2025-11-18T19:37:13.758605

Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature

Ma, Qi, Shen
Graphdiyne (GDY) is recognized as a compelling candidate for the fabrication of next-generation high-speed low-energy electronic devices due to its inherent p-type semiconductor characteristics. However, the development of GDY for applications in field-effect transistors (FETs), complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and logic devices remains constrained by the relatively low carrier mobility reported in current experimental studies. Herein, the synthesis of layer-controlled hydrogen-substituted graphdiyne (HsGDY) films directly on silicon substrates under a supercritical CO2 atmosphere is reported, along with the fabrication of these films into HsGDY-based FETs. The transfer-free growth strategy eliminates performance degradation caused by post-synthesis transfer processes. The resulting HsGDY FETs exhibit a remarkable hole mobility of up to 3800 cm2 V-1 s-1 at room-temperature, which is an order of magnitude higher than that of most p-type semiconductors. The synthesis of transfer-free HsGDY wafers provides a new strategy for resolving the carrier mobility mismatch between p-channel and n-channel two-dimensional metal-oxide-semiconductor devices.
academic

Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature

基本信息

  • 论文ID: 2510.09998
  • 标题: Ambient-Stable Transfer-Free Graphdiyne Wafers with Superhigh Hole Mobility at Room Temperature
  • 作者: Beining Ma, Jianyuan Qi, Xinghai Shen (北京大学)
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
  • 通讯作者: Prof. X. H. Shen (xshen@pku.edu.cn)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.09998

摘要

石墨二炔(GDY)因其固有的p型半导体特性，被认为是制造下一代高速低功耗电子器件的有力候选材料。然而，由于当前实验研究中报告的载流子迁移率相对较低，GDY在场效应晶体管(FETs)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和逻辑器件中的应用发展受到限制。本文报告了在超临界CO2气氛下直接在硅基底上合成层数可控的氢取代石墨二炔(HsGDY)薄膜，并将这些薄膜制备成基于HsGDY的场效应晶体管。无转移生长策略消除了后合成转移过程造成的性能退化。所得到的HsGDY场效应晶体管在室温下表现出高达3800 cm² V⁻¹ s⁻¹的空穴迁移率，比大多数p型半导体高一个数量级。

研究背景与动机

1. 核心问题

在后摩尔时代，硅基半导体技术在亚10纳米节点面临关键挑战，包括短沟道效应、载流子迁移率降低和功耗增加。二维(2D)半导体因其原子级厚度、超平表面、超高载流子迁移率和优异的电学性能可调性，被认为是延续摩尔定律最有前景的候选材料之一。

2. 问题的重要性

  • 载流子迁移率不匹配：目前大多数p型半导体的载流子迁移率通常在10⁻²到10²cm² V⁻¹ s⁻¹之间，只有黑磷(BP)报告的室温空穴迁移率超过10³cm² V⁻¹ s⁻¹
  • PMOS与NMOS性能差异：p沟道和n沟道金属氧化物半导体器件之间的载流子迁移率不匹配显著影响数据处理速度，增加功耗并降低性能

3. 现有方法局限性

  • 转移过程问题：传统的GDY薄膜需要转移到硅晶圆上，不可避免地引入杂质污染和结构损伤，降低空穴迁移率
  • 光刻加工困难：转移到硅晶圆上的GDY薄膜难以通过光刻技术制备成FET阵列
  • 缺乏催化活性：硅基底缺乏GDY单体偶联的催化活性

核心贡献

  1. 开发了无转移的HsGDY晶圆合成方法：首次实现在硅基底表面原位生长二维GDY薄膜
  2. 实现超高空穴迁移率：HsGDY FET展现出高达3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹的室温空穴迁移率，比大多数p型半导体高一个数量级
  3. 解决了载流子迁移率不匹配问题：为解决p沟道和n沟道二维金属氧化物半导体器件之间的载流子迁移率不匹配提供了新策略
  4. 实现标准光刻工艺兼容：无转移HsGDY晶圆可集成到标准光刻工作流程中

方法详解

合成机理

采用空间限域合成策略，在超临界CO2环境中通过将铜箔与硅晶圆夹合的方式实现：

  1. 催化剂来源：铜箔释放的铜离子迁移并吸附到硅表面
  2. 催化反应：铜离子催化GDY单体的偶联反应
  3. 直接外延生长：在基底上实现直接外延生长

技术创新点

1. 空间限域策略

  • 通过简单的夹合方法(硅晶圆和铜箔夹合)实现大面积均匀的少层HsGDY薄膜
  • 超临界CO2环境提供理想的反应条件

2. 层数调控

通过精确调节三乙炔基苯(TEB)的浓度，成功制备不同层数的HsGDY晶圆：

  • 最薄薄膜厚度约2.2 nm，对应6层HsGDY晶圆
  • 厚度范围：2.2-22 nm

3. 无转移生长优势

  • 消除PMMA残留污染
  • 避免结构损伤
  • 提高载流子迁移率
  • 兼容标准光刻工艺

实验设置

合成条件

  • 反应温度：50°C
  • 压力：100 bar (超临界CO2)
  • 反应时间：24小时
  • 单体浓度：0.20-0.32 mg mL⁻¹ (TEB在丙酮中)
  • 溶剂系统：70% TMEDA + 30% 吡啶

器件制备

  1. Hall bar结构：长度110 μm，宽度20 μm
  2. 电极材料：Au/Ti (50 nm/5 nm)
  3. 栅介质：SiO2 (厚度4.8 nm，电容719.4 nF cm⁻²)
  4. 器件架构：8个电极的Hall bar配置

表征方法

  • 拉曼光谱：确认HsGDY的特征峰 (1357, 1573, 1934, 2212 cm⁻¹)
  • XPS：分析化学态
  • SEM-EDS：确认薄膜均匀性
  • AFM：测量厚度
  • TEM：分析晶体结构

实验结果

主要结果

1. 载流子迁移率性能

  • 6层HsGDY FET平均空穴迁移率：3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹
  • 厚度依赖性：随薄膜厚度从22 nm减少到2.2 nm，空穴迁移率从7.3×10² cm² V⁻¹ s⁻¹增加到3.8×10³ cm² V⁻¹ s⁻¹
  • 开关比：Ion/Ioff = 1×10⁴

2. 电学性能

  • 导电率：2.3×10³ S m⁻¹ (298 K)
  • 接触类型：欧姆接触
  • 栅极控制：明显的栅极控制特性
  • p型特性：在Vg ≈ -5 V处出现尖锐的电流激增

3. 稳定性

在环境空气中无任何封装保持60天后，器件性能保持恒定，展现出优异的环境稳定性。

与其他p型半导体对比

HsGDY的空穴迁移率(3800 cm² V⁻¹ s⁻¹)显著超越其他p型2D材料：

  • 黑磷：1350 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • Te：700 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • WSe2：250 cm² V⁻¹ s⁻¹
  • MoS2：68 cm² V⁻¹ s⁻¹

机理分析

通过电子顺磁共振(EPR)测量揭示p型半导体行为机理：

  • HsGDY表现出g值为2.002的对称EPR信号，为氧空位特征
  • 氧原子移除破坏局部共轭，产生碳悬挂键
  • 悬挂键作为强电子受体，从价带捕获电子并产生可移动空穴

相关工作

GDY研究现状

  • GDY作为新兴的二维碳同素异形体，具有sp²和sp杂化碳原子的平面结构
  • 理论预测GDY为具有超高空穴迁移率的本征p型二维半导体
  • 现有实验报告的GDY场效应晶体管空穴迁移率相对较低(0.033-247.1 cm² V⁻¹ s⁻¹)

合成方法对比

  • 现有方法：铜箔、石英、MXene基底等
  • 本工作：首次实现硅晶圆表面的原位生长

结论与讨论

主要结论

  1. 成功开发了在硅基底上原位生长HsGDY的方法
  2. 实现了迄今为止p型2D半导体中最高的空穴迁移率
  3. 解决了转移过程引起的性能退化问题
  4. 为CMOS技术中载流子迁移率不匹配问题提供了解决方案

应用前景

  • CMOS技术：可与高载流子迁移率n型半导体匹配制备异质集成CMOS
  • 逻辑器件：提高CMOS逻辑门的开关速度
  • 低功耗器件：在较低工作电压下实现所需开关速度，显著降低能耗

局限性

  1. 目前仅实现了1×1 cm的晶圆尺寸
  2. 需要进一步优化以实现更大规模的晶圆生长
  3. 长期稳定性需要更详细的研究

深度评价

优点

  1. 技术创新性强：首次实现硅基底上GDY的原位生长，解决了关键技术瓶颈
  2. 性能突破显著：空穴迁移率比现有p型2D半导体高一个数量级
  3. 实用价值高：兼容标准半导体工艺，具有良好的产业化前景
  4. 表征充分：采用多种表征手段全面验证了材料结构和性能

不足

  1. 晶圆尺寸限制：目前仅实现1×1 cm尺寸，距离工业应用还有差距
  2. 机理解释不够深入：对超高迁移率的微观机理需要更详细的理论分析
  3. 温度特性缺失：缺乏不同温度下的性能表征

影响力

  1. 学术价值：为2D材料电子学领域提供了重要进展
  2. 产业意义：为下一代半导体器件发展提供了新的材料选择
  3. 可复现性：方法相对简单，具有良好的可复现性

适用场景

  • 高性能CMOS器件
  • 低功耗逻辑电路
  • 高频电子器件
  • 柔性电子器件

参考文献

论文引用了49篇相关文献，涵盖了2D材料、石墨二炔合成、场效应晶体管等相关领域的重要研究工作，为本研究提供了坚实的理论基础和技术支撑。