2025-11-23T01:37:15.940783

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures

Vangipuram, Mukit, Zhang et al.
AlScN thin films were grown via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), showing controllable incorporation of scandium (Sc) into the AlN lattices. Systematic variation of growth parameters demonstrated an obvious influence on Sc incorporation, with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis indicating Sc composition up to $\sim$13\% when (MCp)$_2$ScCl was used as the precursor. AlScN/AlN/GaN heterostructures grown on GaN templates exhibited the formation of a two-dimensional electron gas (2DEG) channel at the AlScN/AlN--GaN interface, confirming their potential use in high electron mobility transistor (HEMT) device technologies. Variation in AlScN/AlN barrier thickness within the heterostructures showed that thicker barriers yield higher sheet charge densities from both Hall and capacitance-voltage (C--V) measurements. With an AlScN/AlN barrier thickness of $\sim$30~nm, a sheet charge density of $5.22\times10^{12}$~cm$^{-2}$ was extracted from C--V. High-resolution scanning transmission electron microscopy (S/TEM) further confirmed Sc incorporation and revealed the wurtzite crystalline structure of the films and heterostructures. These results establish MOCVD growth of AlScN as a promising and compatible material for advancing III-nitride heterostructures in high-performance electronics and potentially ferroelectrics.
academic

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures

基本信息

  • 论文ID: 2510.12074
  • 标题: Metalorganic Chemical Vapor Deposition of AlScN Thin Films and AlScN/AlN/GaN Heterostructures
  • 作者: Vijay Gopal Thirupakuzi Vangipuram, Abdul Mukit, Kaitian Zhang, Salva Salmani-Rezaie, Hongping Zhao
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
  • 机构: The Ohio State University
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.12074

摘要

本研究通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术成功生长了AlScN薄膜，实现了钪(Sc)在AlN晶格中的可控掺入。通过系统性调节生长参数，X射线光电子能谱(XPS)分析表明，使用(MCp)₂ScCl作为前驱体时Sc组分可达约13%。在GaN模板上生长的AlScN/AlN/GaN异质结构在AlScN/AlN-GaN界面形成了二维电子气(2DEG)通道，证实了其在高电子迁移率晶体管(HEMT)器件技术中的应用潜力。异质结构中AlScN/AlN势垒厚度的变化表明，较厚的势垒在霍尔和电容-电压(C-V)测量中都产生更高的面电荷密度。当AlScN/AlN势垒厚度约为30 nm时，从C-V测量中提取的面电荷密度为5.22×10¹²cm⁻²。高分辨率扫描透射电子显微镜(S/TEM)进一步确认了Sc的掺入并揭示了薄膜和异质结构的纤锌矿晶体结构。

研究背景与动机

问题背景

III族氮化物材料系统(AlN、InN、GaN)在过去几十年中在高频、高功率和光电子应用中取得了重大进展。这些二元化合物都共享相同的纤锌矿晶体结构，为设计高性能电子和光电子器件提供了广泛的灵活性。

研究动机

  1. 材料性能优势: AlScN具有多种优异的材料特性，包括：
    • 相比AlN显著增强的压电响应，为MEMS谐振器、射频滤波器和声学器件提供机会
    • 发现的铁电性为存储器应用开辟了新途径
    • 带隙工程在光学和光电子器件中的应用前景
  2. 晶格匹配优势: Sc组分在9-14%范围内的AlScN可以与GaN形成晶格匹配结构，这允许外延生长更厚的层，同时仍提供与GaN的显著带偏移
  3. 技术挑战: 虽然通过溅射和分子束外延(MBE)广泛研究了AlScN薄膜沉积，但通过MOCVD实现高质量AlScN薄膜的研究相对有限，主要限制因素是缺乏合适的金属有机前驱体

核心贡献

  1. 首次系统性研究: 使用(MCp)₂ScCl作为Sc前驱体，通过MOCVD技术系统性生长AlScN薄膜，实现了高达13%的Sc掺入
  2. 工艺优化: 相比之前报道的155℃，将气泡器温度降低至110-120℃范围，优化了生长条件
  3. 异质结构实现: 成功制备了AlScN/AlN/GaN异质结构，并证实了2DEG通道的形成
  4. 器件特性验证: 通过霍尔和C-V测量验证了异质结构的电学特性，为HEMT器件应用奠定了基础
  5. 微观结构表征: 通过S/TEM详细表征了薄膜的晶体结构和Sc分布

方法详解

实验设置

  • 基底: c面GaN/蓝宝石模板
  • 反应器: 改装的MOCVD系统，配备SiC涂层石墨基座
  • 前驱体:
    • Al源：三甲基铝(TMAl)
    • N源：NH₃
    • Sc源：双(甲基环戊二烯基)氯化钪((MCp)₂ScCl)
  • 载气: H₂

生长条件优化

研究了三个主要样品(A、B、C)的生长条件：

  • 样品A: Sc气泡器温度110℃，TMAl摩尔流率0.53 µmol/min，生长1小时
  • 样品B: Sc气泡器温度120℃，TMAl摩尔流率0.53 µmol/min，生长1小时
  • 样品C: Sc气泡器温度120℃，TMAl摩尔流率0.29 µmol/min，生长1.5小时

异质结构制备

制备了三个不同势垒厚度的AlScN/AlN/GaN异质结构(样品D、E、F)：

  • 300 nm非故意掺杂GaN缓冲层
  • 2分钟生长的AlN中间层
  • 不同生长时间的AlScN势垒层(10、20、30分钟)

实验设置

表征技术

  1. 结构表征:
    • X射线衍射(XRD) 2θ-ω扫描：Bruker D8 Discover，Cu Kα辐射
    • 原子力显微镜(AFM)：Bruker AXS Dimension系统
    • 扫描透射电子显微镜(S/TEM)：Thermo Fisher Scientific Themis Z
  2. 电学表征:
    • 汞探针电容-电压(C-V)测量：Keysight E4980A LCR表
    • 霍尔测量：Ecopia HMS-3000系统，0.985 T永磁体
  3. 成分分析:
    • X射线光电子能谱(XPS)：ThermoFisher Nexsa G2系统
    • 能量色散X射线谱(EDS)：Super-X EDS检测器

评价指标

  • Sc组分通过XPS带隙提取法确定
  • 2DEG面电荷密度通过C-V和霍尔测量提取
  • 表面形貌通过AFM的RMS粗糙度表征
  • 晶体质量通过XRD峰位置和强度评估

实验结果

主要结果

Sc掺入的可控性

  1. 样品A: XRD峰位于36.02°，对应弛豫的AlN，无明显Sc掺入
  2. 样品B: XRD峰移至36.14°，XPS分析显示Sc组分约6%
  3. 样品C: XRD峰进一步移至36.18°，XPS分析显示Sc组分约13%

表面形貌改善

  • 样品A和B显示明显的裂纹形成，这是拉伸应变弛豫的结果
  • 样品C由于较高的Sc组分接近晶格匹配条件，表面无明显裂纹
  • 样品C的RMS表面粗糙度为2.81 nm

异质结构电学特性

C-V测量结果:

  • 样品D(10 nm势垒): 1.59×10¹²cm⁻²
  • 样品E(20 nm势垒): 2.84×10¹²cm⁻²
  • 样品F(30 nm势垒): 5.22×10¹²cm⁻²

霍尔测量结果:

  • 样品D: n≈4.0×10¹³cm⁻²，迁移率780 cm²/Vs
  • 样品E: n≈4.8×10¹³cm⁻²，迁移率646 cm²/Vs
  • 样品F: n≈6.2×10¹³cm⁻²，迁移率562 cm²/Vs

微观结构分析

S/TEM分析显示：

  • 整个生长层保持良好的晶体结构
  • Sc在薄膜中分布相对均匀
  • 观察到延迟的Sc掺入现象
  • 长时间生长可能导致界面处AlGaN合金层的形成

实验发现

  1. 带隙工程: XPS分析显示，随Sc掺入增加，带隙从5.87 eV(6% Sc)减小到5.66 eV(13% Sc)
  2. 应变管理: 13% Sc组分的AlScN实现了与GaN的近似晶格匹配
  3. 界面质量: 所有异质结构样品都显示出从耗尽区到累积区的急剧转变，表明高质量的GaN/AlN界面

相关工作

主要研究方向

  1. 溅射法制备: 广泛研究了通过溅射制备AlScN薄膜，但存在晶体质量和界面控制的限制
  2. MBE生长: 分子束外延技术可实现高质量AlScN，但成本高且产率低
  3. MOCVD技术: Fraunhofer Institute IAF是该领域的先驱，使用定制的紧耦合喷头MOCVD反应器实现了高达30%的Sc掺入

本文优势

  1. 工艺简化: 降低了Sc前驱体的工作温度
  2. 系统性研究: 首次系统性研究了MOCVD工艺参数对Sc掺入的影响
  3. 器件验证: 直接验证了AlScN/AlN/GaN异质结构的器件特性

结论与讨论

主要结论

  1. 技术可行性: 成功证明了通过MOCVD生长高质量AlScN薄膜的可行性
  2. 组分可控: 实现了高达13%的可控Sc掺入
  3. 器件潜力: AlScN/AlN/GaN异质结构显示出良好的2DEG特性，适用于HEMT器件
  4. 工艺优化: 相比文献报道降低了生长温度，简化了工艺条件

局限性

  1. 生长速率: 由于Sc前驱体蒸汽压相对较低，生长速率有限
  2. 表面形貌: 未观察到典型的III族氮化物阶梯流动生长形貌
  3. 测量差异: C-V和霍尔测量的面电荷密度存在显著差异，需要进一步优化测量方法
  4. Sc分布: 观察到Sc的横向偏析现象，可能与位错缺陷相关

未来方向

  1. 前驱体开发: 开发具有更高蒸汽压的新型Sc前驱体
  2. 工艺优化: 进一步优化生长条件以改善表面形貌和Sc分布均匀性
  3. 器件制备: 完整的HEMT器件制备和性能评估
  4. 铁电性研究: 探索AlScN薄膜的铁电特性及其在存储器件中的应用

深度评价

优点

  1. 技术创新: 首次系统性地通过MOCVD实现了AlScN薄膜的可控生长，为III族氮化物器件技术提供了新的材料选择
  2. 实验充分: 结合了多种表征技术(XRD、XPS、AFM、S/TEM、电学测量)，提供了全面的材料和器件特性分析
  3. 实用价值: 直接验证了2DEG的形成，为HEMT器件应用提供了实验基础
  4. 工艺改进: 相比已有文献降低了生长温度，提高了工艺的实用性

不足

  1. Sc组分限制: 最高Sc组分仅达到13%，低于溅射和MBE方法可实现的水平
  2. 测量一致性: C-V和霍尔测量结果存在较大差异，需要更好地理解测量误差来源
  3. 机理分析: 对Sc掺入机理和延迟掺入现象的理论分析不够深入
  4. 器件验证: 缺乏完整的HEMT器件制备和性能测试

影响力

  1. 学术贡献: 为MOCVD生长AlScN提供了重要的工艺参考，推动了该领域的技术发展
  2. 产业价值: 为基于AlScN的高性能电子器件的产业化提供了技术基础
  3. 可复现性: 详细的实验条件和表征方法有利于其他研究组重现结果

适用场景

  1. 高频电子器件: HEMT、功率放大器等高频高功率器件
  2. MEMS器件: 基于压电效应的谐振器、滤波器
  3. 新兴应用: 铁电存储器、声学器件等新兴应用领域

参考文献

论文引用了27篇相关文献，涵盖了III族氮化物器件技术、AlScN材料特性、MOCVD生长技术等关键领域的重要研究工作，为本研究提供了坚实的理论基础和技术参考。

总体评价: 这是一篇高质量的材料科学研究论文，在MOCVD生长AlScN薄膜方面取得了重要进展。虽然在某些技术指标上仍有改进空间，但为III族氮化物异质结构器件技术的发展提供了有价值的贡献。