Model of dark current in silicon-based barrier impurity band infrared detector devices

基本信息

• 论文ID: 2507.14923
• 标题: Model of dark current in silicon-based barrier impurity band infrared detector devices
• 作者: Mengyang Cui, Chengduo Hu, Qing Li, Hongxing Qi
• 分类: physics.app-ph cond-mat.str-el
• 发表时间: 2025年10月16日
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2507.14923v2

摘要

硅基阻挡杂质带(BIB)红外探测器中的暗电流长期以来一直是限制器件性能的关键因素。本工作提出了一种手性声子辅助的自旋电流模型来解释在低偏置电压下观察到的抛物线状暗电流行为。同时，采用空间受限电荷输运理论来阐明整个工作电压范围内的暗电流产生机制。

研究背景与动机

研究问题

1. 核心问题: 硅基BIB红外探测器中的暗电流是限制器件性能的关键因素，现有理论无法充分解释其复杂的电流-电压特性
2. 具体表现: 实验观察到的暗电流特性表现出不同的工作区间：初始非线性增加、突然转变为线性欧姆传导、最终达到电流饱和状态
3. 特殊现象: 在非理想条件下制备的器件偶尔表现出负微分电阻(NDR)现象

重要性

1. 天文探测应用: BIB探测器在天文探测中发挥关键作用，暗电流直接影响探测精度
2. 器件优化需求: 理解暗电流机制对于抑制噪声、提升器件实用性至关重要
3. 理论空白: 缺乏针对硅基BIB器件的专门暗电流模型

现有方法局限性

1. 传统模型不足: 现有理论无法解释低偏压下的抛物线状暗电流行为
2. 机制理解缺失: 对整个工作电压范围内暗电流产生机制缺乏统一理解
3. 超导现象忽视: 未考虑超低温下硅基材料可能的超导特性

核心贡献

1. 首次提出针对硅基BIB器件的专门暗电流模型
2. 创新理论框架: 提出手性声子辅助的自旋电流模型解释低偏压下的抛物线状暗电流行为
3. 统一机制描述: 采用空间受限电荷输运理论阐明全电压范围内的暗电流机制
4. 超导效应整合: 将超低温下的超导现象纳入BIB器件的理论描述框架
5. 定量预测能力: 提供了可定量预测暗电流大小的理论模型

方法详解

理论基础

Cooper对形成机制

论文基于以下核心假设构建理论框架：

• 在局域电子态中形成类Cooper电子对，不严格要求反平行动量
• 体材料尺寸大大超过低温下波函数的相干长度
• 声子介导的吸引相互作用使Cooper对形成成为可能

关键物理量计算

声子介导吸引势：

Ue−ph = −∫d³rd³r′ge−phδ(r−r′)ψ²(r)ψ²(r′)

库伦排斥能：

UC = ∫d³rd³r′ e²/(ε₁|r−r′|) ψ²(r)ψ²(r′) = (I₄₋d₂/I₃₋d₂) × e²/(ε₁ξloc)

吸引排斥比：

|Ue−ph|/UC ≈ 2λ₀ > 1

表明声子介导的电子对形成在能量上是有利的。

自旋电流模型

Bogoliubov-de Gennes哈密顿量

考虑Zeeman能级劈裂效应，构建4×4矩阵形式：

H(k) = [
  ξk + ηE    0        0      Δ
  0          ξk - ηE  -Δ     0
  0          -Δ       -ξ₋k - ηE  0
  Δ          0        0      -ξ₋k + ηE
]

其中：

• ξk = ℏ²k²/(2m) - μ (μ为化学势)
• Beff = ηE = η₀e^(-T/Tc)E (有效Zeeman场)
• Δ 为同一晶格位点电子的结合能

自旋电流密度表达式

js = -e²τn√(2mE)/(4π²ℏ³kBT) ∫₍₋μ₎^ξc dξ [ξ/√(ξ²+Δ²)] × (ξ+μ)^(3/2) × 
     {cosh⁻²[(√(ξ²+Δ²) + ηE)/(2kBT)] - cosh⁻²[(√(ξ²+Δ²) - ηE)/(2kBT)]}

该表达式预测自旋电流在低场范围内对电场呈二次依赖关系。

空间受限电荷输运理论

基本方程组

泊松方程：

dF/dx = e/ε (ρ + nt(ρ) - ND)

电流密度方程：

Jn = μn(enE + kT∇n) + eμtntDE

陷阱态密度模型

考虑单占据和双占据效应：

nt = [g₁NtnNc exp(-E₁/kT) + 2g₂Ntn² exp(-E₂/kT)] / 
     [Nc² + g₁nNc exp(-E₁/kT) + g₂n² exp(-E₂/kT)]

其中：

• E₁ = (Et - Ec + δEFr + δEScr)/1 (单占据有效陷阱能级)
• E₂ = [2(Et - Ec) + U + δEFr + δEScr]/2 (双占据有效陷阱能级)

实验设置

模型参数

论文采用理论建模方法，主要参数设置包括：

自旋电流模型参数：

• 弛豫时间：10 ps
• 化学势：0.15 eV
• 截止能量：0.05 eV
• 转变温度：60 K
• 手性声子耦合系数：1×10⁻¹⁵ eV·m/V

电荷输运模型参数：

• 相对介电常数：11.7
• 在位势：0.03 eV
• 有效电子质量：0.26 me
• 掺杂剂能级：-0.04 eV
• 陷阱密度：1×10²⁶ m⁻³
• 掺杂浓度：8×10²⁵ m⁻³

器件结构

• 将BIB器件抽象为阻挡层、界面和体吸收层的串联结构
• 考虑约200nm的吸收层段，掺杂浓度约1×10²⁶ m⁻³
• 建模为立方结构以便于理论计算

实验结果

自旋电流预测

图1展示了吸收层/阻挡层界面处的自旋电流密度理论预测曲线。结果显示：

• 在低电场范围内，自旋电流确实表现出对电场的二次依赖关系
• 温度对自旋电流有显著影响，符合超导转变温度附近的理论预期

面电流密度分析

图2给出了基于空间受限电荷输运理论的面电流密度分布预测：

• 模型能够计算在不同温度下达到目标面电流密度所需的电压
• 展现了从低偏压非线性到高偏压线性的完整转变过程

掺杂能级影响

图3展示了20K下不同掺杂能级对暗电流的理论预测：

• 掺杂能级显著影响暗电流大小
• 为不同掺杂条件下的BIB器件暗电流计算提供指导

相关工作

超导相关研究

• 硅界面改性和掺杂体材料的超导性实验证据⁵'⁶
• 硅基材料手性超导性的实验实现，Tc接近10K
• Cooper对形成和声子辅助隧穿效应的理论建模¹¹⁻¹⁹

自旋电流理论

• 手性声子的理论和实验研究⁷'⁸
• 局域态间电子输运产生的手性声子⁹
• 螺旋电流和等效Zeeman场效应²²⁻²⁸

BIB器件研究

• 天文探测中BIB探测器的应用¹'²
• 杂质带到导带的光激发机制³'⁴
• 负微分电阻现象的观察¹⁰

结论与讨论

主要结论

1. 机制阐明: 首次从理论上解释了硅基BIB器件中暗电流的复杂行为机制
2. 模型统一: 将界面手性声子效应和体材料电荷输运统一在单一理论框架内
3. 定量预测: 提供了可定量预测暗电流的理论工具
4. 设计指导: 为抑制BIB探测器暗电流提供了理论指导

物理图像

• 低偏压区间: 手性声子辅助的自旋电流主导，表现为抛物线状I-V特性
• 中偏压区间: 陷阱填充-去陷阱机制主导，电子首先占据陷阱态再热激发到导带
• 高偏压区间: 转入金属态并最终达到饱和

局限性

1. 理论假设: 基于Cooper对形成的假设需要更多实验验证
2. 参数依赖: 模型中某些参数需要通过实验标定
3. 温度范围: 主要适用于超低温工作条件
4. 材料特异性: 模型参数可能需要针对不同掺杂条件调整

未来方向

1. 实验验证: 需要设计实验验证手性声子辅助自旋电流的存在
2. 参数优化: 通过实验数据拟合优化模型参数
3. 器件设计: 基于理论指导设计低暗电流BIB器件
4. 扩展应用: 将理论扩展到其他类型的红外探测器

深度评价

优点

1. 创新性强: 首次将超导理论引入BIB器件暗电流分析，视角新颖
2. 理论完整: 构建了从微观机制到宏观现象的完整理论链条
3. 实用价值: 提供了定量计算工具，对器件设计有指导意义
4. 物理图像清晰: 对不同电压区间的物理机制给出了清晰解释

不足

1. 实验验证缺失: 纯理论工作，缺乏实验数据支撑
2. 假设较强: Cooper对形成等关键假设需要更严格的理论或实验证明
3. 参数来源: 部分模型参数的选取缺乏充分依据
4. 适用范围: 理论适用的具体条件和范围需要进一步明确

影响力

1. 学术贡献: 为BIB器件物理提供了新的理论视角
2. 技术应用: 对红外探测器设计和优化具有潜在价值
3. 交叉领域: 促进了超导物理与半导体器件研究的交叉融合

适用场景

1. 天文探测: 超低温工作的红外天文探测器
2. 器件设计: BIB结构优化和暗电流抑制
3. 理论研究: 低维系统中的电荷输运机制研究

参考文献

论文引用了31篇相关文献，涵盖了BIB器件应用、超导理论、自旋电流、手性声子等多个研究领域，体现了工作的跨学科特征和理论基础的广泛性。