2025-11-15T23:16:12.240703

Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz

Bai, Mukhopadhyay, Elliott et al.
In this work, we demonstrate a passivation-free Ga-polar recessed-gate AlGaN/GaN HEMT on a sapphire substrate for W-band operation, featuring a 5.5 nm Al0.35Ga0.65N barrier under the gate and a 31 nm Al0.35Ga0.65N barrier in the gate access regions. The device achieves a drain current density of 1.8 A/mm, a peak transconductance of 750 mS/mm, and low gate leakage with a high on/off ratio of 10^7. Small-signal characterization reveals a current-gain cutoff frequency of 127 GHz and a maximum oscillation frequency of 203 GHz. Continuous-wave load-pull measurements at 94 GHz demonstrate an output power density of 2.8 W/mm with 26.8% power-added efficiency (PAE), both of which represent the highest values reported for Ga-polar GaN HEMTs on sapphire substrates and are comparable to state-of-the-art Ga-polar GaN HEMTs on SiC substrates. Considering the low cost of sapphire, the simplicity of the epitaxial design, and the reduced fabrication complexity relative to N-polar devices, this work highlights the potential of recessed-gate Ga-polar AlGaN/GaN HEMTs on sapphire as a promising candidate for next-generation millimeter-wave power applications.
academic

Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz

基本信息

  • 论文ID: 2510.08933
  • 标题: Passivation-Free Ga-Polar AlGaN/GaN Recessed-Gate HEMTs on Sapphire with 2.8 W/mm POUT and 26.8% PAE at 94 GHz
  • 作者: Ruixin Bai, Swarnav Mukhopadhyay, Michael Elliott, Ryan Gilbert, Jiahao Chen, Rafael A. Choudhury, Kyudong Kim, Yu-Chun Wang, Ahmad E. Islam, Andrew J. Green, Shubhra S. Pasayat, Chirag Gupta
  • 机构: University of Wisconsin-Madison, KBR, Air Force Research Laboratory
  • 分类: physics.app-ph
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.08933

摘要

本研究展示了一种基于蓝宝石衬底的无钝化Ga极性凹陷栅极AlGaN/GaN HEMT器件，专为W波段应用设计。器件在栅极下方采用5.5 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N势垒，栅极接入区采用31 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N势垒。器件实现了1.8 A/mm的漏极电流密度、750 mS/mm的峰值跨导，以及10⁷的高开关比。小信号表征显示电流增益截止频率为127 GHz，最大振荡频率为203 GHz。在94 GHz连续波负载牵引测试中，器件展现了2.8 W/mm的输出功率密度和26.8%的功率附加效率(PAE)，这两项指标均为蓝宝石衬底上Ga极性GaN HEMT的最高报告值，与SiC衬底上的先进Ga极性GaN HEMT性能相当。

研究背景与动机

问题定义

W波段(75-110 GHz)在高分辨率雷达、卫星通信和新兴无线系统中具有重要地位。传统GaN HEMT器件在实现高频操作和有效色散控制的同时面临挑战，主要问题包括：

  1. 厚钝化层引起的寄生电容问题：传统GaN HEMT的厚钝化层导致高寄生电容，阻碍了高工作频率和有效色散控制的同时实现
  2. 衬底成本问题：SiC衬底成本高昂，限制了大规模应用
  3. N极性器件的复杂性：N极性GaN HEMT虽然性能优异，但其生长和制造工艺比传统Ga极性器件更复杂

研究动机

  1. 降低成本：使用低成本蓝宝石衬底替代昂贵的SiC衬底
  2. 简化工艺：采用Ga极性结构相比N极性具有更简单的外延设计和制造工艺
  3. 性能突破：在蓝宝石衬底上实现与SiC衬底相当的W波段性能

核心贡献

  1. 首次展示了基于蓝宝石衬底的无钝化Ga极性凹陷栅极AlGaN/GaN HEMT在W波段的优异性能
  2. 创新的外延结构设计：采用31 nm厚Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N势垒层，实现深凹陷栅极结构而不增加薄层电阻
  3. 创纪录的性能指标：在94 GHz实现2.8 W/mm输出功率密度和26.8% PAE，为蓝宝石衬底Ga极性GaN HEMT的最高值
  4. 无钝化设计：通过深凹陷结构实现合理的色散控制，避免了额外介电层的寄生电容

方法详解

器件结构设计

外延层结构

  • 衬底：铁掺杂半绝缘GaN缓冲层在蓝宝石衬底上
  • 沟道层：1 μm非故意掺杂(UID) GaN
  • 中间层：0.7 nm AlN
  • 势垒层：31 nm Al₀.₃₅Ga₀.₆₅N

器件几何参数

  • 源漏间距(Lsd)：0.5 μm
  • 源栅间距(Lsg)：100 nm
  • 栅极长度(Lg)：90 nm
  • 凹陷后势垒厚度：~5.5 nm

制造工艺流程

  1. n+欧姆区再生长：形成低阻欧姆接触
  2. 台面隔离：使用BCl₃/Cl₂反应离子刻蚀(RIE)
  3. 硬掩膜沉积：200 nm SiO₂作为硬掩膜
  4. 栅极定义：电子束光刻(EBL)定义栅极
  5. 势垒凹陷：低功率BCl₃/Cl₂ RIE刻蚀至5.5 nm厚度
  6. 栅极介电层：4 nm HfO₂原子层沉积(ALD)，250°C
  7. 栅极金属：50 nm TiN，275°C ALD沉积
  8. T型栅极头：Cr/Au电子束蒸发
  9. 去除硬掩膜：缓冲氧化物刻蚀(BOE)
  10. 欧姆接触：Ti/Au电子束蒸发

技术创新点

深凹陷结构设计

通过将原本31 nm的势垒层刻蚀至5.5 nm，实现了：

  • 提高栅极长度与栅极-沟道距离的纵横比
  • 改善栅极控制能力
  • 在栅极区域和栅极接入区域之间创建阈值电压差，补偿虚拟栅极效应

无钝化设计优势

  • 消除额外介电层的寄生电容
  • 在给定栅极长度下实现更高截止频率
  • 简化制造工艺

实验设置

测试条件

  • DC特性测试：标准I-V特性测量
  • 脉冲I-V测试：脉宽50 μs，占空比1%，静态偏压Vgsq=-3V，Vdsq=5V
  • S参数测试：100 MHz至43.5 GHz，SOLT校准
  • 负载牵引测试：94 GHz连续波，TRL校准

评价指标

  • 漏极电流密度(ID)
  • 峰值跨导(gm)
  • 开关比(Ion/Ioff)
  • 电流增益截止频率(ft)
  • 最大振荡频率(fmax)
  • 输出功率密度(POUT)
  • 功率附加效率(PAE)

实验结果

DC特性表现

  • 最大漏极电流密度：~1.8 A/mm
  • 导通电阻：0.41 Ω·mm
  • 接触电阻：~0.1 Ω·mm（通过再生长欧姆接触实现）
  • 峰值跨导：0.75 S/mm
  • 开关比：~10⁷

薄层电阻分析

凹陷区域薄层电阻从250 Ω/□增加到320 Ω/□，增幅适中且在可接受范围内。

色散控制性能

脉冲I-V测试显示：

  • 仅观察到轻微的膝点漂移
  • 无显著电流坍塌
  • 低漏极偏压下轻微电流退化(~15%)，但随Vds增加而减小

高频特性

在Vgs=-3V，Vds=6V条件下：

  • 电流增益截止频率(ft)：127 GHz
  • 最大振荡频率(fmax)：203 GHz

W波段功率性能

94 GHz连续波负载牵引测试结果：

漏极偏压输出功率密度功率附加效率
8V2.15 W/mm27.8%
10V2.8 W/mm26.8%

性能对比分析

与83-95 GHz范围内已报告的GaN HEMT器件对比：

  • 超越早期蓝宝石衬底N极性器件
  • 与部分SiC衬底Ga极性器件性能相当
  • 为蓝宝石衬底Ga极性GaN HEMT的最高性能

相关工作

N极性GaN HEMT发展

  • SiC衬底：8.84 W/mm输出功率，27% PAE
  • 蓝宝石衬底：5.8 W/mm输出功率，38% PAE
  • 但制造复杂度高，氧亲和性强

Ga极性GaN HEMT现状

  • SiC衬底上已有优异表现：
    • 预匹配梯度沟道HEMT：2.94 W/mm，37% PAE
    • ScAlN势垒HEMT：3.57 W/mm，24.3% PAE
  • 蓝宝石衬底上缺乏可比较结果

凹陷栅极结构挑战

传统Ga极性器件中GaN帽层增加薄层电阻，影响RF性能，本工作通过厚势垒层设计解决了这一问题。

结论与讨论

主要结论

  1. 成功展示了基于蓝宝石衬底的无钝化Ga极性凹陷栅极AlGaN/GaN HEMT
  2. 在94 GHz实现了2.8 W/mm输出功率密度和26.8% PAE的创纪录性能
  3. 证明了深凹陷结构在无钝化条件下的有效色散控制能力

局限性

  1. 与最新N极性器件仍有性能差距：最新N极性蓝宝石衬底器件性能仍然更优
  2. 自热效应：蓝宝石衬底的导热性能限制，需要控制静态漏极电流以减轻自热
  3. 短沟道效应：器件存在一些短沟道效应影响

未来方向

  1. 制造工艺优化：进一步优化制造工艺以缩小与SiC衬底器件的性能差距
  2. 热管理改进：开发更好的热管理技术以充分发挥器件潜力
  3. 结构优化：继续优化外延结构和器件几何参数

深度评价

优点

  1. 技术创新性强：首次在蓝宝石衬底上实现如此高的Ga极性GaN HEMT W波段性能
  2. 实用价值高：低成本衬底+简化工艺，具有很强的产业化前景
  3. 实验设计完整：从DC到高频，从小信号到大信号的全面表征
  4. 对比分析充分：与现有技术的详细对比分析

不足

  1. 理论分析深度有限：对深凹陷结构色散控制机理的理论分析可以更深入
  2. 长期可靠性缺失：缺乏器件长期可靠性和稳定性数据
  3. 工艺细节不够详细：某些关键制造工艺参数描述不够详细

影响力

  1. 学术贡献：为低成本高性能毫米波器件开辟了新路径
  2. 产业价值：为商业化毫米波应用提供了成本效益更高的解决方案
  3. 技术启发：证明了合理设计可以在低成本衬底上实现高性能

适用场景

  1. 商业毫米波通信系统：成本敏感的大规模应用
  2. 雷达系统：需要高功率密度的应用
  3. 卫星通信：W波段功率放大器应用

参考文献

论文引用了29篇相关文献，主要涵盖：

  • GaN HEMT基础研究1
  • N极性GaN技术发展2-8
  • W波段功率器件9-29
  • 器件物理和制造工艺相关研究

总体评价：这是一篇高质量的应用物理研究论文，在技术创新和实用价值方面都有重要贡献。通过巧妙的结构设计和工艺优化，在低成本衬底上实现了与高成本衬底相当的性能，为毫米波器件的产业化发展提供了重要参考。