Operating two exchange-only qubits in parallel

基本信息

• 论文ID: 2504.01191
• 标题: Operating two exchange-only qubits in parallel
• 作者: Mateusz T. Mądzik, Florian Luthi, Gian Giacomo Guerreschi, Fahd A. Mohiyaddin等(Intel Corporation)
• 分类: quant-ph, cond-mat.mes-hall
• 发表时间: 2025年10月7日(arXiv v2)
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2504.01191

摘要

本文展示了在半导体量子点阵列上实现两个交换型量子比特(exchange-only qubits)的并行操作。研究使用Intel Tunnel Falls器件中线性排列的六个量子点，通过随机基准测试技术证明，在五个势垒门上发射并行脉冲调制交换相互作用，可以在保持量子比特控制质量的同时实现最大化并行操作。论文首次实验演示了iSWAP门和电荷锁定Pauli自旋阻塞读出方法，并首次在半导体量子系统上应用交叉熵基准测试进行性能验证。

研究背景与动机

核心问题

量子计算需要在有限的相干时间内执行大量高保真度量子操作。对于多量子比特系统，并行操作是关键使能技术，因为：

1. 最小化量子比特空闲时间，减少退相干导致的信息损失
2. 对于容错量子计算和量子纠错至关重要
3. 充分利用量子比特阵列的计算能力

研究重要性

半导体自旋量子比特因其与硅晶圆制造工艺的天然兼容性，成为大规模量子计算的有前景平台。其中，**交换型量子比特(EO qubits)**的独特优势是：

• 单比特门和双比特门均通过电压脉冲动态控制交换耦合实现
• 无需微波脉冲，简化了设置、制造、控制和校准要求
• 特别适合可扩展的二维阵列

现有方法局限性

1. Loss-DiVincenzo(LD)量子比特：虽然可通过频率复用微波脉冲实现并行单比特门，但双比特门(通过交换耦合)仅能顺序执行
2. 交换型量子比特：已实现高保真度单比特门和通用逻辑，但都采用顺序交换脉冲，未探索并行操作对门保真度的影响
3. 串扰问题：并行脉冲会引入电容耦合、片上和片外信号路径的串扰，需要精确补偿

研究动机

本文旨在填补交换型量子比特并行操作的空白，建立实验流程评估并行化程度，为工作负载开发和未来器件设计提供指导。

核心贡献

1. 首次实现交换型量子比特的高保真度并行操作：
   • 单比特门：并行操作保真度99.77±0.02%(Q1)和99.36±0.03%(Q2)，相比顺序操作仅降低0.05-0.07%
   • 双比特门：并行操作将门时长缩短约40%
2. 提出次近邻势垒-势垒补偿方法：
   • 针对交换型量子比特的特殊需求，设计线性虚拟化补偿方案
   • 有效抑制并行交换脉冲的串扰影响
3. 首次实验演示iSWAP门：
   • 顺序操作保真度97.43±0.43%
   • 并行操作保真度96.15±0.57%
4. 创新的电荷锁定PSB读出方法：
   • 解决多交换型量子比特系统的完整态提取问题
   • 克服单重态寿命T*₂(约2-4μs)对顺序读出的限制
5. 首次在半导体量子系统上应用交叉熵基准测试(XEB)：
   • 顺序操作：96.8±0.4%每周期保真度
   • 并行操作：97.0±0.4%每周期保真度

方法详解

任务定义

输入：两个交换型量子比特(Q1和Q2)，分别编码在量子点QD4-QD6和QD7-QD9上
输出：在保持高保真度的前提下，实现单比特和双比特门的并行操作
约束条件：

• 交换脉冲时长tp = 10.92 ns，缓冲时间tb = 10.92 ns
• 避免相邻势垒门同时脉冲(会导致不同的量子操作)
• 补偿电容耦合、信号路径等引入的串扰

交换型量子比特编码

交换型量子比特使用三个量子点中的三个电子自旋编码：

计算态定义：

• |0⟩ = |S⟩|↓⟩，其中|S⟩ = (|↑↓⟩ - |↓↑⟩)/√2是单重态
• |1⟩ = √(2/3)|T₊⟩|↓⟩ - √(1/3)|T₀⟩|↑⟩

控制轴：

• Jz轴：通过QD4-QD5(Q1)或QD8-QD9(Q2)的交换耦合实现绕z轴旋转
• Jn轴：通过QD5-QD6(Q1)或QD7-QD8(Q2)的交换耦合实现绕n = -√3X/2 - Z/2轴旋转(与z轴成120°)

旋转角度：φ = tp · J(VB)，通过调节势垒电压VB控制交换强度J

电荷锁定PSB读出

传统顺序PSB读出的问题：第二个量子比特在等待读出时会在T*₂时间尺度上退相干(2-4μs)，而读出积分时间为18μs。

电荷锁定方案：

1. (I-III) 将QD4-QD5快速脉冲至PSB读出窗口(21.84 ns)，等待自旋投影(3.64 ns)，可选降低隧穿耦合抑制弛豫
2. (IV-VI) 将QD8-QD9脉冲至读出窗口并投影
3. (VII) 对QD4-QD5积分18μs读出Q1状态
4. (VIII) 对QD8-QD9积分18μs读出Q2状态
5. (IX-X) 两个量子比特返回操作位置

关键优势：电荷在读出窗口被"锁定"，弛豫时间远长于积分时间，避免信息损失。

次近邻势垒-势垒补偿

串扰机制：

1. 电容耦合：势垒电极电压影响附近量子点的电荷态和隧穿耦合
2. 势垒电压增加不仅降低势垒高度，还使量子点相互吸引，进一步增强耦合
3. 同时脉冲时，这些效应相互叠加，改变交换耦合强度

传统虚拟化的问题：

• 理想的全补偿会限制交换耦合可调性dJN/dvBN
• 最近邻势垒-势垒虚拟化会显著降低可调范围

次近邻补偿方案： 基于观察：交换型量子比特的单比特和双比特门从不在相邻势垒门同时发射脉冲。因此：

• 只需管理次近邻(间隔一个势垒)的串扰贡献
• 允许最近邻隧穿耦合变化，但确保次近邻耦合不变
• 例如：同时脉冲B6和B8时，对B5、B7、B9施加额外补偿脉冲

校准流程：

1. 测量交换指纹(exchange fingerprint)作为势垒电压和失谐的函数
2. 跟踪同时脉冲另一势垒时指纹中心线的位移
3. 提取串扰矩阵元素(Extended Data Table 1显示良好的横向平移对称性)
4. 迭代优化使指纹独立于同时脉冲幅度(图2f)

脉冲预失真

问题：传输线有限带宽导致脉冲失真，脉冲下降时间影响后续脉冲，产生系统记忆效应。

解决方案：

1. 缓冲时间谱分析：测量不同缓冲时间tb和旋转角度下的响应，提取约8 ns和50 ns时间尺度的指数参数
2. 实时预失真：在AWG最后输出级应用指数下冲/过冲补偿
3. 长时间尺度优化：以随机Clifford门序列的可见度为代价函数，优化约500 ns时间尺度的预失真参数
4. 逐脉冲修正：根据脉冲历史修改交换脉冲幅度，而非逐采样点修正

门库设计

单比特Clifford门：

• 从正角度Jn和Jz旋转合成
• 平均需要2.666个交换脉冲

双比特门并行化：

• CNOT：23步→15步(减少35%)
• iSWAP：28步→17步(减少39%)
• SWAP：9步→5步(减少44%)
• 平均每Clifford门：32.3步→20.3步(减少37%)

镜像门(Mirroring gates)：

• 通过3个π脉冲(n-z-n)原位改变量子比特配置
• 优化双比特门序列，减少脉冲数
• 在高质量因子交换轴上调度更多脉冲

实验设置

器件与制造

• 器件：Intel Tunnel Falls 12量子点器件
• 制造工艺：300 mm硅晶圆，先进半导体制造技术
• 量子阱：Si/SiGe异质结构，²⁸Si同位素富集至800 ppm ²⁹Si残留
• 电荷配置：(1,3,1,1,3,1)，QD5和QD8各含3个电子以扩大PSB读出窗口
• 磁场：1 mT小磁场抑制核自旋动力学

校准与表征

交换耦合校准：

1. 指纹校准：确保交换脉冲对失谐方向电荷噪声不敏感
2. 初始校准：测量J(VB) = α·exp(γVB)
3. 精细校准：引入二阶修正J(VB) = α·exp(γVB + κV²B)，或使用启发式插值

退相干表征：

• 单重态寿命T*₂：2.48-4.21 μs(不同量子点对)
• 交换振荡质量因子Q：16.7-28.3
• 可分辨振荡数Nosc：20.0-35.6

评价指标

随机基准测试(RB)：

• 盲RB：每个种子恢复到|0⟩和|1⟩两次，提取泄漏误差
• 交错RB：在随机Clifford门间插入待测门，提取特定门保真度
• 每次测量：5次重复，每次20-25个随机种子

交叉熵基准测试(XEB)：

• 随机量子电路(RQC)：随机Jn/Jz单比特门 + CNOT双比特门
• 线性化XEB保真度：FXEB = D⟨pU(xj)⟩j - 1
• 100个随机电路，测量比特串分布与模拟对比

蒙特卡罗模拟：

• 估计磁噪声(δB)和电荷噪声(δJ)贡献
• δB拟合平均T̄*₂，δJ拟合可分辨振荡数Nosc

实验结果

单比特门性能

顺序操作(图3a-d)：

• Q1 Clifford保真度：99.84±0.02%(泄漏0.08±0.02%)
• Q2 Clifford保真度：99.41±0.03%(泄漏0.13±0.02%)

并行操作(图3e-g)：

• Q1 Clifford保真度：99.77±0.02%(泄漏0.11±0.04%)
• Q2 Clifford保真度：99.36±0.03%(泄漏0.16±0.03%)
• 保真度降低：0.05-0.07%，证明次近邻补偿有效

并行脉冲组合：测试了Jz-Jz、Jz-Jn、Jn-Jz、Jn-Jn等所有次近邻组合。

双比特门性能

顺序操作(图4a-c)：

• 双比特Clifford保真度：96.25±0.07%
• CNOT：97.55±0.47%
• iSWAP：97.43±0.43%(首次实验演示)
• SWAP：99.03±0.33%

并行操作(图4d-f)：

• 双比特Clifford保真度：95.80±0.08%
• CNOT：96.70±0.57%
• iSWAP：96.15±0.57%
• SWAP：98.48±0.55%
• 保真度降低：0.55-1.28%

误差预算分析(Extended Data Table 2)：

关键发现：

1. 并行化使磁噪声贡献降低超60%(门时间缩短，误差∝(tgate/T*₂)²)
2. 电荷噪声贡献基本不变
3. "其他效应"(校准误差、非马尔可夫贡献)在并行模式下增加，归因于B7与B5/B9的耦合校准不足

交叉熵基准测试(图5)

顺序操作：

• 每周期保真度：96.8±0.4%
• 与双比特RB结果一致

并行操作：

• 每周期保真度：97.0±0.4%
• 在误差范围内与顺序操作匹配

首次应用意义：证明XEB可用于半导体量子系统的整体性能评估，为扩展到更大系统提供方法学基础。

量子态层析验证

|00⟩态制备(图1c)：

• 保真度：86.4±1.4%
• 通过后选择初始化

iSWAP门相位验证(Extended Data Fig. 7)：

• 制备Q1叠加态|+⟩|0⟩
• 应用iSWAP后得到|0⟩(|0⟩+i|1⟩)/√2
• 层析结果确认预期的i相位

相关工作

自旋量子比特平台

1. Loss-DiVincenzo量子比特：
   • 单电子自旋编码，需微波脉冲操控
   • 单比特门可并行(频率复用)，双比特门顺序执行
   • 代表工作：Xue et al. (2022), Mills et al. (2022)
2. 交换型量子比特：
   • 三电子集体自旋编码，无需微波
   • 高保真度单比特门：Andrews et al. (2019)
   • 通用逻辑：Weinstein et al. (2023)
   • 并行探索：Fedele et al. (2021), Jirovec et al. (2025)，但未估计保真度影响
3. 其他编码：
   • 脉冲门控混合量子比特：Koh et al. (2012)
   • Heisenberg交换：Levy (2002)

虚拟化技术

• 标准虚拟化：Hensgens et al. (2017), Volk et al. (2019)
• 势垒-势垒虚拟化：Hsiao et al. (2020), Qiao et al. (2020)
• 本文贡献：针对并行操作的精确校准，引入次近邻补偿

读出技术

• Pauli自旋阻塞(PSB)：Petta et al. (2005)
• 冻结PSB：Nurizzo et al. (2023)
• 级联读出：van Diepen et al. (2021)
• 本文创新：电荷锁定PSB，解决多EO量子比特完整态提取

基准测试方法

• 随机基准测试：Knill et al. (2008)
• 盲RB：Andrews et al. (2019)
• 交叉熵基准测试：Boixo et al. (2018), Arute et al. (2019)
• 本文首次：在半导体系统上应用XEB

结论与讨论

主要结论

1. 并行操作可行性：成功演示交换型量子比特的高保真度并行操作，单比特门保真度降低仅0.05-0.07%
2. 次近邻补偿有效性：线性虚拟化框架足以补偿大部分串扰，但某些势垒组合(如B7-B5/B9)需二次修正
3. 门时长缩短：并行化使双比特门时长减少约40%，显著降低磁噪声误差贡献(>60%)
4. 校准精度是瓶颈：并行双比特门保真度降低0.55-1.28%，主要由校准误差和非马尔可夫效应导致
5. 方法可推广：技术可直接应用于其他量子点编码(如LD量子比特)

局限性

1. 校准复杂度：
   • 某些势垒组合的指纹形状变化需二次修正
   • 不对称调谐(靠近库的量子点隧穿耦合降低)增加校准难度
2. 器件依赖性：
   • 相邻传感器共享欧姆接触，限制完全并行读出
   • 需要两个格点间隔分离PSB对以避免串扰
3. 并行双比特门保真度：
   • 相比顺序操作下降更多(0.55-1.28% vs 0.05-0.07%)
   • 尚未观察到整体改善(尽管退相干误差降低)
4. 扩展性未验证：
   • 仅演示两个量子比特
   • 更大阵列的串扰补偿复杂度未知

未来方向

1. 改进校准：
   • 实现二次串扰补偿(Rao et al. 2024)
   • 开发自动化虚拟化系统
   • 利用器件均匀性迁移校准参数
2. 材料优化：
   • 使用更高纯度²⁸Si同位素
   • 降低电荷噪声
3. 扩展到更大系统：
   • 在二维量子点阵列上验证
   • 探索更复杂的并行调度策略
4. 读出改进：
   • 实现真正并行的多量子比特读出
   • 结合动态解耦延长空闲量子比特寿命
5. 容错应用：
   • 评估并行操作对量子纠错的影响
   • 优化并行调度以满足容错阈值(<0.1%误差)

深度评价

优点

1. 重要的里程碑：
   • 首次系统研究交换型量子比特并行操作
   • 填补该领域的关键空白，为可扩展量子计算铺平道路
2. 方法创新性：
   • 次近邻补偿：巧妙利用EO量子比特的操作特性(不同时脉冲相邻势垒)，在保持可调性的前提下实现串扰补偿
   • 电荷锁定PSB：优雅解决多EO量子比特读出难题，避免复杂的动态解耦或并行传感器设计
3. 实验充分性：
   • 完整的性能表征：单/双比特RB、交错RB、XEB
   • 详细的误差预算分析：分离磁噪声、电荷噪声、校准误差
   • 丰富的消融实验：验证串扰补偿、脉冲预失真的必要性
4. 首次演示：
   • iSWAP门(97.43%保真度)
   • 半导体系统上的XEB
   • 系统性并行操作保真度评估
5. 工程严谨性：
   • 详细的校准流程(指纹、初始、精细)
   • 脉冲预失真技术(多时间尺度)
   • 利用工业制造的器件均匀性
6. 写作清晰度：
   • 逻辑结构清晰，从问题到方法到验证
   • 丰富的补充材料(Extended Data, Supplementary)
   • 可视化效果优秀(势垒补偿示意图、脉冲序列图)

不足

1. 并行双比特门改进有限：
   • 保真度降低0.55-1.28%，未实现净改善
   • 校准精度不足抵消了退相干误差降低的优势
   • 作者归因于B7校准问题，但缺乏定量分析
2. 扩展性存疑：
   • 仅演示两个量子比特，串扰补偿复杂度如何随量子比特数扩展未知
   • 二维阵列的并行调度策略未探讨
   • 虚拟化矩阵的规模和条件数问题
3. 初始化方法不可扩展：
   • 依赖后选择，接受率1/4^N
   • 承认需要库辅助的确定性初始化，但未实现
4. 某些技术细节不足：
   • 二次串扰修正的具体形式未给出
   • 脉冲预失真优化的收敛性和鲁棒性未讨论
   • 不同随机种子间的保真度变异性未报告
5. 与理论预期的差距：
   • |00⟩态保真度仅86.4%，显著低于门保真度预期
   • 可能源于初始化、读出或相干时间限制，但未深入分析
6. 对比不够全面：
   • 缺少与LD量子比特并行操作的定量对比
   • 未讨论与超导量子比特并行操作的优劣

影响力

1. 对领域的贡献：
   • 方法学：次近邻补偿为量子点阵列并行操作提供通用框架
   • 基准：建立EO量子比特并行操作的性能基准(单比特99.36-99.77%，双比特95.80%)
   • 工具：XEB在半导体系统的应用为未来大规模验证提供范例
2. 实用价值：
   • 短期：减少双比特门时长40%，直接提升算法深度
   • 中期：为量子纠错的并行综合征提取铺平道路
   • 长期：支持容错量子计算所需的高并行度
3. 可复现性：
   • 高：详细的方法描述、校准流程、参数设置
   • 数据已公开(Zenodo)
   • 使用商业可获得的Tunnel Falls器件
4. 引领趋势：
   • 推动半导体量子计算向工业制造方向发展
   • 强调虚拟化和串扰补偿在可扩展性中的核心作用
   • 倡导多层次基准测试(RB + XEB)

适用场景

1. 直接适用：
   • Intel Tunnel Falls及类似线性/二维量子点阵列
   • 其他交换型量子比特实现
   • LD量子比特的双比特门并行化
2. 需适配：
   • 不同器件几何结构(虚拟化矩阵需重新校准)
   • 更大量子比特数(可能需二次修正或自适应虚拟化)
   • 不同制造工艺(串扰特性可能不同)
3. 启发意义：
   • 其他量子计算平台的并行操作策略
   • 多量子比特系统的串扰管理
   • 工业制造与量子计算的结合

参考文献

关键参考文献：

1. 交换型量子比特理论：
   • DiVincenzo et al., Nature 408, 339 (2000) - EO量子比特提出
   • Kempe et al., Phys. Rev. A 63, 042307 (2001) - 无退相干容错理论
2. 近期高保真度工作：
   • Andrews et al., Nature Nanotech. 14, 747 (2019) - 盲RB和泄漏量化
   • Weinstein et al., Nature 615, 817 (2023) - 通用逻辑演示
3. 虚拟化技术：
   • Hensgens et al., Nature 548, 70 (2017) - 标准虚拟化
   • Hsiao et al., Phys. Rev. Applied 13, 054018 (2020) - 隧穿耦合正交控制
4. XEB基准测试：
   • Arute et al., Nature 574, 505 (2019) - 量子霸权演示
   • Boixo et al., Nature Physics 14, 595 (2018) - XEB理论
5. 器件制造：
   • George et al., Nano Letters (2024) - Tunnel Falls器件
   • Neyens et al., Nature 629, 80 (2024) - 300 mm晶圆均匀性

总体评价：这是一篇高质量的实验物理论文，系统地解决了交换型量子比特并行操作这一重要问题。尽管并行双比特门的改进尚不明显，但方法的创新性(次近邻补偿、电荷锁定PSB)和首次演示(iSWAP、XEB)使其成为该领域的重要里程碑。论文为半导体量子计算的可扩展性提供了关键技术基础，对未来大规模量子处理器的发展具有重要指导意义。主要改进方向是提升并行双比特门的校准精度和扩展到更大系统的验证。