Two-dimensional (2D) kagome materials have drawn extensive research interest due to their unique electronic properties, like flat bands, magnetic frustration, and topological quantum states, which enable precise quantum state control and novel device innovation. Yet, simultaneously achieving high stability, tunability, and multifunctionality in 2D kagome systems remains a key material design challenge. In this study, we innovatively propose a new paradigm for constructing two-dimensional multi-kagome-layer materials based on the "1+3" design concept. By seamlessly integrating high-throughput screening techniques, we have successfully identified 6,379 novel 2D multilayer kagome candidates from a vast pool of candidates. These materials exhibit a rich diversity of types, encompassing 173 metals, 27 semimetals, 166 ferromagnetic semiconductors, and as many as 6,013 semiconductors. Furthermore, based on the 2D flat-band scoring criteria, we conducted a detailed analysis of the flat-band characteristics of the energy bands near the Fermi level in the predicted systems. Our findings reveal that approximately two-thirds of the systems meet the 2D flat-band scoring criteria, and notably, several systems exhibit nearly perfect flat-band characteristics. Our work provides an excellent paradigm for the design and research of 2D multilayer kagome materials
academic- 论文ID: 2510.08903
- 标题: High-Throughput Screening of Transition Metal-Based 2D Multilayer Kagome Materials via the "1 + 3" Design Strategy
- 作者: Xing-Yu Wang, En-Qi Bao, Su-Yang Shen, Jun-Hui Yuan, Jiafu Wang
- 分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
- 机构: 武汉理工大学物理与力学学院、材料与微电子学院
- 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.08903
二维(2D) kagome材料因其独特的电子性质(如平带、磁阻挫和拓扑量子态)而引起广泛研究兴趣,这些性质使得精确的量子态控制和新颖器件创新成为可能。然而,在2D kagome系统中同时实现高稳定性、可调性和多功能性仍然是材料设计的关键挑战。本研究创新性地提出了基于"1+3"设计概念构建二维多kagome层材料的新范式。通过无缝集成高通量筛选技术,成功从庞大的候选池中识别出6,379种新型2D多层kagome候选材料。这些材料展现出丰富的类型多样性,包括173种金属、27种半金属、166种铁磁半导体和多达6,013种半导体。
- kagome材料的稀缺性:尽管kagome晶格具有独特的几何阻挫和电子结构特征,但在真实材料中具有本征kagome电子性质的材料极为稀少,已知的kagome网络结构材料中仅约7%表现出相关电子特性。
- 维度冲突:2D kagome晶格的本质与传统3D块体材料研究范式之间存在冲突,三维系统中的关键电子能带往往被掩盖或偏离费米能级,难以观察和利用新颖物理性质。
- 单层系统局限性:虽然单层kagome系统已展示新颖物理性质,但实验合成面临重大挑战,且在量子态深度调控方面存在局限性。
- kagome晶格的能带结构具有狄拉克锥、范霍夫奇点和局域化平带特征
- 为诱导铁磁性和分数量子霍尔效应等量子现象提供理论平台
- 多层kagome系统具有优越的调控潜力,层间耦合可诱导多个范霍夫奇点
- 传统制备本征2D kagome结构的方法可扩展性差
- 缺乏系统的多kagome层材料数据库和高效通用理论设计策略
- 结构-性质关系不明确,层间耦合强度与电子态演化的定量关联尚未建立
- 创新设计策略:提出基于"1+3"概念的2D多层kagome材料设计新范式,通过在2×2超胞内引入对称性破缺诱导系统自发重构为kagome晶格
- 大规模材料发现:通过高通量筛选从20,160个候选材料中识别出6,379种稳定的2D多层kagome材料
- 丰富材料类型:发现的材料涵盖173种金属、27种半金属、166种铁磁半导体和6,013种半导体
- 平带特性分析:基于2D平带评分准则,发现约三分之二的系统满足平带条件,其中4,189种半导体材料具有平带特征
- 系统分类框架:建立了"6+12"和"6+11"系统及其衍生配置的完整分类体系
以Bi₂Se₃晶体结构为例,设计概念包括:
- 将2D Bi₂Se₃单层扩展为2×2×1超胞,形成Bi₈Se₁₂结构
- 泛化为M₈X₁₂配置,包含两个M原子层,每层M原子排列为密堆积六角网格
- 按"1+3"策略同时移除上下M原子层中位于(2/3, 1/3, up)和(1/3, 2/3, down)坐标的M原子
- 保留四分之三的M原子,获得M₆X₁₂晶体配置("6+12"配置)
- M₆X₁₂系统:包含两个由M原子形成的kagome晶格
- M₆X₁₁系统:通过移除中心层边缘X原子,形成三个kagome层
- 多元素配置:基于四个非等价X位点(X1, X2, X3, X4)的元素差异,可衍生出多种配置
- 基于密度泛函理论(DFT)使用VASP软件
- 结构优化和形成能计算
- 声子谱、从头算分子动力学(AIMD, 300K)和弹性常数计算
- 使用HSE06杂化泛函进行能带结构计算
- 热力学稳定性:形成能小于零
- 动力学稳定性:声子谱无虚频
- 热稳定性:300K下AIMD模拟
- 机械稳定性:弹性常数满足Born准则
- 过渡金属M:8种元素(Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta)
- 非金属X:10种元素(C, Si, N, P, S, Se, Te, Cl, Br, I)
- 总候选数量:20,160种材料
- 数据库生成:基于元素排列组合生成候选材料数据库
- 稳定性筛选:形成能、声子谱、AIMD和弹性常数计算
- 电子结构计算:HSE06泛函计算能带结构
- 材料分类:根据能带结构分为金属、半金属、铁磁半导体和半导体
- 平带特征提取:基于2D平带评分准则分析平带特性
- 平面波截断能:根据VASP推荐值设置
- k点网格:确保收敛性的密度
- 交换关联泛函:PBE用于结构优化,HSE06用于电子性质
- 平带评分参数:ΔE = 0.5 eV, ω = 25 meV
从20,160个候选材料中筛选出6,379种稳定系统:
- 金属:173种 (2.7%)
- 半金属:27种 (0.4%)
- 铁磁半导体:166种 (2.6%)
- 半导体:6,013种 (94.3%)
- 二元化合物:15种稳定的2D M₆X₁₂化合物
- Ti₆Te₁₂:金属性质
- 其余14种:半导体特性,带隙范围0.03-1.54 eV
- "6+6+6"衍生系统:76种稳定化合物
- V₆P₆I₆:金属性质
- Ta₆S₆Cl₆和Ta₆Te₆I₆:半金属性质
- 其余73种:半导体特性
- 二元化合物:仅Sc₆Cl₁₁一种稳定结构,表现为金属
- "6+2+3+6"系统:218种稳定化合物
- "6+5+6"子类:69种稳定化合物
- Ti₆Te₁₂:金属性质
- Hf₆Cl₁₂:Γ-K直接带隙,K点处具有多个狄拉克点
- Sc₆Cl₁₁:从直接带隙半导体转变为金属,0.6 eV附近出现近完美平带
- Y₆S₆Cl₆:价带顶具有近完美平带特征,导带保持完整kagome能带特征
- Ti₆Se₂Te₃I₆:半金属,K点处具有狄拉克锥
- 在6,013种半导体中,4,189种(69.6%)满足2D平带评分准则
- 评分参数:ΔE = 0.5 eV, ω = 25 meV
- 部分系统评分高达1(完美平带)
- 当X1位点的VA、VIA、VIIA族元素被IVA族元素替代时,系统多表现出磁性
- 例如Hf₆C₂S₃Cl₆为铁磁半导体,自旋向上和向下态均表现为半导体特性
- 实验制备:单层kagome系统的实验合成面临重大挑战,成功案例较少
- 理论预测:主要集中在单层kagome系统,对2D双层或多层kagome材料研究仍处于起步阶段
- Type-II系统:由于独特的对称性组合,Type-II双层kagome系统具有特殊科学价值
- 传统方法:制备块体kagome材料的单层对应物,可扩展性差
- "1+3"策略:利用2D材料的三角晶格构建块,通过对称性破缺诱导kagome重构
- 已验证系统:在多个系统中得到验证并扩展到金属氧化物单层
- 成功建立设计范式:基于"1+3"策略的2D多层kagome材料设计方法具有高度通用性
- 发现大量稳定材料:6,379种稳定材料为量子器件研究提供丰富材料库
- 优异平带特性:约70%的半导体材料具有平带特征,为平带物理研究提供理想平台
- 多样化电子性质:涵盖金属、半金属、半导体和铁磁半导体,满足不同应用需求
- 验证范围:由于筛选范围庞大,论文中仅展示部分筛选结果
- 实验验证:理论预测需要实验验证来确认材料的实际可合成性
- 应用探索:具体的器件应用和性能优化有待进一步研究
- 实验合成:选择有代表性的材料进行实验制备和表征
- 性能优化:通过应变、电场等外部条件调控材料性质
- 器件应用:探索在量子器件、自旋电子学等领域的应用潜力
- 理论深化:建立层间耦合强度与电子态演化的定量关系
- 创新性强:提出的"1+3"设计策略具有高度原创性和通用性
- 系统性好:建立了完整的材料分类和筛选体系
- 规模庞大:高通量筛选规模达到2万余种候选材料
- 结果丰富:发现的6,379种稳定材料类型多样,为后续研究提供丰富选择
- 方法严谨:采用多重稳定性判据确保预测材料的可靠性
- 实验验证缺失:作为纯理论工作,缺乏实验验证支撑
- 机理分析不深:对于平带形成机理和层间耦合效应的物理机制分析有待加强
- 应用导向不明确:缺乏针对特定应用的性能优化和设计指导
- 数据完整性:论文声明部分筛选结果仍在验证中,数据完整性有待提高
- 学术价值:为2D kagome材料研究提供了新的理论框架和大量候选材料
- 实用前景:预测的材料在量子计算、自旋电子学等领域具有潜在应用价值
- 方法推广:设计策略可推广到其他2D材料体系的设计
- 数据库价值:建立的材料数据库为后续研究提供重要参考
- 理论研究:为kagome物理、平带物理等基础研究提供材料平台
- 器件设计:为量子器件、拓扑器件设计提供候选材料
- 高通量计算:为材料信息学和高通量材料设计提供方法参考
- 实验指导:为实验合成提供目标材料和理论预期
论文引用了27篇重要参考文献,涵盖kagome材料的理论基础、实验进展和计算方法等方面,体现了对该领域研究现状的全面了解和深入思考。
本论文通过创新的"1+3"设计策略和大规模高通量筛选,为2D多层kagome材料的理论设计和实验探索开辟了新的途径,具有重要的学术价值和应用前景。