_{-,\sigma} = 1 \bmod 2

2. 快速筛选方法

通过观察dd波自旋-动量锁定来快速识别潜在的dd波PSL材料。

3. 材料设计原理

只有四方晶系中的dd波AM能够展现对称性保护的dd波PSL。

实验设置

计算方法

  • 第一性原理计算:使用密度泛函理论(DFT)
  • Berry相位方法:计算电子极化
  • Wilson环算符:分析Wannier电荷中心
  • 能带结构计算:研究自旋分裂和边缘态

目标材料

  • 主要研究对象:单层Cr2_2Se2_2O和Cr2_2Te2_2O
  • 对比材料:V2_2Se2_2O、V2_2Te2_2O、Fe2_2Se2_2O

计算细节

  • 构建20.5 a0a_0长度的带状结构研究边缘态
  • 分析30个价带在四个TRIM点的宇称分布
  • 计算磁各向异性能量评估磁化翻转难易程度

实验结果

主要结果

1. 单层Cr2_2Se2_2O的dd波PSL

宇称分布

TRIM(+,↑)(-,↑)(+,↓)(-,↓)
Γ8787
X10578
Y78105
M510510

电子极化

  • (pele,x,,pele,y,)=(0,12)(p_{\text{ele},x,\uparrow}, p_{\text{ele},y,\uparrow}) = (0, \frac{1}{2})
  • (pele,x,,pele,y,)=(12,0)(p_{\text{ele},x,\downarrow}, p_{\text{ele},y,\downarrow}) = (\frac{1}{2}, 0)

2. 边缘态特性

  • x方向带状结构:仅自旋向下带存在于体能隙中
  • y方向带状结构:仅自旋向上带存在于体能隙中
  • 电荷密度主要局域在两个边缘

3. 磁各向异性

  • 易轴方向:面外
  • 能量势垒:约0.8 meV/单胞
  • 与AM候选材料Mn5_5Si3_3相当

关键发现

1. 异常价态

实际价态为Cr22+^{2+}_2Se21^{1-}_2O2^{2-},而非形式价态Cr23+^{3+}_2Se22^{2-}_2O2^{2-}

2. 轨道杂化效应

Cr1的dxyd_{xy}轨道与Se的px/yp_{x/y}轨道强烈杂化,导致电荷从Se转移到Cr1

3. Wannier电荷中心分析

  • x方向:12个WCC中9个在x=0 a0a_0附近,3个在x=0.5 a0a_0附近
  • y方向:存在2个WCC偏离原子位置,证实轨道杂化

相关工作

AM领域发展

  1. 理论基础:自旋空间群理论的建立和完善
  2. 实验验证:MnTe、CrSb、RuO2_2中观察到的Kramers简并度解除
  3. 物理现象:反常霍尔效应、手性磁子、自旋输运等

Berry相位物理

  1. Berry曲率效应:反常霍尔效应的几何起源
  2. Berry连接效应:现代极化理论的基础
  3. 拓扑不变量:量子化极化作为拓扑分类

多铁性材料

  1. 自旋驱动铁电性:非共线磁序诱导的极化
  2. 磁电耦合:磁序与电极化的相互作用
  3. 存储器应用:快速反铁磁存储器件

结论与讨论

主要结论

  1. 新物理现象dd波PSL是AM中的一种全新拓扑现象
  2. 材料实现:单层Cr2_2X2_2O是理想的候选材料
  3. 应用前景:在自旋电子学和磁电存储器中具有重要应用价值
  4. 理论框架:建立了完整的对称性分析和材料筛选体系

局限性

  1. 材料范围:目前仅限于四方晶系的dd波AM
  2. 实验验证:理论预测需要实验确认
  3. 铁电性质:由于P对称性存在,不是传统意义的铁电体
  4. 稳定性:单层材料的实际制备和稳定性需要验证

未来方向

  1. 实验制备:合成和表征单层Cr2_2X2_2O材料
  2. 器件应用:开发基于dd波PSL的自旋电子学器件
  3. 理论扩展:将理论框架扩展到三维系统
  4. 新材料探索:寻找更多具有dd波PSL的候选材料

深度评价

优点

  1. 理论创新:首次将Berry连接与AM结合,发现新的拓扑现象
  2. 系统性强:从对称性分析到材料预测形成完整体系
  3. 计算充分:多种计算方法相互验证,结果可靠
  4. 应用导向:明确的应用场景和技术路径
  5. 写作清晰:逻辑严密,图表丰富

不足

  1. 实验缺失:纯理论工作,缺乏实验验证
  2. 材料局限:候选材料种类相对有限
  3. 机制深度:对异常价态形成机制的讨论可以更深入
  4. 定量分析:部分物理量的数值精度和误差分析不足

影响力

  1. 学术价值:为AM领域提供新的研究方向和理论工具
  2. 技术潜力:在未来自旋电子学器件中具有重要应用前景
  3. 方法意义:筛选判据可用于发现更多功能材料
  4. 交叉意义:连接了拓扑物理、磁性和铁电性多个领域

适用场景

  1. 基础研究:AM和拓扑物理的理论研究
  2. 材料设计:二维磁性材料的理性设计
  3. 器件开发:自旋滤波器、自旋分离器和磁电存储器
  4. 计算材料学:高通量材料筛选和性质预测

参考文献

本文引用了97篇重要文献,涵盖了AM理论基础、实验进展、Berry相位物理、多铁性材料等多个相关领域,为研究提供了坚实的理论基础和全面的背景知识。


总体评价:这是一篇高质量的理论物理论文,发现了二维反铁磁体中的新物理现象,建立了完整的理论框架,并预测了具有实际应用价值的候选材料。论文在理论创新、方法系统性和应用前景方面都表现出色,为AM领域的发展做出了重要贡献。