Room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility and ferrotoroidicity

基本信息

• 论文ID: 2510.09327
• 标题: Room-temperature magnetic semiconductor with superhigh hole mobility and ferrotoroidicity
• 作者: Jianyuan Qi, Shijie Xiong, Beining Ma, Xinghai Shen (北京大学)
• 分类: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other physics.chem-ph
• 所属机构: 北京大学化学与分子工程学院，应用物理与技术研究中心
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.09327

摘要

室温磁性半导体的设计和制备被全世界公认为一项重大挑战，在自旋电子学领域具有重要的理论和实用价值。与稀磁半导体相比，本征室温磁性半导体的开发极为罕见。本文报告了一种基于铀酰和环糊精超分子自组装形成的磁性半导体薄膜，其居里温度高于室温。电学测量显示该薄膜表现出典型的p型半导体特性，载流子迁移率高达(3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹，可与n型半导体实现优异匹配。室温磁性半导体的超高空穴迁移率可归因于铁环形性的形成和高度有序的传输通道。这项工作为铁环形材料在传感、信息存储以及柔性电子器件中的应用铺平了道路。

研究背景与动机

核心问题

1. 室温磁性半导体的制备挑战：室温磁性半导体的设计和制备是Science杂志2005年发布的125个最具挑战性科学问题之一。传统的稀磁半导体(DMS)需要满足多个严苛条件：居里温度超过室温、门控可调磁性、无掺杂剂偏析、建立长程磁序等。
2. p型半导体迁移率限制：现有p型半导体的载流子迁移率远低于n型半导体，例如SiC约120 cm²V⁻¹s⁻¹，InSe约800 cm²V⁻¹s⁻¹，黑磷约1350 cm²V⁻¹s⁻¹，严重限制了电子器件的应用。

研究意义

• 自旋电子学应用：磁性半导体可同时操控电荷和自旋自由度，在自旋电子器件中具有广阔应用前景
• 器件匹配需求：高迁移率p型半导体与n型半导体的匹配对实用化至关重要
• 新型铁性材料：铁环形性作为第四种基本铁性序，在信息存储等领域具有重要应用价值

核心贡献

1. 首次通过超分子自组装制备室温磁性半导体：基于铀酰-γ-环糊精体系，实现了居里温度超过300K的本征磁性半导体
2. 实现超高空穴迁移率：载流子迁移率达到(3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹，显著超越现有p型半导体材料
3. 发现铁环形性机制：揭示了同时打破时间反演对称性和空间反演对称性的铁环形性是实现优异性能的关键
4. 建立五步耦合模型：提出了从微观到宏观的磁矩耦合机制，解释了室温磁性和超高迁移率的起源

方法详解

材料制备策略

U2薄膜制备

• 前驱体溶液：UO₂(NO₃)₂·6H₂O (0.5 mmol) + γ-CD (1 mmol) + CsOH溶液(10 mmol)
• 自组装过程：旋涂法制备，γ-CD与金属离子配位形成超分子自组装晶体
• 薄膜厚度调控：通过调节旋涂速度(2000-8000 rpm)和前驱体浓度控制厚度(0.8-1.4 μm)

U1@U2磁性薄膜制备

两种还原方法将UO₂²⁺还原为UO₂⁺：

1. 辐照还原：⁶⁰Co源，总剂量600 kGy，剂量率100 Gy/min
2. 光还原：LED灯照射12小时，功率100 mW

结构特征

• 晶体结构：(γ-CD)₈(UO₂)₈Cs₁₆夹心型配位结构
• 形貌特征：由众多小四方晶体交错堆叠形成的多晶薄膜
• 还原效率：XPS分析显示69.2%的六价铀被还原为五价铀

实验设置

表征方法

1. 结构表征：PXRD、SEM、TEM、EDS
2. 磁性表征：SQUID磁强计(MPMS-3)、EPR、AC/DC磁化率测量
3. 电学表征：霍尔器件制备、场效应晶体管特性测量
4. 对称性分析：二次谐波产生(SHG)光谱

器件制备

• 霍尔器件：底栅顶电极结构，Au电极(50 nm厚)
• 绝缘层：SiO₂层厚度4.73±0.03 nm
• 器件尺寸：霍尔条长100 μm，宽40 μm，纵横比2.5

计算方法

• DFT计算：CASSCF方法计算自旋轨道耦合常数和超交换系数
• 磁性分析：基于Heisenberg模型分析磁耦合机制

实验结果

磁性特征

1. 室温铁磁性：
   • 居里温度TC > 300K
   • ZFC-FC曲线在4-300K范围内不相交
   • 300K时矫顽力Hc = 80 Oe
2. 磁序稳定性：
   • AC磁化率实部和虚部呈现频率无关的峰
   • 长时间空气暴露后磁性保持稳定

电学性能

1. p型半导体特性：
   • 负栅压导通，正栅压截止
   • 截止电压Vth ≈ -9.5V
   • 载流子迁移率：(3.2±0.2)×10³ cm²V⁻¹s⁻¹
2. 反常霍尔效应：
   • 零磁场下反常霍尔电阻率：0.32 mΩ·cm
   • 比现有磁性材料高1-2个数量级

对称性破缺

1. 空间反演对称性破缺：SHG信号强度与功率呈二次方关系(斜率1.9≈2.0)
2. 时间反演对称性破缺：EPR信号(g=2.015, 2.006)证实磁性

机制分析

铁环形性形成机制

五步耦合模型

1. 第一步：自旋轨道耦合提供总角动量，通过γ-CD四配位实现3D空间取向
2. 第二步：磁矩涡旋排列和超交换作用形成铁环形矩T⃗
3. 第三步：沿1D管状结构耦合形成长程铁环形矩∑T⃗
4. 第四步：长程铁环形矩进一步耦合形成铁环形畴
5. 第五步：不同铁环形畴关联形成宏观铁环形材料

关键参数

• 自旋轨道耦合常数：ζ = 2164.5 cm⁻¹(强耦合)
• 超交换系数：J = 7.8 cm⁻¹(足以维持TC > 300K)
• 磁耦合模型：头尾磁矩耦合，指向邻近U原子连线

超高迁移率机制

1. 有序传输通道：超分子自组装构建长程有序空穴传输通道
2. 散射抑制：减少界面和晶格散射
3. 有效质量降低：强自旋轨道耦合诱导价带分裂，促进分子间空穴移动

相关工作对比

磁性半导体发展

1. 稀磁半导体(DMS)：通过磁性掺杂引入磁性，但难以同时满足所有实用化条件
2. 二维磁性半导体：如磷烯纳米带边缘磁性，但应用受限
3. 有机磁性半导体：如苝二酰亚胺自由基，但自由基寿命短

p型半导体迁移率对比

• 本工作：3200 cm²V⁻¹s⁻¹
• 黑磷：1350 cm²V⁻¹s⁻¹
• InSe：800 cm²V⁻¹s⁻¹
• SiC：120 cm²V⁻¹s⁻¹
• 锡基钙钛矿：60 cm²V⁻¹s⁻¹

结论与讨论

主要结论

1. 成功制备了首个基于超分子自组装的室温磁性半导体
2. 实现了迄今为止p型半导体的最高载流子迁移率
3. 发现并验证了铁环形性作为第四种铁性序的存在
4. 建立了从微观到宏观的磁耦合理论模型

技术优势

1. 制备简便：一步旋涂法，易于大面积制备
2. 性能优异：同时具备室温磁性和超高迁移率
3. 稳定性好：空气中长期稳定
4. 机制清晰：理论模型完整，物理图像明确

局限性

1. 材料安全性：涉及放射性铀元素，需要特殊防护措施
2. 还原方法：需要辐照或光照处理，增加制备复杂性
3. 薄膜质量：多晶结构可能影响器件一致性
4. 长期稳定性：需要进一步验证器件的长期运行稳定性

未来方向

1. 材料优化：探索非放射性元素替代方案
2. 器件集成：开发基于该材料的自旋电子器件
3. 应用拓展：在传感、存储、柔性电子等领域的应用
4. 理论深化：进一步完善铁环形性理论

深度评价

优点

1. 创新性突出：首次实现超分子自组装室温磁性半导体，开辟新的研究方向
2. 性能卓越：载流子迁移率创p型半导体新纪录，具有重要应用价值
3. 机制深入：铁环形性机制的发现和验证具有重要理论意义
4. 表征全面：结构、磁性、电学、光学表征完整，数据可靠

不足

1. 安全考虑：铀元素的使用限制了材料的广泛应用
2. 制备条件：需要惰性气氛和辐照设备，制备门槛较高
3. 器件优化：霍尔器件的性能参数需要进一步优化
4. 理论验证：部分理论计算基于简化模型，需要更精确的验证

影响力

1. 学术贡献：为磁性半导体和铁环形材料研究提供新思路
2. 技术价值：超高迁移率p型半导体对电子器件发展具有重要意义
3. 应用前景：在自旋电子学、量子器件等前沿领域具有应用潜力

适用场景

1. 基础研究：磁性半导体物理机制研究
2. 自旋器件：自旋场效应晶体管、自旋LED等
3. 存储应用：基于铁环形性的新型存储器件
4. 传感器件：高灵敏度磁传感器

参考文献

本文引用了47篇相关文献，涵盖了磁性半导体、铁环形材料、超分子自组装等多个研究领域的重要工作，为研究提供了坚实的理论基础和对比依据。

总体评价：这是一篇在材料科学领域具有重要突破性的论文，不仅在技术上实现了显著创新，而且在理论上提出了新的物理机制。尽管存在一些实用化方面的挑战，但其学术价值和潜在应用前景使其成为该领域的重要贡献。