2025-11-14T19:13:10.825865

AC Current-Driven Magnetization Switching and Nonlinear Hall Rectification in a Magnetic Topological Insulator

Kiyonaga, Mogi, Yoshimi et al.
Spin-orbit torque arising from the spin-orbit-coupled surface states of topological insulators enables current-induced control of magnetization with high efficiency. Here, alternating-current (AC) driven magnetization reversal is demonstrated in a semi-magnetic topological insulator (Cr,Bi,Sb)2Te3/(Bi,Sb)2Te3, facilitated by a low threshold current density of 1.5x10^9 A/m^2. Time-domain Hall voltage measurements using an oscilloscope reveal a strongly nonlinear and nonreciprocal Hall response during the magnetization reversal process. Fourier analysis of the time-varying Hall voltage identifies higher-harmonic signals and a rectified direct-current (DC) component, highlighting the complex interplay among the applied current, external magnetic field, and magnetization dynamics. Furthermore, a hysteretic behavior in the current-voltage characteristics gives rise to frequency mixing under dual-frequency excitation. This effect, distinct from conventional polynomial-based nonlinearities, allows for selective extraction of specific frequency components. The results demonstrate that AC excitation can not only switch magnetization efficiently but also induce tunable nonlinear responses, offering a new pathway for multifunctional spintronic devices with potential applications in energy-efficient memory, signal processing, and frequency conversion.
academic

AC Current-Driven Magnetization Switching and Nonlinear Hall Rectification in a Magnetic Topological Insulator

基本信息

  • 论文ID: 2504.10450
  • 标题: AC Current-Driven Magnetization Switching and Nonlinear Hall Rectification in a Magnetic Topological Insulator
  • 作者: Yuto Kiyonaga, Masataka Mogi, Ryutaro Yoshimi, Yukako Fujishiro, Yuri Suzuki, Max T. Birch, Atsushi Tsukazaki, Minoru Kawamura, Masashi Kawasaki, Yoshinori Tokura
  • 分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci, physics.app-ph
  • 发表时间: 2025年（预印本）
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2504.10450

摘要

本研究在半磁性拓扑绝缘体(Cr,Bi,Sb)₂Te₃/(Bi,Sb)₂Te₃中实现了交流电流驱动的磁化反转，阈值电流密度低至1.5×10⁹ A/m²。通过示波器进行的时域霍尔电压测量揭示了磁化反转过程中强烈的非线性和非互易霍尔响应。时变霍尔电压的傅里叶分析识别出高次谐波信号和整流直流分量，突显了施加电流、外磁场和磁化动力学之间复杂的相互作用。此外，电流-电压特性中的迟滞行为在双频激励下产生频率混合效应，为多功能自旋电子器件开辟了新途径。

研究背景与动机

问题定义

  1. 核心问题：探索拓扑绝缘体中交流电流驱动的磁化动力学及其产生的非线性霍尔效应
  2. 技术挑战：传统磁化翻转需要大电流密度（10¹⁰-10¹¹ A/m²），产生严重的焦耳热效应，掩盖了内在的非线性信号
  3. 科学意义：理解自旋-电荷耦合产生的非线性输运现象，为先进自旋电子学功能开辟可能性

研究动机

  1. 能效需求：寻找低功耗的磁化控制方法
  2. 多功能性：探索同时具备磁化翻转和非线性信号处理功能的器件
  3. 基础物理：研究磁化动力学过程中的本征非线性霍尔效应

核心贡献

  1. 首次实现：在半磁性拓扑绝缘体中演示了交流电流驱动的连续磁化反转，阈值电流密度仅为1.5×10⁹ A/m²
  2. 时域测量技术：开发了实时霍尔电压测量方法，直接观察磁化反转过程
  3. 非线性霍尔效应：发现了与磁化反转相关的强非线性和迟滞霍尔响应
  4. 频率混合现象：揭示了由磁化翻转迟滞产生的非对称频率混合效应
  5. 多功能器件概念：展示了集成磁化翻转、信号处理和频率转换功能的潜力

方法详解

实验设计

样品制备：

  • 材料：(Cr,Bi,Sb)₂Te₃/(Bi,Sb)₂Te₃异质结构薄膜
  • 衬底：InP(111)
  • 制备方法：分子束外延生长
  • 器件结构：10 μm宽霍尔棒器件

测量系统：

  • 时域测量：示波器实时监测霍尔电压
  • 电流源：Keithley 6221产生AC激励
  • 环境：PPMS系统，温度2.5 K
  • 磁场：面内磁场0.01-2 T

技术创新点

  1. 实时监测技术：
    • 同时测量霍尔电压V_H(t)和纵向电阻R_xx
    • 纵向电阻作为温度计，排除热效应影响
    • 反对称化处理消除背景信号
  2. 多频分析方法：
    • 傅里叶变换分解时变霍尔电压
    • 识别相位延迟和迟滞响应
    • 双频激励研究频率混合效应
  3. 物理机制解析：
    • 自旋轨道力矩：τ⃗ × (σ⃗ × M⃗)
    • 阻尼类SOT驱动垂直磁化翻转
    • 异常霍尔效应检测磁化状态

实验设置

材料参数

  • 霍尔电导率：~0.3 × e²/h（T=2.5K）
  • 居里温度：T_C ~ 40 K
  • 电阻值：纵向电阻10 kΩ，霍尔电阻2 kΩ
  • 磁各向异性：垂直磁各向异性

测量条件

  • 温度：2.5 K（低于T_C，避免热效应）
  • 频率范围：11 Hz - 10 kHz
  • 电流幅值：14-500 μA
  • 磁场配置：面内辅助磁场0.01-2 T

对比实验

  1. 脉冲vs交流：对比脉冲电流和AC电流的磁化翻转效果
  2. 不同磁场：0.01 T vs 2 T面内磁场的响应差异
  3. 频率依赖性：多个频率下的响应特性
  4. 双频激励：37 Hz + 125 Hz的频率混合实验

实验结果

主要结果

1. AC电流驱动磁化翻转：

  • 阈值电流：~150 μA（1.5×10⁹ A/m²）
  • 翻转极性随电流和磁场方向变化
  • 霍尔电阻R_xy在阈值处发生符号反转

2. 非线性霍尔响应：

  • 低电流下：近似线性关系
  • 高电流下：蝴蝶形迟滞回线
  • 强烈的电流非线性和相位延迟

3. 磁场依赖性：

  • 0.01 T：完全磁化翻转，显著迟滞
  • 2 T：磁化倾斜，无迟滞的整流响应

傅里叶分析结果

频谱分解：

V_H(t) = V_H^(0) + V'_H^(1)sin(ωt) + V''_H^(1)cos(ωt) + 
         V'_H^(2)cos(2ωt) + V''_H^(2)sin(2ωt) + ...

关键发现：

  • 强二次谐波V'_H^(2)分量
  • 仅在0.01 T下出现相位偏移分量V''_H^(n)
  • 直流分量V_H^(0)反映整流效应

频率混合实验

双频激励（f₁=37 Hz, f₂=125 Hz）：

  • 低磁场（0.01 T）：f₁+f₂分量 >> |f₁-f₂|分量
  • 高磁场（2 T）：f₁+f₂分量 ≈ |f₁-f₂|分量
  • 物理机制：迟滞阈值破坏多项式非线性的对称性

数值模拟验证

  • 简化阈值模型重现实验观察
  • I_th = 150 μA：非对称频率混合
  • I_th = 0 μA：对称频率混合

相关工作

拓扑绝缘体自旋电子学

  1. 自旋轨道力矩：TI表面态的高效自旋-电荷转换
  2. 磁化翻转：TI/铁磁体异质结构中的低功耗翻转
  3. 异常霍尔效应：磁性TI中的大异常霍尔电导率

非线性霍尔效应

  1. 二次谐波检测：磁化振荡的常用探测方法
  2. 热电效应：Nernst效应和自旋Seebeck效应的干扰
  3. 时域测量：超快磁化翻转和畴壁运动研究

频率混合技术

  1. 传统非线性：基于多项式展开的频率变换
  2. 阈值非线性：开关行为产生的非对称响应
  3. 应用前景：信号处理和频率选择

结论与讨论

主要结论

  1. 高效磁化控制：实现了超低阈值电流密度的AC磁化翻转
  2. 丰富非线性现象：发现了与磁化动力学相关的多种非线性响应
  3. 可调控特性：通过磁场强度控制迟滞行为的有无
  4. 新型频率混合：基于阈值非线性的非对称频率变换

物理机制理解

自旋轨道力矩机制：

  • TI表面态中电子自旋与动量锁定
  • 电流产生垂直于电流方向的自旋极化
  • 阻尼类SOT使垂直磁化向电流方向倾斜

非线性响应来源：

  1. 内在机制：磁化动力学和阈值翻转
  2. 外在效应：热电效应和磁子散射
  3. 主导因素：迟滞行为确认磁化动力学为主因

局限性

  1. 温度限制：实验仅在2.5 K进行，需要高T_C材料实现室温操作
  2. 频率范围：高频下寄生电容影响测量精度
  3. 热效应分离：完全定量分离各种非线性贡献仍有挑战
  4. 器件优化：需要进一步优化材料和结构参数

未来方向

  1. 室温器件：开发高居里温度的磁性TI材料
  2. 高频应用：改进测量电路，扩展频率范围
  3. 神经形态计算：利用非线性和记忆特性构建储备池计算
  4. 集成器件：多功能自旋电子器件的设计和制备

深度评价

优点

  1. 技术创新：
    • 首次系统研究TI中AC驱动磁化动力学
    • 创新的实时测量和分析方法
    • 发现了新的非线性物理现象
  2. 实验设计：
    • 严格的温度控制排除热效应
    • 多维度对比实验验证机制
    • 数值模拟支持实验观察
  3. 科学价值：
    • 深化对自旋-电荷耦合的理解
    • 为多功能器件提供物理基础
    • 连接基础物理与应用需求

不足

  1. 温度局限：低温实验限制了实用性
  2. 材料特异性：结果可能局限于特定TI材料体系
  3. 定量分析：各种非线性贡献的定量分离有待完善
  4. 器件工程：从实验室演示到实用器件仍有距离

影响力评估

学术影响：

  • 开辟了TI非线性自旋电子学新方向
  • 为相关理论发展提供实验基础
  • 推动时域测量技术发展

应用前景：

  • 低功耗磁性存储器
  • 自旋电子信号处理器
  • 神经形态计算元件
  • 频率变换和整流器件

适用场景

  1. 基础研究：磁化动力学和非线性输运机制研究
  2. 器件开发：多功能自旋电子器件原型
  3. 技术应用：低功耗开关、信号处理、神经网络硬件
  4. 方法学：为其他磁性材料的类似研究提供范例

参考文献

论文引用了43篇重要文献，涵盖：

  • 自旋转移力矩和自旋轨道力矩基础理论1-3
  • 拓扑绝缘体磁性和输运性质20,24,25
  • 非线性霍尔效应和时域测量技术12,16-19
  • 频率混合和神经形态计算应用27,34-39

总结：本研究在半磁性拓扑绝缘体中发现了丰富的AC电流驱动磁化动力学现象和相关的非线性霍尔效应，为开发集成多种功能的新型自旋电子器件提供了重要的物理基础和技术路径。虽然目前仅在低温下验证，但其揭示的物理机制和器件概念具有重要的科学价值和应用前景。