2025-11-14T11:31:18.606841

Fabrication of an atom chip for Rydberg atom-metal surface interaction studies

Cherry, Carter, Martin

An atom chip has been fabricated for the study of interactions between $^{87}$Rb Rydberg atoms and a Au surface. The chip tightly confines cold atoms by generating high magnetic field gradients using microfabricated current-carrying wires. These trapped atoms may be excited to Rydberg states at well-defined atom-surface distances. For the purpose of Rydberg atom-surface interaction studies, the chip has a thermally evaporated Au surface layer, separated from the underlying trapping wires by a planarizing polyimide dielectric. Special attention was paid to the edge roughness of the trapping wires, the planarization of the polyimide, and the grain structure of the Au surface.

academic

Fabrication of an atom chip for Rydberg atom-metal surface interaction studies

基本信息

论文ID: 2510.11902
标题: Fabrication of an atom chip for Rydberg atom-metal surface interaction studies
作者: O. Cherry, J. D. Carter, J. D. D. Martin (University of Waterloo)
分类: physics.atom-ph
发表时间: October 15, 2025 (手稿准备于约13年前)
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.11902

摘要

本文报告了一种用于研究⁸⁷Rb里德伯原子与Au表面相互作用的原子芯片的制备工作。该芯片通过微加工的载流导线产生高磁场梯度来紧密约束冷原子，这些被捕获的原子可以在明确定义的原子-表面距离处被激发到里德伯态。为了里德伯原子-表面相互作用研究，芯片具有热蒸发的Au表面层，通过平坦化聚酰亚胺介电层与底层捕获导线分离。特别关注了捕获导线的边缘粗糙度、聚酰亚胺的平坦化以及Au表面的晶粒结构。

研究背景与动机

问题定义

里德伯原子（具有高主量子数n的激发态原子）由于其夸大的性质（极化率按n⁷标度、电离场按1/n⁴标度）在与金属表面的相互作用研究中具有重要意义。这种相互作用可以通过镜像电荷图像理解，能量位移按n⁴/z³标度（z为表面距离）。

研究重要性

基础物理研究：里德伯原子-表面相互作用是理解原子-固体界面量子现象的重要窗口
技术应用：对量子信息处理、精密测量等领域具有潜在应用价值
表面科学：可用于表征表面杂散电场（patch fields）

现有方法局限性

以往里德伯原子表面实验面临两个主要挑战：

距离控制：难以精确控制和确定原子-表面距离z
杂散电场：难以最小化表面杂散电场的影响

研究动机

通过原子芯片技术解决上述问题，实现在可控分离距离下的里德伯原子-表面相互作用研究，并表征表面附近的杂散电场。

核心贡献

设计并制备了专用原子芯片：具有五根平行捕获导线的原子芯片，能够在2-200μm距离范围内精确控制原子位置
解决了金属化问题：开发了Ti/Pd/Au金属化方案，解决了高温处理过程中的互扩散问题
实现了高质量平坦化：通过三层聚酰亚胺工艺实现85%的平坦化度（DOP）
优化了表面特性：制备了40nm平均晶粒尺寸的Au屏蔽层，用于最小化patch fields
提供了完整的制备工艺：详细描述了从设计到最终器件的完整制备流程

方法详解

芯片设计

整体架构

尺寸：2.02 × 2.02 cm（受2.75英寸Conflat端口限制）
基底：Si基底上40nm热生长SiO₂
导线配置：五根平行捕获导线
- 中心导线：7μm宽，H型结构
- 内侧U型导线：7μm宽，与中心导线间距7μm
- 外侧U型导线：14μm宽，间距300μm

捕获策略

根据不同距离范围采用不同导线组合：

远距离（z > 200μm）：中心导线+内侧U导线（同向电流）vs 外侧U导线（反向电流）
中距离（50 < z < 200μm）：中心导线 vs 外侧U导线（反向电流）
近距离（z < 50μm）：中心导线 vs 内侧U导线（反向电流）

制备工艺

导线制备

光刻胶工艺：AZ 2035 nLOF负性光刻胶，2000RPM旋涂，厚度3.5-4.0μm
金属沉积：Edwards E306A热蒸发系统，基压7×10⁻⁷-3×10⁻⁶ Torr
金属化方案：Ti(20nm)/Pd(50nm)/Au(1.5μm)
- Ti：粘附层
- Pd：扩散阻挡层
- Au：导电层
剥离工艺：温丙酮+热Kwik Strip+异丙醇超声清洗

平坦化工艺

聚酰亚胺涂覆：PI 2562聚酰亚胺
- 粘附促进剂VM 652预处理
- 三层涂覆，每层间完全固化
- 单层厚度：1.3-1.5μm
- 固化条件：200°C/30min + 350°C/60min
图案化工艺：
- Al掩膜层（0.5-1μm）
- ICP-RIE刻蚀（O₂等离子体）
- 两步刻蚀避免针孔