2025-11-22T16:28:16.706026

Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films

Li, Hu, Li et al.
Altermagnets constitute an emerging class of collinear magnets that exhibit zero net magnetization yet host spin-split electronic bands arising from non-relativistic spin-space-group symmetries. Realization of altermagnetism in the two-dimensional (2D) limit remains an outstanding challenge because dimensional reduction suppresses kZ dispersion and destabilizes the symmetry operations essential for spin compensation. Here, we demonstrate genuine 2D altermagnetism in epitaxial unit-cell-thin films of CrSb grown on Bi2Te3. It reveals a thickness-driven transition from a ferrimagnetic state in 1-unit-cell films to an altermagnetic state above a critical thickness of 7/4 unit cell. The transition originates from interfacial symmetry breaking at the Cr-terminated layer that induces local moment imbalance. With increasing thickness the key spin-space-group symmetries [C2||C6Zt] and [C2||MZ] restores, which leads to altermagnetism with zero net magnetization and momentum-dependent spin splitting. Our results provide the first experimental realization of altermagnetism in the 2D regime and establish a route for integrating stray-field-free spin order into nanoscale spintronic architectures.
academic

Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films

基本信息

  • 论文ID: 2510.12344
  • 标题: Two-Dimensional Altermagnetism in Epitaxial CrSb Ultrathin Films
  • 作者: Keren Li, Yuzhong Hu, Yue Li, Ruohang Xu, Heping Li, Kun Liu, Chen Liu, Jincheng Zhuang, Yee Sin Ang, Jiaou Wang, Haifeng Feng, Weichang Hao, Yi Du
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
  • 发表时间: 2025年1月
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.12344

摘要

反磁性材料(Altermagnets)是一类新兴的共线磁性材料，它们表现出零净磁化却具有由非相对论自旋-空间群对称性引起的自旋分裂电子能带。在二维(2D)极限下实现反磁性仍然是一个突出挑战，因为维度降低会抑制kZ色散并破坏自旋补偿所必需的对称操作。本文在Bi2Te3衬底上生长的外延单胞层CrSb薄膜中实现了真正的2D反磁性。研究揭示了从1单胞层膜的亚铁磁态到临界厚度7/4单胞层以上的反磁态的厚度驱动转变。这种转变源于Cr终端层的界面对称性破缺，导致局域磁矩不平衡。随着厚度增加，关键的自旋-空间群对称性C2||C6Zt和C2||MZ得以恢复，从而产生具有零净磁化和动量相关自旋分裂的反磁性。

研究背景与动机

问题定义

本研究要解决的核心问题是在二维极限下实现反磁性(altermagnetism)。反磁性材料是一类新发现的磁性材料，它们结合了反铁磁材料的零净磁化特性和铁磁材料的自旋电子学功能，为下一代自旋电子器件提供了无杂散场的平台。

重要性分析

  1. 技术需求: 自旋电子器件需要在纳米尺度上实现有效的电子门控和近邻耦合，这要求材料具有二维特性
  2. 基础科学意义: 反磁性的实现依赖于特定的三维能带拓扑和对称性操作，在二维极限下这些条件可能被破坏
  3. 应用前景: 真正的2D反磁性材料可以集成到纳米级自旋电子架构中，实现无杂散场的自旋有序

现有局限性

  1. 维度约束: 维度降低会抑制kZ色散，这对反磁性的能带结构至关重要
  2. 对称性破缺: 二维化会破坏维持自旋补偿所必需的晶体对称性
  3. 实验空白: 尽管在层状材料如KV2Se2O、Rb2V2Te2O中声称观察到反磁性，但这些现象实际上源于体材料，真正的2D反磁性尚未实现

核心贡献

  1. 首次实验实现: 在外延CrSb超薄膜中首次实验实现了真正的二维反磁性
  2. 发现临界厚度: 揭示了从亚铁磁态(1单胞层)到反磁态(7/4单胞层以上)的厚度驱动磁性转变
  3. 机理阐明: 通过STM、STS、ARPES和DFT计算阐明了界面对称性破缺和恢复的微观机制
  4. 技术路径: 建立了将反磁性集成到纳米级自旋电子器件的技术路径

方法详解

实验设计

研究采用分子束外延(MBE)技术在Bi2Te3衬底上生长不同厚度的CrSb薄膜，结合多种表征手段系统研究其磁性和电子结构。

材料制备

  • 衬底: Bi2Te3单晶，提供良好的外延生长模板
  • 生长条件: 超高真空(1×10⁻¹⁰ mbar)，生长温度200°C
  • 通量比: Cr:Sb ≈ 1:10
  • 厚度控制: 通过控制沉积时间实现原子层精度的厚度控制

表征技术

  1. 扫描隧道显微镜(STM): 原子分辨率形貌和电子结构表征
  2. 扫描隧道谱(STS): 局域态密度和电子结构分析
  3. 角分辨光电子能谱(ARPES): 能带结构和动量分辨测量
  4. 密度泛函理论(DFT): 理论计算和机理分析

技术创新点

  1. 精确厚度控制: 实现了单原子层精度的厚度控制，发现了(1+3n)/4单胞层的特殊生长模式
  2. 界面工程: 通过Cr终端界面调控，实现了从亚铁磁到反磁的可控转变
  3. 多尺度表征: 结合局域和全局测量技术，从原子尺度到电子能带全面表征材料性质

实验设置

样品制备

  • MBE生长: 在超高真空环境中使用电阻加热蒸发源制备CrSb薄膜
  • 厚度系列: 1 UC、7/4 UC、10/4 UC、13/4 UC等不同厚度样品
  • 表面终端: 通过控制生长实现Sb终端(1 UC)和Cr终端(7/4 UC以上)

测量条件

  • STM测量: 77 K，超高真空(1×10⁻¹⁰ mbar)
  • ARPES测量: 10 K，He-I光源(21.2 eV)
  • STS测量: 锁相检测，调制频率973 Hz

计算参数

  • DFT计算: VASP软件包，PBE泛函
  • 平面波截断: 360 eV
  • k点网格: 体材料15×15×12，单层14×14×1

实验结果

主要发现

1. 厚度依赖的磁性转变

  • 1 UC薄膜: 表现为亚铁磁态，净磁矩0.94 μB
  • 7/4 UC及以上: 转变为反磁态，净磁矩接近零
  • 临界厚度: 7/4 UC为反磁性出现的临界厚度

2. 电子结构演化

通过STS测量发现：

  • 1 UC薄膜: 在-0.13 V处出现Fano峰(P1峰)，表明存在局域磁矩和Kondo效应
  • 7/4 UC薄膜: P1峰消失，表明局域磁矩补偿，恢复反磁性
  • 厚膜: 电子结构与体CrSb一致

3. 能带分裂观察

ARPES测量显示：

  • 7/4 UC薄膜: 沿Γ-M方向观察到~0.55 eV的能带分裂
  • 动量依赖性: 分裂沿Γ-M方向出现，沿Γ-K方向消失
  • 反磁特征: 符合反磁性材料的动量相关自旋极化特征

理论计算验证

DFT计算结果与实验高度一致：

  • 磁性基态: 1 UC为亚铁磁，7/4 UC为反磁
  • 电子结构: 计算的态密度与STS谱符合良好
  • 能带特征: 理论预测的能带分裂与ARPES观察一致

机理分析

研究揭示了厚度驱动磁性转变的微观机理：

  1. 界面效应: Cr终端界面破坏了体材料的对称性
  2. 配位环境: 界面Cr原子(Cr1)处于三角锥配位(C3v)，体相Cr原子(Cr2)保持八面体配位(Oh)
  3. 对称性恢复: 7/4 UC以上厚度恢复了关键的自旋-空间群对称性C2||C6Zt和C2||MZ

相关工作

反磁性研究现状

近年来在多个体系中发现了反磁性：

  • RuO2: 首个被广泛研究的反磁性材料
  • MnTe: 显示巨大的能带分裂
  • CrSb: 具有最大的非相对论自旋分裂(~1.0 eV)

二维磁性材料

  • 范德华磁性材料: 如CrI3、Cr2Ge2Te6等展现了二维磁性
  • 拓扑磁性: 在二维材料中实现量子反常霍尔效应
  • 本工作定位: 首次在二维极限实现反磁性

结论与讨论

主要结论

  1. 首次实现: 在外延CrSb超薄膜中首次实现了真正的二维反磁性
  2. 临界现象: 发现了7/4单胞层的临界厚度，below此厚度反磁性消失
  3. 机理清晰: 阐明了界面对称性破缺和恢复导致磁性转变的微观机制
  4. 技术路径: 为反磁性材料在自旋电子器件中的应用奠定了基础

科学意义

  • 基础物理: 证明了反磁性可以在二维极限下稳定存在
  • 对称性工程: 展示了通过界面工程调控量子态的可能性
  • 器件应用: 为无杂散场自旋电子器件提供了材料基础

局限性

  1. 温度限制: 目前的测量主要在低温下进行，室温性能有待验证
  2. 衬底依赖: 反磁性的实现依赖于特定的Bi2Te3衬底
  3. 厚度窗口: 反磁性只在特定厚度范围内稳定

未来方向

  1. 室温反磁性: 寻找在室温下稳定的二维反磁性材料
  2. 器件集成: 将二维反磁性材料集成到实际的自旋电子器件中
  3. 新材料探索: 基于对称性工程原理设计新的二维反磁性材料

深度评价

优点

  1. 创新性突出: 首次实现二维反磁性，填补了重要的研究空白
  2. 实验充分: 结合多种先进表征技术，从多个角度验证了结果
  3. 理论支撑: DFT计算与实验高度一致，机理清晰
  4. 技术先进: 实现了原子层精度的材料制备和表征

不足

  1. 应用验证: 缺乏实际器件性能的验证
  2. 温度范围: 主要在低温下验证，实用性有限
  3. 材料体系: 仅在CrSb体系中验证，普适性待确认

影响力

  1. 学术价值: 开辟了二维反磁性这一新的研究方向
  2. 技术意义: 为自旋电子器件提供了新的材料平台
  3. 启发作用: 为其他二维量子材料的设计提供了思路

适用场景

  • 基础研究: 二维磁性和自旋电子学基础研究
  • 器件开发: 低功耗、高密度自旋电子器件
  • 量子技术: 量子信息和量子计算应用

参考文献

本文引用了53篇重要文献，涵盖了反磁性理论、实验技术、相关材料等多个方面，为研究提供了坚实的理论和实验基础。特别值得注意的是对Šmejkal等人反磁性理论工作和近期RuO2、MnTe等材料实验研究的全面引用。

总体评价: 这是一篇高质量的材料科学研究论文，在二维反磁性这一前沿领域取得了重要突破。实验设计合理，数据充分，理论分析深入，为该领域的发展做出了重要贡献。