2025-11-13T05:52:10.792263

Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface

Matsuki, Yang, Xu et al.
A change in a materials electrical resistance with magnetic field (magnetoresistance) results from quantum interference effects and, or spin-dependent transport, depending on materials properties and dimensionality. In disordered conductors, electron interference leads to weak localization or anti-localization; in contrast, ferromagnetic conductors support spin-dependent scattering, leading to giant magnetoresistance (GMR). By varying the thickness of Au between 4 and 28 nm in a EuS/Au/EuS spin-switches, we observe a crossover from weak anti-localization to interfacial GMR. The crossover is related to a magnetic proximity effect in Au due to electron scattering at the insulating EuS interface. The proximity-induced exchange field in Au suppresses weak anti-localization, consistent with Maekawa-Fukuyama theory. With increasing Au thickness, GMR emerges along with spin Hall magnetoresistance. These findings demonstrate spin transport governed by interfacial exchange fields, building a framework for spintronic functionality without metallic magnetism.
academic

Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface

基本信息

  • 论文ID: 2510.10595
  • 标题: Weak-anti-localization-to-spin-dependent scattering at a proximity-magnetized heavy metal interface
  • 作者: Hisakazu Matsuki, Guang Yang, Jiahui Xu, Vitaly N. Golovach, Yu He, Jiaxu Li, Alberto Hijano, Niladri Banerjee, Iuliia Alekhina, Nadia Stelmashenko, F. Sebastian Bergeret, Jason W. A. Robinson
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
  • 发表时间: 2025年10月12日 (arXiv预印本)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.10595

摘要

材料电阻随磁场的变化(磁阻)源于量子干涉效应和/或自旋相关输运，这取决于材料性质和维度。在无序导体中，电子干涉导致弱局域化或反局域化；而铁磁导体支持自旋相关散射，产生巨磁阻(GMR)。通过在EuS/Au/EuS自旋开关中改变Au厚度(4-28 nm)，研究者观察到从弱反局域化到界面GMR的交叉转变。该转变与Au中的磁近邻效应有关，源于绝缘EuS界面的电子散射。近邻诱导的交换场抑制了Au中的弱反局域化，符合Maekawa-Fukuyama理论。随着Au厚度增加，GMR与自旋霍尔磁阻一起出现。这些发现证明了由界面交换场控制的自旋输运，为无金属磁性的自旋电子学功能建立了框架。

研究背景与动机

研究问题

该研究要解决的核心问题是理解磁绝缘体/非磁金属(MI/N)界面的电子自旋输运机制，特别是在不同厚度条件下从量子干涉效应到自旋相关散射的转变机制。

重要性

  1. 自旋电子学器件发展: MI/N界面是自旋电子学和磁子器件技术发展的核心
  2. 基础物理理解: 量子干涉效应与自旋相关输运的竞争机制尚未完全理解
  3. 器件应用: 为无需金属铁磁体的自旋电子学功能提供新途径

现有方法局限性

  1. GMR研究局限: 传统GMR主要在金属铁磁体/非磁金属界面观察到，MI/N系统中的GMR报道很少
  2. 理论验证不足: Maekawa-Fukuyama理论预测的磁交换场诱导的弱局域化区磁阻缺乏实验验证
  3. 界面效应理解: 对界面交换场如何调控量子输运的理解不够深入

研究动机

通过系统研究EuS/Au/EuS结构中Au厚度对磁输运性质的影响，揭示界面交换场在调控量子干涉效应和自旋相关散射中的作用机制。

核心贡献

  1. 首次观察到MI/N/MI结构中的GMR效应，填补了该领域的实验空白
  2. 实验验证了Maekawa-Fukuyama理论，证明界面交换场可以抑制弱反局域化
  3. 发现了厚度依赖的磁阻符号反转，揭示了从弱反局域化到GMR的转变机制
  4. 观察到显著的反常霍尔效应，证实了EuS/Au界面强交换场的存在
  5. 建立了界面交换场调控自旋输运的理论框架，为无金属磁性的自旋电子学器件设计提供指导

方法详解

样品制备

研究采用Au(3 nm)/EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm)/SiO2//Si的多层结构，其中d为4-28 nm的可变Au厚度。样品通过电子束蒸发在室温下制备，基底真空度为1×10⁻⁸ mbar。

测量技术

  1. 磁阻测量: 在面内和面外磁场下测量电阻随磁场的变化
  2. 磁化测量: 使用振动样品磁强计测量磁滞回线
  3. 霍尔效应测量: 在垂直磁场下测量横向电阻率

理论分析框架

弱局域化理论

对于薄Au层(d ≤ 6 nm)，使用Maekawa-Fukuyama理论描述面内磁场的磁阻：

在各向同性自旋轨道耦合和弹性散射时间短于自旋轨道散射时间(τ₀ ≪ τₛₒ)的条件下，MF理论预测面内磁场产生正磁阻。

界面交换场

虚部自旋混合电导Gᵢ产生近邻磁交换场(MEF)：

Gi≈gπG0NFμBμ0HexdG_i \approx g\pi G_0 N_F \mu_B \mu_0 H_{ex} d

其中g为朗德g因子，G₀为量子电导，Nₓ为费米能级处单自旋态密度，μв为玻尔磁子。

自旋霍尔磁阻

对于FI/HM/FI结构，反常霍尔电阻率为：

Δρyx=−θSH2dGiGi2+[Gr+σ02λcoth⁡(d2λ)]2\Delta\rho_{yx} = -\theta_{SH}^2 \frac{d G_i}{G_i^2 + [G_r + \frac{\sigma_0}{2\lambda}\coth(\frac{d}{2\lambda})]^2}

其中θₛₕ为自旋霍尔角，λ为自旋扩散长度。

实验设置

样品结构

  • 自旋开关结构: EuS(20 nm)/Au(d)/EuS(10 nm)，d = 4, 6, 7, 8, 10, 12, 16, 20, 28 nm
  • 对照样品: Au(7 nm)/SrTiO₃单层薄膜
  • 电极: AlSi垫片通过超声键合制作电接触

测量条件

  • 温度范围: 2-300 K
  • 磁场范围: 面内±20 mT，面外±5 T
  • 测量频率: 低频交流测量避免加热效应

器件几何

  • 霍尔条: 100×400 μm²用于霍尔效应测量
  • 未图案化样品: 用于基本磁阻和磁化测量

实验结果

温度依赖的电阻行为

  1. 薄Au层(d ≤ 6 nm): 在10-20 K出现电阻最小值，低温下电阻按-ln(T)增加，表现为弱局域化区(WLR)行为
  2. 厚Au层(d ≥ 8 nm): 电阻随温度单调下降，不符合WLR特征
  3. 归一化电阻增加: 在3 K时，(R-Rₘᵢₙ)/Rₘᵢₙ随Au厚度线性增加至8 nm

磁阻的厚度依赖性

薄Au层的正磁阻(d = 4, 6 nm)

  • 在反平行(AP)磁化状态出现电阻最小值
  • 磁阻定义为MR = (Rₕ₌₀-Rₐₚ)/Rₐₚ×100%
  • d = 4 nm: MR ≈ +0.01%
  • d = 6 nm: MR ≈ +0.005%
  • 符合Maekawa-Fukuyama理论预测

厚Au层的负磁阻(d ≥ 8 nm)

  • 表现为典型的GMR行为：Rₐₚ > Rₚ
  • MR值随厚度增加而减小
  • d = 8 nm: MR ≈ -0.005%
  • d = 28 nm: MR ≈ -0.002%

反常霍尔效应

在垂直磁场测量中观察到显著的反常霍尔电阻率：

  • d = 4 nm: ρᵧₓ ≈ 90 pΩ·m
  • d = 8 nm: ρᵧₓ ≈ 42 pΩ·m
  • d = 16 nm: ρᵧₓ ≈ 20 pΩ·m

这些值比Au/YIG双分子层高三个数量级，证实了EuS/Au界面强交换场的存在。

磁化特性

  • EuS层的矫顽场：±7 mT和±3 mT
  • 外推居里温度：约20 K
  • 磁化在±1.5 T达到饱和

相关工作

弱局域化理论发展

  • HLN理论: 描述面外磁场下的弱局域化
  • MF理论: 预测面内磁场下的正磁阻，但实验验证稀少
  • 自旋轨道耦合效应: 强自旋轨道耦合材料中的磁阻各向异性

GMR研究现状

  • 金属F/N/F结构: 传统GMR的主要实现方式
  • 稀磁半导体: 少数报道MI/N系统中的GMR
  • 界面工程: 通过界面调控实现新型磁电阻效应

EuS相关研究

  • 界面交换场: EuS与各种材料界面的交换耦合
  • 自旋注入: EuS作为自旋注入源的应用
  • 近邻效应: 在超导体和石墨烯中的磁近邻效应

结论与讨论

主要结论

  1. 成功观察到厚度调控的磁阻符号反转：从薄Au层的正磁阻(弱反局域化)到厚Au层的负磁阻(GMR)
  2. 验证了界面交换场的关键作用：EuS/Au界面的强交换场抑制量子干涉并诱导自旋相关散射
  3. 建立了MI/N/MI结构的GMR机制：界面交换场产生有效的自旋极化，实现GMR效应
  4. 证实了自旋霍尔磁阻的存在：大的虚部自旋混合电导产生显著的反常霍尔信号

物理机制

转变机制可以理解为竞争效应：

  • 薄层极限: 界面交换场作为有效塞曼场，根据MF理论抑制弱反局域化
  • 厚层极限: 自旋相关界面散射和自旋积累效应占主导，产生GMR

局限性

  1. 温度限制: 实验主要在EuS的居里温度(~20 K)以下进行
  2. 材料特异性: 结果主要针对EuS/Au体系，其他MI/N组合需要进一步验证
  3. 理论模型: 对中等厚度区域的转变机制需要更完善的理论描述

未来方向

  1. 材料体系扩展: 探索其他高交换场MI材料与不同重金属的组合
  2. 器件应用: 开发基于界面交换场的自旋电子学器件
  3. 理论完善: 建立更完整的界面交换场调控量子输运的理论框架

深度评价

优点

  1. 实验设计精巧: 通过系统改变Au厚度清晰展现了物理机制的转变
  2. 理论结合紧密: 成功将实验结果与MF理论和SMR理论联系
  3. 测量全面: 结合了磁阻、霍尔效应和磁化测量，提供了完整的物理图像
  4. 新颖发现: 首次在MI/N/MI结构中观察到GMR，具有重要科学价值

不足

  1. 温度范围限制: 受EuS居里温度限制，室温应用受限
  2. 机理解释: 对中等厚度区域的转变机制解释不够深入
  3. 定量分析: 某些理论拟合参数的物理意义需要更清晰的阐释

影响力

  1. 科学贡献: 为界面交换场调控量子输运提供了新的实验证据
  2. 技术应用: 为开发新型自旋电子学器件提供了设计思路
  3. 领域推动: 可能激发更多MI/N界面量子输运的研究

适用场景

  1. 低温自旋电子学器件: 适用于需要强界面交换场的应用
  2. 量子输运研究: 为研究界面效应对量子相干性的影响提供平台
  3. 新材料探索: 为寻找高效自旋注入界面提供参考

参考文献

论文引用了59篇重要文献，涵盖了弱局域化理论、GMR效应、自旋霍尔磁阻和EuS相关研究等多个方面，为研究提供了坚实的理论和实验基础。

总体评价: 这是一篇高质量的凝聚态物理实验论文，通过精心设计的实验成功观察到了新的物理现象，并提供了合理的理论解释。研究结果对理解界面交换场在量子输运中的作用具有重要意义，为自旋电子学器件的发展开辟了新方向。