2025-11-20T05:16:14.450950

Thermal Analysis of 3D GPU-Memory Architectures with Boron Nitride Interposer

Wang, Yan, Huang

As artificial intelligence (AI) chips become more powerful, the thermal management capabilities of conventional silicon (Si) substrates become insufficient for 3D-stacked designs. This work integrates electrically insulative and thermally conductive hexagonal boron nitride (h-BN) interposers into AI chips for effective thermal management. Using COMSOL Multiphysics, the effects of High-Bandwidth Memory (HBM) distributions and thermal interface material configurations on heat dissipation and hotspot mitigation were studied. A 20 Â°C reduction in hot spots was achieved using h-BN interposers compared to Si interposers. Such an improvement could reduce AI chips' power leakage by 22% and significantly enhance their thermal performance.

academic

Thermal Analysis of 3D GPU-Memory Architectures with Boron Nitride Interposer

基本信息

论文ID: 2510.11461
标题: Thermal Analysis of 3D GPU-Memory Architectures with Boron Nitride Interposer
作者: Eric Han Wang (College Station High School), Weijia Yan (Texas A&M University), Ruihong Huang (Texas A&M University)
分类: eess.SP (Signal Processing)
通讯作者: weijia_yan@tamu.edu, huangrh@tamu.edu
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.11461

摘要

随着人工智能芯片功率的不断提升，传统硅基底板的热管理能力已无法满足3D堆叠设计的需求。本研究将电绝缘且导热性能优异的六方氮化硼(h-BN)中介层集成到AI芯片中，以实现有效的热管理。使用COMSOL Multiphysics仿真软件，研究了高带宽内存(HBM)分布和热界面材料配置对散热和热点缓解的影响。与硅中介层相比，h-BN中介层实现了20°C的热点温度降低，这一改进可将AI芯片的功率泄漏减少22%，显著提升其热性能。

研究背景与动机

问题定义

核心问题: 3D堆叠AI芯片面临严重的热管理挑战，平均热流密度约300 W/cm²，局部热点可达500-1000 W/cm²
技术挑战: 传统硅基中介层在热导率和高温下的泄漏控制方面存在局限性
应用需求: GPU与HBM垂直堆叠架构需要高效的热管理解决方案以确保性能稳定性和长期可靠性

研究重要性

热点的存在显著增加了电迁移、芯片开裂、分层、熔化等风险
高温会加剧泄漏电流，影响AI工作负载的准确性和一致性
热管理已成为下一代AI硬件设计的关键考虑因素

现有方法局限性

硅中介层热导率有限(130-150 W/m·K)
传统热界面材料在极端热流密度下性能不足
现有电绝缘导热材料(如AlN、金刚石)存在工艺复杂性或机械可靠性问题

核心贡献

首次提出h-BN中介层方案: 将六方氮化硼作为3D AI芯片中介层材料，利用其优异的面内热导率(751 W/m·K)和电绝缘特性
系统的热管理优化策略: 通过COMSOL仿真系统研究了HBM分布、中介层厚度对热性能的影响
显著的性能提升: 实现20°C热点温度降低，相当于6%的热阻减少和22%的CMOS功率泄漏降低
设计指导原则: 确定了最优的HBM布局(5 HBMs/层 × 4层)和h-BN厚度(~300 μm)

方法详解

任务定义

输入: 3D GPU-HBM堆叠架构参数(几何尺寸、材料属性、功率密度、边界条件) 输出: 温度分布、热点温度、热阻特性约束: 稳态传热条件、给定的对流边界条件

模型架构

物理模型

基于3D稳态热传导方程建立传热模型:

k(∂²T/∂x² + ∂²T/∂y² + ∂²T/∂z²) + q̇g = 0

其中:

k: 热导率 W/m·K
T: 温度场 K
q̇g: 体积热生成率 W/m³

边界条件

采用牛顿冷却定律:

-ks(∂T/∂n) = h(T - Te)

顶表面: 强制对流 h_amb = 150-350 W/(m²·K)
底表面: 自然对流 hb = 10 W/(m²·K)

材料属性对比

属性	h-BN	Si
面内热导率	751 W/m·K	130-150 W/m·K
厚度方向热导率	2-20 W/m·K	130-150 W/m·K
热膨胀系数	1-4×10⁻⁶/K	~2.6×10⁻⁶/K
比热容	~0.8 J/g·K	~0.7 J/g·K