2025-11-22T12:13:16.344161

Electron-electron scattering processes in quantum wells in a quantizing magnetic field: II. Scattering in the case of two subbands

Telenkov, Mityagin
Electron-electron scattering processes involving Landau levels of two subband are considered. A matrix of electron-electron scattering rates containing all tipes of transitions between Landau levels is calculated/ This matrix is analized, and the relative rates of transitions of different types are determined. The effect of the quantizing magnetic field orientation on electron-electron scattering processes is ectablished.
academic

Electron-electron scattering processes in quantum wells in a quantizing magnetic field: II. Scattering in the case of two subbands

基本信息

  • 论文ID: 2510.09787
  • 标题: Electron-electron scattering processes in quantum wells in a quantizing magnetic field: II. Scattering in the case of two subbands
  • 作者: M.P. Telenkov, Yu.A. Mityagin
  • 单位: P.N. Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
  • 分类: cond-mat.mes-hall (凝聚态物理-介观和纳米尺度物理)
  • 发表期刊: Zh.Exp.Teor.Fiz. (Journal of Experimental and Theoretical Physics), Vol. 168 (10), 537 (2025)
  • DOI: 10.7868/S3034641X25100105

摘要

本文研究了涉及两个子带朗道能级的电子-电子散射过程。计算了包含朗道能级间所有类型跃迁的电子-电子散射速率矩阵，分析了该矩阵并确定了不同类型跃迁的相对速率。建立了量子化磁场取向对电子-电子散射过程的影响。

研究背景与动机

问题定义

本研究是作者前期工作1的延续，旨在分析量子阱中在量子化磁场作用下的电子-电子散射过程。前期工作主要关注单个子带内的朗道能级间跃迁，而本文扩展到多子带情况，特别是两个子带系统。

研究重要性

  1. 基础物理意义: 在低温和强磁场条件下，电子被局域在朗道能级中，电子-电子散射成为主要的弛豫机制
  2. 技术应用: 对于GaAs/Al₀.₃Ga₀.₇As量子阱等半导体异质结构，理解电子散射机制对器件设计至关重要
  3. 能量弛豫: 当两个子带都位于光学声子能级以下时，电子-电子散射是子带间弛豫的主要机制

现有局限性

  • 之前的研究主要局限于单子带内的跃迁
  • 缺乏对多子带系统中复杂跃迁类型的系统分析
  • 磁场取向对散射过程影响的理论描述不完善

核心贡献

  1. 构建完整的散射速率矩阵: 计算了包含两个子带朗道能级间所有类型跃迁的四维电子-电子散射速率矩阵
  2. 跃迁类型分类: 系统分类了子带内和子带间的各种跃迁类型，并分析了它们的相对强度
  3. 磁场取向效应: 建立了倾斜磁场对不同类型散射过程的影响规律
  4. 选择定则: 发现了对称量子阱结构中II型子带间跃迁的选择定则
  5. 弛豫动力学: 揭示了II型子带内跃迁在能量弛豫过程中的关键作用

方法详解

理论模型

基于前期工作1建立的模型，在倾斜磁场 B = B⊥ez + B∥ey 中，采用朗道规范：

A = B⊥(-zex + B∥yex)

能级结构

单粒子能级和波函数表达式：

E(ν,n)=ℏωc(n+12)+εν+ℏΩνE_{(\nu,n)} = \hbar\omega_c\left(n + \frac{1}{2}\right) + \varepsilon_\nu + \hbar\Omega_\nu (1)

ψ(ν,n)(x,y,z)=exp⁡(ikxx)Lϕν(z)ψn(y−kxlB2−ztan⁡θ)\psi_{(\nu,n)}(x,y,z) = \frac{\exp(ik_x x)}{\sqrt{L}} \phi_\nu(z) \psi_n\left(y - k_x l_B^2 - z \tan\theta\right) (2)

其中：

  • ν为子带指标，n为朗道能级指标
  • ω_c = eB⊥/(m_w c)为回旋频率
  • l_B = √(ℏc/eB⊥)为磁长
  • Ω_ν由平行磁场分量引起的频率修正

散射速率矩阵

跃迁 {(νᵢ,nᵢ) → (νf,nf) & (νⱼ,nⱼ) → (νg,ng)} 的散射速率：

Wi→f,j→ge−e=Ai→f,j→ge−eFee(Ei+Ej−Ef−Eg)W_{i→f,j→g}^{e-e} = A_{i→f,j→g}^{e-e} F^{ee}(E_i + E_j - E_f - E_g) (8)

跃迁振幅包含复杂的积分表达式，涉及埃尔米特多项式和麦克唐纳函数。

跃迁类型分类

子带内跃迁

  • I型: 两个电子都在同一子带内散射 (νᵢ = νⱼ = νf = νg)
  • II型: 电子在不同子带内散射，但各自保持在原子带 (νᵢ = νf ≠ νⱼ = νg)

子带间跃迁

  • I型: 两个电子从同一子带跃迁到另一子带 (νᵢ = νⱼ ≠ νf = νg)
  • II型: 一个电子跃迁到另一子带，另一个保持原子带 (νⱼ ≠ νg, νᵢ = νf)
  • III型: 两个电子交换子带 (νf = νⱼ, νg = νᵢ, νᵢ ≠ νⱼ)

实验设置

材料参数

以GaAs/Al₀.₃Ga₀.₇As量子阱为例，阱宽25 nm，该结构中两个子带位于光学声子能级以下。

计算参数

  • 典型朗道能级宽度：~1 meV
  • 跃迁宽度：~2 meV
  • 磁场范围：0-10 T
  • 温度：4.2 K
  • 电子浓度：1.5×10¹⁰ cm⁻²

实验结果

主要发现

1. II型子带内跃迁的重要性

  • II型跃迁速率与I型相当，在某些情况下甚至超过I型
  • 共振条件：nf - nᵢ + ng - nⱼ = 0，在任何磁场值都满足
  • 为上子带电子提供了重要的弛豫通道

2. 磁场依赖性

不同类型跃迁表现出不同的磁场依赖性：

  • I型和II型子带内跃迁：速率随磁场缓慢下降
  • I型子带间跃迁：在特定磁场值出现共振峰
  • III型子带间跃迁：磁场依赖性平滑

3. 能量传递依赖性

  • 子带内跃迁：速率随传递能量单调快速下降
  • 子带间跃迁：复杂的非单调依赖关系，可能增加、减少或呈现非单调行为

4. 弛豫动力学影响

图5显示，忽略II型跃迁会使弛豫时间延长3倍以上，证明了其在能量弛豫中的关键作用。

磁场取向效应

平行分量的影响

对于倾斜磁场，平行分量B∥的影响表现为：

  1. 子带内跃迁: 几乎不受B∥影响
  2. 子带间跃迁:
    • I型和II型：共振位置发生偏移
    • III型：共振条件不变

相对偏移量： ΔB⊥B⊥(0)=Δεif(B∥)εif(0)\frac{\Delta B_⊥}{B_⊥^{(0)}} = \frac{\Delta\varepsilon_{if}(B_∥)}{\varepsilon_{if}^{(0)}} (45)

对称性效应

  • 对称势阱: II型子带间跃迁存在选择定则，当子带指数和为奇数时跃迁被禁戒
  • 非对称势阱: 选择定则失效，所有跃迁都允许

相关工作

本工作基于作者前期关于单子带系统的研究1，扩展了电子-电子散射理论框架。相关研究包括：

  • 量子阱中的电子-声子散射机制2
  • 电场对散射过程的影响3
  • 非对称量子阱结构的散射特性4,5

结论与讨论

主要结论

  1. 完整散射矩阵: 成功构建了包含所有跃迁类型的完整电子-电子散射速率矩阵
  2. II型跃迁的重要性: II型子带内跃迁速率可与I型相当，是重要的弛豫通道
  3. 复杂的能量依赖: 子带间散射的能量依赖性复杂且类型相关
  4. 磁场取向效应: 平行磁场分量主要影响子带间跃迁的共振条件
  5. 对称性选择定则: 对称结构中存在严格的选择定则

局限性

  1. 适用范围: 理论适用于回旋能量低于量子限制能量的情况
  2. 材料特定: 结果主要基于GaAs/AlGaAs系统
  3. 温度限制: 主要考虑低温情况
  4. 简化假设: 忽略了某些高阶效应和复杂的多体相互作用

未来方向

  1. 扩展到更多子带系统
  2. 考虑温度效应和非平衡分布
  3. 研究其他材料系统的散射特性
  4. 实验验证理论预测

深度评价

优点

  1. 理论完整性: 提供了多子带系统电子-电子散射的完整理论框架
  2. 数学严谨性: 推导过程严谨，公式表达清晰
  3. 物理洞察: 揭示了II型跃迁的重要性和各种跃迁类型的物理机制
  4. 实用价值: 为半导体器件中的载流子动力学提供了重要理论基础

不足

  1. 实验验证: 缺乏直接的实验验证
  2. 数值计算: 某些复杂积分的数值处理方法未详述
  3. 适用性讨论: 对理论适用边界的讨论不够充分

影响力

  1. 学术贡献: 为凝聚态物理中的电子散射理论提供了重要补充
  2. 应用前景: 对量子器件设计和载流子工程具有指导意义
  3. 方法价值: 所发展的理论方法可推广到其他类似系统

适用场景

  1. 半导体量子阱器件的载流子动力学分析
  2. 强磁场下的电子输运性质研究
  3. 量子霍尔效应相关现象的理论解释
  4. 太赫兹器件中的电子弛豫过程优化

参考文献

  1. M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, Zh.Exp.Teor.Fiz., Vol. 168 (9), 425 (2025)
  2. Yu. A. Mityagin, M. P. Telenkov, I .A. Bulygina et. al., Physica E 142, 115288 (2022)
  3. M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, P.F. Kartsev, JETP Lett., 92, 401 (2010)
  4. M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, and P. F. Kartsev, Nanoscale Res. Lett. 7, 491 (2012)
  5. M.P. Telenkov, Yu.A. Mityagin, A.A. Kutsevol, et.al., JETP Letters 100, 728 (2014)