2025-11-13T05:28:11.097695

Goos-H$\ddot{a}$nchen shifts of bilayer meta-grating with unidirectional guide resonance

Xu, Luo
Bilayer meta-gratings with asymmetric structural parameters could host unidirectional guide resonances. The distribution of unidirectional guide resonances in the space of structural parameters and synthetic parameters is identified. As the incident optical beam being resonant with the unidirectional guide resonance, the Goos-H$\ddot{a}$nchen shifts of the scattered beams exhibit two anomalous behaviors: the resonant peak of the Goos-H$\ddot{a}$nchen shift is accompanied by constant transmittance and reflectance; the magnitude of the Goos-H$\ddot{a}$nchen shift is not always proportional to the quality factor of the unidirectional guide resonance. The temporal coupled mode theory analysis reveals that the first anomalous behavior is due to interference between direct scattering and radiation from the unidirectional guide resonance; the Goos-H$\ddot{a}$nchen shifts are proportional to the group velocity as well as the quality factor of the unidirectional guide resonance. Numerical simulations of incidence of Gaussian beam with finite beam width provide intuitive visualization of the Goos-H$\ddot{a}$nchen shift.
academic

Goos-Hänchen shifts of bilayer meta-grating with unidirectional guide resonance

基本信息

  • 论文ID: 2510.12052
  • 标题: Goos-Hänchen shifts of bilayer meta-grating with unidirectional guide resonance
  • 作者: Zhihao Xu, Ma Luo (广东技术师范大学物理与光电工程学院)
  • 分类: physics.optics
  • 发表时间: 2024年10月14日 (arXiv预印本)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.12052v1

摘要

双层超表面光栅具有非对称结构参数,能够支持单向导模共振(UGR)。本文识别了单向导模共振在结构参数和合成参数空间中的分布。当入射光束与单向导模共振发生共振时,散射光束的Goos-Hänchen位移表现出两种异常行为:Goos-Hänchen位移的共振峰伴随着恒定的透射率和反射率;Goos-Hänchen位移的幅度并不总是与单向导模共振的品质因子成正比。时域耦合模理论分析揭示,第一种异常行为是由于直接散射和单向导模共振辐射之间的干涉造成的;Goos-Hänchen位移与群速度和单向导模共振的品质因子都成正比。有限束宽高斯光束入射的数值模拟提供了Goos-Hänchen位移的直观可视化。

研究背景与动机

问题背景

  1. Goos-Hänchen效应的重要性:Goos-Hänchen(GH)位移是光束在界面处发生全反射时产生的横向位移现象,在传感器、光信息存储、波长分复用器、光开关等领域具有重要应用价值。
  2. 现有增强方法的局限性:虽然已有多种方案来增强GH位移,包括Brewster效应、表面等离子体激元、Fabry-Perot共振、准连续态束缚态(quasi-BICs)等,但这些方法在某些方面存在局限性,如金属结构的吸收损耗问题。
  3. 全介电超表面光栅的优势:全介电超表面光栅因其无吸收损耗的优点而备受关注,特别是基于准BIC的GH位移增强机制。
  4. 单向导模共振的新机遇:双层结构的超表面光栅由于层间横向偏移破坏了上下镜像对称性,可以产生单向导模共振(UGR),这为GH位移的操控提供了新的物理机制。

研究动机

本文旨在系统研究双层非对称超表面光栅中UGR驱动的GH位移现象,特别关注其与传统准BIC驱动的GH位移的差异,并通过理论分析揭示其物理机制。

核心贡献

  1. 系统分析了UGR的参数空间分布:识别了双层超表面光栅中UGR在结构参数(w₁, w₂)和合成参数(kₓ, Δg)空间中的分布规律。
  2. 发现了UGR驱动GH位移的两种异常行为
    • GH位移共振峰伴随恒定的透射率和反射率
    • GH位移幅度与品质因子的关系存在异常抑制现象
  3. 提供了完整的理论解释:基于时域耦合模理论(TCMT)给出了解析解,揭示了异常行为的物理机制。
  4. 建立了GH位移的新关系式:证明了GH位移同时与群速度和品质因子成正比,而非仅与品质因子相关。
  5. 提供了直观的数值验证:通过有限束宽高斯光束的数值模拟直观展示了GH位移现象。

方法详解

任务定义

研究双层超表面光栅结构中UGR与入射光共振时产生的GH位移现象,分析其与结构参数的关系,并建立理论模型解释观察到的异常行为。

结构设计

双层超表面光栅结构

  • 材料:Si光栅(折射率nSi = 3.4767)在SiO₂背景中(折射率nSiO₂ = 1.444)
  • 几何参数:
    • 周期:a = 1000 nm
    • 层间距:G = 45 nm
    • 光栅厚度:t = 355 nm
    • 上下层槽宽:w₁, w₂(可变)
    • 横向偏移:Δg(可变)

关键参数定义

  • 方向性:η = (|cup|² - |cdown|²)/(|cup|² + |cdown|²)
  • 辐射相位差:δ = Arg(cup/cdown)
  • UGR条件:一侧辐射为零(η = ±1)

理论框架

1. 静态相位理论 GH位移由反射(透射)相位的角度导数给出:

SGH,r(t) = -λ/(2π) × ∂φr(φt)/∂θinc

2. 时域耦合模理论(TCMT) 建立了四通道散射模型,其中散射场由直接散射和共振辐射两部分组成:

|s⁻⟩ = (Ĉ + |d⟩⟨κ*|/(-i(ω-ωb)+γb))|s⁺⟩

3. 关键理论结果 对于UGR驱动的GH位移,得到解析表达式:

SGH,t = δλωU,1ωUnb cos θinc,U/(πcγU)

其中ωU,1为群速度,ωU/γU为品质因子。

技术创新点

  1. 合成参数空间分析:首次系统分析了UGR在(kₓ, Δg, w₁, w₂)四维参数空间中的分布。
  2. 异常现象的发现与解释:发现并解释了UGR驱动GH位移的两种异常行为,区别于传统准BIC机制。
  3. 群速度效应的揭示:证明了GH位移不仅依赖于品质因子,还与群速度密切相关。
  4. 干涉机制的阐明:通过TCMT分析揭示了直接散射与共振辐射干涉导致的恒定透射率现象。

实验设置

数值模拟方法

  • 有限元方法:使用COMSOL Multiphysics软件进行平面波入射的角谱计算
  • 本征模分析:计算泄漏共振模的本征频率和衰减率
  • 高斯光束模拟:验证有限束宽条件下的GH位移

参数扫描范围

  • 结构参数:w₁ ∈ 0.174a, 0.497a, w₂ = 0.296a
  • 入射角度:围绕共振角θᵣ = 14.95°的小范围扫描14°, 16°
  • 频率:固定在UGR共振频率af/c = 0.4456

评价指标

  • 反射率/透射率:|r|², |t|²
  • 相位:φᵣ = Arg(r), φₜ = Arg(t)
  • GH位移:通过相位导数计算
  • 品质因子:Q = ωᵤ/γᵤ
  • 方向性:η值

实验结果

主要结果

1. UGR参数分布

  • UGR1分支存在于w₁ ∈ 0.245a, 0.497a
  • UGR2分支存在于w₁ ∈ 0.174a, 0.346a
  • 两分支共存区间:w₁ ∈ 0.245a, 0.346a

2. 异常行为验证

  • 恒定透射率现象:在GH位移共振峰处,透射率保持接近1的恒定值
  • 选择性激发:只有特定入射方向(右上和左下背景)能激发显著的GH位移
  • GH位移抑制:某些UGR的GH位移被抑制到接近零值

3. 定量结果

  • 最大GH位移可达180λ(对于高Q因子的UGR1)
  • 部分UGR2在w₁接近下界时GH位移被完全抑制
  • 品质因子范围:200-1000

消融实验

1. 入射方向依赖性 通过四种入射条件(右上、右下、左上、左下)验证了UGR的单向性:

  • 右上和左下入射:产生显著GH位移
  • 右下和左上入射:GH位移接近零

2. 结构参数影响

  • w₁变化对UGR位置和强度的影响
  • 对称性破缺程度对异常行为的调控作用

案例分析

高斯光束可视化

  • 束宽与GH位移相当时,入射光束与透射光束空间分离
  • UGR激发产生的局域场在传播一定距离后向相反方向辐射
  • 非共振入射条件下光束直接透射无位移

实验发现

  1. 群速度的关键作用:当UGR移向能带结构的谷底时,群速度趋于零,导致GH位移被抑制。
  2. 干涉机制:直接散射与UGR辐射的干涉导致透射率恒定但相位快速变化。
  3. 时间反演对称性:相反入射方向的GH位移相等,验证了理论预测。

相关工作

传统GH位移增强方法

  • 表面等离子体激元:存在金属吸收损耗问题
  • Fabry-Perot共振:需要特殊的腔体结构
  • 准BIC:GH位移与品质因子成正比,但需要精确的对称性调控

UGR相关研究

  • 拓扑光子学:UGR作为拓扑保护的光学态
  • 非对称散射:辐射不对称性的应用
  • 单向波导:基于UGR的单向光传输

本文优势

相比现有工作,本文首次系统研究了UGR驱动的GH位移,发现了新的物理机制和异常现象,并提供了完整的理论解释。

结论与讨论

主要结论

  1. UGR驱动的GH位移具有独特性质:与传统准BIC机制不同,表现出恒定透射率伴随相位共振的异常行为。
  2. 群速度是关键因子:GH位移同时依赖于群速度和品质因子,群速度为零时位移被完全抑制。
  3. 干涉机制解释异常现象:直接散射与UGR辐射的干涉是异常行为的物理根源。
  4. 可控的单向效应:通过结构参数调控可以实现选择性的GH位移增强。

局限性

  1. 参数范围限制:UGR只在特定的结构参数范围内存在。
  2. 频率依赖性:需要精确匹配UGR的共振频率。
  3. 角度敏感性:GH位移增强只在窄角度范围内有效。
  4. 理论简化:TCMT分析基于弱耦合近似,强耦合情况可能需要更复杂的理论。

未来方向

  1. 多层结构扩展:研究更复杂的多层结构中的UGR现象。
  2. 非线性效应:探索非线性材料中UGR驱动的GH位移。
  3. 动态调控:通过外场调控实现GH位移的动态操控。
  4. 器件应用:基于UGR的GH位移开发新型光学器件。

深度评价

优点

  1. 理论贡献显著:首次建立了UGR驱动GH位移的完整理论框架,揭示了新的物理机制。
  2. 现象发现重要:发现的两种异常行为为光学操控提供了新思路。
  3. 分析方法严谨:结合数值模拟、解析理论和直观可视化,分析全面深入。
  4. 物理图像清晰:通过TCMT分析清楚地解释了干涉机制的物理本质。

不足

  1. 实验验证缺失:作为理论和数值研究,缺乏实验验证。
  2. 应用前景有限:由于严格的共振条件要求,实际应用可能受限。
  3. 参数优化不足:对如何优化结构参数以获得最佳性能的讨论较少。
  4. 损耗分析缺乏:没有详细分析实际材料损耗对结果的影响。

影响力

  1. 学术价值高:为UGR和GH位移的交叉研究开辟了新方向。
  2. 理论意义重大:群速度效应的发现丰富了对GH位移物理机制的理解。
  3. 应用潜力:为设计新型光学传感器和光束操控器件提供了理论基础。

适用场景

  1. 精密光学测量:利用异常GH位移进行高精度位移或角度测量。
  2. 光束分离器:基于入射方向选择性的单向光束分离。
  3. 光学传感:利用UGR的高品质因子进行高灵敏度传感。
  4. 光子集成回路:在芯片级光学器件中实现光束路由功能。

参考文献

论文引用了63篇相关文献,涵盖了GH位移、超表面光栅、准BIC、UGR等多个研究领域的重要工作,为本研究提供了坚实的理论基础和对比参考。