Optically induced orbital polarization in bulk germanium

基本信息

• 论文ID: 2510.09525
• 标题: Optically induced orbital polarization in bulk germanium
• 作者: F. Scali, M. Finazzi, F. Bottegoni, C. Zucchetti (Politecnico di Milano)
• 分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
• 发表时间: 2025年10月13日
• 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.09525

摘要

光学取向技术已被证明是在III-V族和IV族半导体中注入自旋极化电子和空穴的有效工具。特别地，块体锗中圆偏振光的吸收在导带中产生自旋取向的电子群体，自旋极化率可达50%，而空穴的自旋极化率（与电子相反）甚至可达83%。本文理论研究了通过圆偏振光在块体锗中光学注入轨道角动量极化，结果显示在接近锗直接带隙的光子能量下，空穴的轨道极化率显著超过100%。这些结果表明锗是未来发展轨道电子学和光-轨道电子学器件的理想平台。

研究背景与动机

问题背景

1. 自旋电子学的挑战：虽然自旋转移力矩和自旋轨道力矩MRAM在存储器件方面取得成功，但自旋操控仍然是一个难题。载流子的自旋寿命极短，阻碍了稳健的全电学自旋开关架构的实现。
2. 轨道电子学的兴起：轨道电子学作为新兴研究领域，利用电子或空穴的轨道角动量作为状态变量，相比自旋电子学具有潜在优势。轨道霍尔效应(OHE)能够产生横向轨道电流，为轨道电流的产生、探测和操控提供了新途径。
3. 光学取向技术的潜力：光学取向技术已在III-V族和IV族半导体中成功实现自旋极化载流子注入，但其在轨道角动量极化方面的应用尚未充分探索。

研究动机

本研究旨在理论探索利用光学取向技术在块体锗中产生轨道角动量积累的可能性，为轨道电子学器件提供新的物理基础。

核心贡献

1. 首次理论研究：首次系统理论研究了圆偏振光在块体锗中诱导轨道角动量极化的物理机制
2. 建立完整理论框架：基于30带k·p方法和线性响应理论，建立了载流子、自旋和轨道注入率的完整计算框架
3. 发现超高轨道极化：发现在接近锗直接带隙的光子能量下，空穴轨道极化率可达约160%（以ℏ/2为单位）
4. 提供原子物理图像：从原子轨道角度解释了轨道极化的物理机制
5. 指出应用前景：证明了锗作为轨道电子学器件平台的巨大潜力

方法详解

理论框架

本研究采用基于k·p理论和线性响应理论的完整量子力学框架：

1. 能带结构计算

• 使用包含30个s-、p-和d-(eg)型态的k·p模型
• 覆盖整个布里渊区的能带结构计算
• 参数取自室温下的实验数据

2. 载流子注入张量

载流子注入张量的通用分量表示为：

ξ^αβ(ω) = (2πe²/(ℏω)²) Σ_{c,v} ∫ dk/(8π³) v̂^α*_{cv}(k)v̂^β_{cv}(k)δ[ω_{cv}(k) - ω]

其中α,β表示晶体立方轴方向，c(v)表示导带(价带)态求和，v̂^α_为速度算符矩阵元。

3. 自旋注入赝张量

电子和空穴的自旋注入赝张量分别为：

ζ^xyz_e(ω) = (ℏ/2)(πe²/(ℏω)²) Σ_{c,c̄,v} ∫ dk/(8π³) Ŝ^x_{cc̄}(k)v̂^y*_{cv}(k)v̂^z_{c̄v}(k) × [δ[ω_{cv}(k) - ω] + δ[ω_{c̄v}(k) - ω]]

4. 轨道角动量注入赝张量

通过将自旋算符Ŝ^x替换为轨道角动量算符L̂^x获得轨道注入赝张量η^xyz(ω)。

轨道角动量算符

对于p轨道，轨道角动量算符的矩阵形式为：

L̂^x_(p) = ℏ [0  0   0 ]
              [0  0  -i ]
              [0  i   0 ]

以|p_x⟩, |p_y⟩, |p_z⟩为基态。

极化度计算

• 自旋极化度：DSP_{e(h)} = Ṡ^x_{e(h)}/ṅ
• 轨道极化度：DOP_{e(h)} = L̇^x_{e(h)}/ṅ

实验设置

计算参数

• 温度：室温（热能设置为26 meV）
• k点积分：采用四面体积分方法确保能量守恒
• 简并态处理：对ℏω_{cc̄(vv̄)} < k_BT的简并或准简并态对进行相干性考虑

光学条件

• 光源：单色圆偏振光
• 光子能量范围：ℏω ≥ ε_（锗直接带隙）
• 偏振类型：左旋和右旋圆偏振光

实验结果

载流子注入特性

1. 总载流子注入率：随光子能量增加而增长，在3.0 eV附近达到约3.0×10^14 V^-2 s^-1 Å^-1
2. 能带贡献：重空穴(HH)、轻空穴(LH)和分裂轨道(SO)带的相对贡献随光子能量变化

自旋极化结果

1. 电子自旋极化：
   • 在直接带隙附近达到约50%
   • 随光子能量增加逐渐降低
2. 空穴自旋极化：
   • 在直接带隙附近达到约-83%
   • 与电子自旋极化方向相反

轨道极化的突破性发现

1. 电子轨道极化：
   • 在整个光子能量范围内保持在1%以下
   • 由于导带主要由s轨道构成（l=0）
2. 空穴轨道极化：
   • 在直接带隙附近达到约160%
   • 在ℏω < 2.2 eV范围内保持40%以上
   • 这是本研究最重要的发现

原子物理解释

在Γ点附近，轨道极化的物理机制可以通过原子轨道分析理解：

1. HH态贡献：⟨3/2, 3/2|L_z|3/2, 3/2⟩ = ℏ
2. LH态贡献：⟨3/2, 1/2|L_z|3/2, 1/2⟩ = ℏ/3
3. 跃迁强度比：HH:LH = 3:1
4. 理论预期：DOP_h = (3ℏ + ℏ/3)/4 = 5ℏ/6 = 166%（以ℏ/2为单位）

相关工作

轨道电子学发展

1. 理论奠基：2005年Bernevig等人的开创性工作
2. 实验验证：近年来在Ti、Cr、Ge、Si等材料中观察到轨道霍尔效应
3. 器件应用：轨道-自旋转换在磁性器件中的应用

光学取向技术

1. 历史发展：从1968年Lampel的开创性工作到现代应用
2. 材料拓展：从III-V族半导体到IV族半导体的应用
3. 自旋注入：在锗中实现高效自旋极化载流子注入

结论与讨论

主要结论

1. 轨道极化优势：空穴轨道极化率显著超过自旋极化率，为轨道电子学应用提供了新机遇
2. 材料优势：锗作为轨道电子学平台具有独特优势，特别是在价带应用方面
3. 物理机制：轨道角动量的产生源于p轨道的本征特性和光学选择定则

局限性

1. 理论计算：基于理想晶体模型，未考虑实际材料中的缺陷和无序
2. 温度效应：仅考虑室温条件，低温下的行为可能不同
3. 载流子寿命：未考虑轨道角动量的弛豫时间

未来方向

1. 实验验证：需要实验技术验证理论预测的高轨道极化率
2. 器件设计：基于高轨道极化开发实用的轨道电子学器件
3. 材料优化：探索其他具有类似特性的半导体材料

深度评价

优点

1. 理论创新：首次系统研究轨道角动量的光学注入，开辟了新的研究方向
2. 方法严谨：采用成熟的k·p理论和线性响应理论，计算框架完整可靠
3. 结果显著：发现的超高轨道极化率具有重要的科学价值和应用前景
4. 物理图像清晰：从原子轨道角度提供了直观的物理解释

不足

1. 实验验证缺失：作为纯理论工作，缺乏实验验证支持
2. 应用路径不明：虽然指出了应用前景，但具体的器件实现路径不够明确
3. 材料局限：仅研究了锗材料，缺乏对其他材料的比较分析

影响力

1. 学术贡献：为轨道电子学领域提供了重要的理论基础
2. 技术价值：为新一代轨道电子学器件提供了设计依据
3. 引领作用：可能引发轨道角动量光学操控的研究热潮

适用场景

1. 基础研究：轨道电子学的基础物理研究
2. 器件开发：光控轨道电子学器件设计
3. 材料筛选：寻找高效轨道极化材料的理论指导

参考文献

论文引用了轨道电子学、光学取向和半导体物理领域的重要文献，包括：

• Bernevig等人的轨道霍尔效应开创性工作
• 近期轨道电子学实验进展
• k·p理论和光学取向的经典文献
• 锗材料的能带结构研究

总结：这是一篇高质量的理论物理论文，在轨道电子学这一新兴领域做出了重要贡献。发现的超高轨道极化现象具有重要的科学意义，为未来的轨道电子学器件开发提供了坚实的理论基础。