2025-11-13T07:49:11.035604

Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits

Shen, Hua, Zou et al.
Graph representation learning on Analog-Mixed Signal (AMS) circuits is crucial for various downstream tasks, e.g., parasitic estimation. However, the scarcity of design data, the unbalanced distribution of labels, and the inherent diversity of circuit implementations pose significant challenges to learning robust and transferable circuit representations. To address these limitations, we propose CircuitGCL, a novel graph contrastive learning framework that integrates representation scattering and label rebalancing to enhance transferability across heterogeneous circuit graphs. CircuitGCL employs a self-supervised strategy to learn topology-invariant node embeddings through hyperspherical representation scattering, eliminating dependency on large-scale data. Simultaneously, balanced mean squared error (BMSE) and balanced softmax cross-entropy (BSCE) losses are introduced to mitigate label distribution disparities between circuits, enabling robust and transferable parasitic estimation. Evaluated on parasitic capacitance estimation (edge-level task) and ground capacitance classification (node-level task) across TSMC 28nm AMS designs, CircuitGCL outperforms all state-of-the-art (SOTA) methods, with the $R^2$ improvement of $33.64\% \sim 44.20\%$ for edge regression and F1-score gain of $0.9\times \sim 2.1\times$ for node classification. Our code is available at https://github.com/ShenShan123/CircuitGCL.
academic

Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits

基本信息

  • 论文ID: 2507.06535
  • 标题: Transferable Parasitic Estimation via Graph Contrastive Learning and Label Rebalancing in AMS Circuits
  • 作者: Shan Shen, Shenglu Hua, Jiajun Zou, Jiawei Liu, Jianwang Zhai, Chuan Shi, Wenjian Yu
  • 分类: cs.LG cs.SY eess.SY
  • 发表时间: 2025年10月10日 (arXiv提交)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2507.06535

摘要

本文针对模拟混合信号(AMS)电路的寄生参数估计问题，提出了CircuitGCL框架。该框架通过图对比学习和标签重平衡技术，解决了电路设计数据稀缺、标签分布不平衡以及电路实现多样性带来的挑战。CircuitGCL采用自监督策略，通过超球面表示散射学习拓扑不变的节点嵌入，同时引入平衡均方误差(BMSE)和平衡softmax交叉熵(BSCE)损失函数来缓解电路间标签分布差异。在TSMC 28nm AMS设计上的实验表明，该方法在边回归任务上R²提升33.64%~44.20%，在节点分类任务上F1分数提升0.9×~2.1×。

研究背景与动机

问题定义

现代AMS电路集成了模拟模块(如放大器、振荡器)和数字子系统(如控制器、SRAM阵列)，在设计过程中需要大量手工迭代。随着工艺节点不断缩小，寄生效应变得越来越重要，特别是寄生电容会显著影响电路性能，导致传播延迟增加、功耗上升和信号完整性下降。

研究重要性

传统的设计流程依赖于布局后仿真来验证寄生效应，这种方法耗时且成本高昂。预布局阶段的寄生参数预测能够显著减少设计迭代次数，提高设计效率。图神经网络(GNN)为此提供了有效的解决方案，能够将电路建模为图结构进行寄生参数预测。

现有方法局限性

  1. 数据稀缺性: 高质量的AMS电路数据(包括SPICE网表、布局寄生参数等)通常是专有的且生成成本高昂
  2. 电路多样性: AMS电路跨越模拟、数字和混合信号领域，具有不同的设计原理和性能要求
  3. 标签不平衡: 寄生电容分布呈现长尾特征，大电容值样本严重不足
  4. 可迁移性差: 现有方法在特定电路类型上训练，难以泛化到其他电路拓扑

核心贡献

  1. 提出CircuitGCL框架: 将表示散射机制(RSM)适配到图对比学习中，生成可直接应用于未见AMS设计的可迁移表示，无需任务特定的微调
  2. 标签重平衡技术: 通过平衡MSE和平衡BSCE损失函数解决电路数据集中的不平衡问题，增强模型跨域迁移能力
  3. 统一理论框架: 从分布对齐原理出发，为不平衡回归和分类提供统一的理论基础
  4. 广泛适用性: 该方法可直接扩展到电阻/电感预测、串扰分析、IR压降估计和跨工艺迁移等任务

方法详解

任务定义

输入: AMS电路的原理图网表，建模为异构图G = (V, E)，其中节点V表示网络、晶体管器件和引脚，边E编码连接关系 输出:

  • 边回归任务：预测耦合电容值
  • 节点分类任务：将接地电容分类到离散范围(小/中/大)

模型架构

1. 图转换模块

将异构AMS图转换为同构图，通过节点类型属性X ∈ {0,1,2}^{N×1}区分网络、器件和引脚节点。增强特征矩阵X_C ∈ R^{N×d_C}捕获详细的设计参数和连接统计信息。

2. 表示散射机制(RSM)

定义: 在D维嵌入空间R^D中，RSM强制执行两个约束：

  • 中心远离约束：节点嵌入与散射中心c最大分离
  • 均匀性约束：节点嵌入在子空间S_k上均匀分布

实现:

h̃_i = h_i / max(||h_i||_2, ε)  # L2归一化
L_scattering = -1/N ∑||h̃_i - c||²_2  # 散射损失
c = 1/N ∑h̃_i  # 散射中心

3. 在线编码器

目标编码器生成散射表示H_target = f_φ(A,X)，在线编码器产生中间表示H_online，通过预测器q_θ(·)获得预测表示z_online。对齐损失为：

L_alignment = -1/N ∑(z_i^T h_i)/(||z_i||_2 ||h_i||_2)

目标编码器参数通过指数移动平均更新：φ ← τφ + (1-τ)θ

技术创新点

1. 相比DSPD的优势

CircuitGPS使用双锚点最短路径距离(DSPD)作为位置编码，但计算和存储成本随图大小二次增长。CircuitGCL的GCL预训练具有高并行性和良好的模型可扩展性，在大规模电路上显著优于DSPD。

2. 标签重平衡理论基础

基于贝叶斯定理，训练分布p_train(y|x)与平衡分布p_bal(y|x)的关系为：

p_train(y|x)/p_bal(y|x) ∝ p_train(y)/p_bal(y)

实验设置

数据集

使用TSMC 28nm CMOS技术实现的6个AMS电路设计：

  • 训练集: SSRAM (87K节点, 134K边)
  • 测试集: DIGITAL CLK GEN, TIMING CTRL, ARRAY 128 32, ULTRA8T, SANDWICH-RAM
  • 最大设计包含4.3M节点和13.3M边

评价指标

  • 回归任务: MAE, MSE, R²
  • 分类任务: Accuracy, Precision, Recall, F1-score

对比方法

  1. ParaGraph: 基于MPNN的集成模型
  2. DLPL-Cap: 多专家GNN回归器
  3. CircuitGPS: 使用位置编码的少样本学习方法

实现细节

  • 编码器：4层ClusterGCN，256隐藏维度，Tanh激活，0.3 dropout
  • 下游GNN：5层GraphSAGE，144隐藏维度，PReLU激活
  • σ_noise = 0.001，τ = 0.99

实验结果

主要结果

边回归任务(耦合电容估计)

测试集最佳方法R²提升
TIMING CTRLCircuitGCL(GAI)41.08%
ARRAY 128 32CircuitGCL(GAI)44.20%
ULTRA8TCircuitGCL(GAI)37.44%
SANDWICH-RAMCircuitGCL(GAI)33.64%

节点分类任务(接地电容分类)

测试集最佳方法F1提升
DIGITAL CLK GENCircuitGCL(BSCE)0.9×
ARRAY 128 32CircuitGCL(BSCE)2.1×
ULTRA8TCircuitGCL(BSCE)1.2×
SANDWICH-RAMCircuitGCL(BSCE)1.5×

消融实验

RSM效果分析

RSM在所有数据集上都带来性能提升：

  • R²最大提升26.9% (ARRAY 128 32)
  • F1最大提升20.0% (ULTRA8T)
  • 最小提升也达到4.1% (F1)和6.56% (R²)

标签重平衡效果

BSCE应用于所有基线方法都带来显著的准确率提升，特别是在大规模设计上效果更明显。平衡MSE在数据稀缺区域显著提升模型性能。

相关工作

寄生参数预测

  • ParaGraph: 将电路原理图转换为图，使用MPNN预测网络电容和布局参数
  • DLPL-Cap: 结合GNN路由器和五个专家回归器处理SRAM电路中的不平衡数据分布
  • CircuitGPS: 使用少样本学习和低成本位置编码进行寄生参数预测

图对比学习

主流GCL框架都隐含地执行表示散射，这对其成功起到关键作用。本文采用SGRL作为GCL基础，在超球面内嵌入节点表示。

不平衡学习

  • 分类: 数据重采样、损失重加权、logit调整等方法
  • 回归: 相对欠探索，现有方法主要是SMOTE适配和损失重加权

结论与讨论

主要结论

  1. CircuitGCL通过自监督表示学习和分布感知损失函数，成功解决了AMS电路设计中的数据稀缺和标签不平衡问题
  2. RSM生成的拓扑不变嵌入具有优秀的跨域迁移能力
  3. 平衡损失函数从理论上统一了不平衡回归和分类问题
  4. 在多个TSMC 28nm设计上达到SOTA性能

局限性

  1. 仅在TSMC 28nm工艺上验证，跨工艺节点的迁移能力有待验证
  2. 目前专注于电容预测，对电阻/电感预测的适用性需要进一步验证
  3. 大规模电路的计算效率仍有优化空间

未来方向

  1. 扩展到更广泛的AMS电路类型
  2. 适配到寄生电阻估计
  3. 集成到RC感知的布局布线工具中
  4. 跨工艺节点的迁移学习研究

深度评价

优点

  1. 问题重要性: 针对EDA领域的实际痛点，具有重要的工程价值
  2. 方法创新性: 首次将图对比学习应用于电路寄生参数预测，RSM适配巧妙
  3. 理论贡献: 为不平衡回归和分类提供统一的理论框架
  4. 实验充分: 在多个真实电路设计上验证，结果令人信服
  5. 可重现性: 提供开源代码，便于复现和应用

不足

  1. 数据集局限: 仅使用单一工艺节点的数据，泛化能力有待验证
  2. 计算开销: 虽然比DSPD高效，但GCL预训练仍需要额外计算资源
  3. 特征工程: 对电路特征的提取和表示仍依赖人工设计
  4. 理论分析: 缺乏对为什么RSM特别适合电路图的深入理论分析

影响力

  1. 学术价值: 开创了图对比学习在EDA领域的应用，可能启发更多相关研究
  2. 工程价值: 直接可应用于商业EDA工具，提升设计效率
  3. 方法通用性: 框架可扩展到其他类型的寄生参数预测和电路分析任务

适用场景

  1. 预布局阶段: 快速评估寄生效应，减少设计迭代
  2. 设计空间探索: 在大规模设计空间中快速筛选候选方案
  3. 跨设计迁移: 将一个电路上训练的模型应用到新的电路设计
  4. EDA工具集成: 作为商业EDA工具的核心算法模块

总体评价: 这是一篇高质量的跨学科研究论文，成功将机器学习前沿技术应用于EDA领域的实际问题。方法新颖，实验充分，结果显著，具有重要的理论价值和实用价值。