2025-11-22T10:04:23.974065

First-Principles Exploration of Pentagonal TiN$_8$ and MoN$_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator

Wang, Ruan, Li et al.

The quest for robust, intrinsically magnetic topological materials exhibiting the quantum anomalous Hall (QAH) effect is a central challenge in condensed matter physics and the application of revolutionary electronics. However, progress has been hampered by the limited number of candidate materials, which often suffer from poor stability and complex synthesis. Here, we introduce a new paradigm by exploring the emergent magnetism and nontrivial band topology in the largely overlooked family of two-dimensional (2D) pentagonal MN$_8$ monolayers. Employing first-principles calculations, we reveal that these systems host out-of-plane ferromagnetic ground states, a key feature that unlocks nontrivial topological properties driven by the localized $d$-orbitals of the embedded transition metals. Remarkably, we identify TiN$_8$ as a QAH insulator characterized by a Chern number of $C=-1$. Even more strikingly, MoN$_8$ is predicted to be a rare high-Chern-number QAH insulator, boasting a Chern number of $C=2$. Our findings establish the penta-MN$_8$ family as a fertile and versatile platform for realizing exotic topological quantum states. This work not only significantly expands the material landscape for magnetic topological insulators but also provides a solid theoretical foundation for designing next-generation spintronic and quantum computing devices.

academic

First-Principles Exploration of Pentagonal TiN $_8$ and MoN $_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator

基本信息

论文ID: 2510.13107
标题: First-Principles Exploration of Pentagonal TiN $_8$ and MoN $_8$ Monolayers as New Magnetic Topological Insulator
作者: Zheng Wang, Beichen Ruan, Zhuoheng Li, Shu-Shen Lyu, Kaixuan Chen
单位: 中山大学深圳校区材料学院
分类: cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
发表时间: 2025年10月16日
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.13107

摘要

寻找具有量子反常霍尔效应(QAH)的稳健本征磁性拓扑材料是凝聚态物理和革命性电子学应用的核心挑战。然而，由于候选材料数量有限、稳定性差和合成复杂等问题，进展受到了阻碍。本文通过探索二维五边形MN $_8$ 单分子层中被忽视的新兴磁性和非平凡能带拓扑，引入了新的研究范式。通过第一性原理计算，揭示了这些系统具有面外铁磁基态，这是由嵌入过渡金属的局域d轨道驱动的非平凡拓扑性质的关键特征。TiN $_8$ 被识别为具有Chern数 $C=-1$ 的QAH绝缘体，更引人注目的是，MoN $_8$ 被预测为罕见的高Chern数QAH绝缘体，具有 $C=2$ 的Chern数。

研究背景与动机

问题定义

核心挑战: 量子反常霍尔效应(QAH)材料的稀缺性和实用性问题
现有材料局限性:
- Cr掺杂的(Bi,Sb) $_2$ Te $_3$ 薄膜等实验实现的2D磁性拓扑绝缘体存在合成困难和稳定性差的问题
- 候选材料数量有限，限制了实际应用

研究重要性

QAH效应为低功耗电子器件和拓扑量子计算提供了有前景的平台
2D范德华材料的快速发展为克服传统磁性拓扑绝缘体面临的挑战提供了途径
五边形结构材料展现出卓越的机械和电子性质

研究动机

以往对penta-MN $_8$ 结构的研究仅关注晶格结构和一般物理性质，忽略了过渡金属d轨道的局域性质
缺乏对新兴磁性和非平凡能带拓扑的系统研究
需要扩展磁性拓扑材料的候选材料库

核心贡献

发现新型QAH材料家族: 首次预测penta-MN $_8$ 家族具有本征磁性拓扑绝缘体性质
识别高Chern数拓扑绝缘体: MoN $_8$ 具有罕见的 $C=2$ 高Chern数
揭示磁性机制: 阐明了d轨道局域化导致的面外铁磁基态形成机制
建立理论框架: 构建了简化的紧束缚模型解释拓扑性质起源
扩展材料设计空间: 为下一代自旋电子学和量子计算器件设计提供理论基础

方法详解

计算方法

第一性原理计算:

使用VASP软件包进行密度泛函理论(DFT)计算
采用投影缀加波(PAW)方法处理电子-离子相互作用
交换关联势采用PBE泛函
平面波基组截止能量: 600 eV
k点网格: 11×11×1 Gamma中心采样

关键技术参数:

DFT+U方法处理d轨道库伦相互作用: U(Ti)=3.0 eV, U(Mo)=2.0 eV
DFT-D3方法修正范德华相互作用
真空层厚度: 15 Å

拓扑性质计算

Wannier函数方法:

使用Wannier90和WannierTools软件包
Chern数计算公式: $C = \frac{1}{2\pi}\sum_n \int_{BZ} d^2k \Omega_n$

Berry曲率计算: $\Omega_n(k) = -\sum_{n'\neq n} \frac{2\text{Im}\langle\psi_{nk}|v_x|\psi_{n'k}\rangle\langle\psi_{n'k}|v_y|\psi_{nk}\rangle}{(\varepsilon_{n'}-\varepsilon_n)^2}$

TiN $_8$ : γ相结构，纯平面几何，空间群P6/m，晶格常数a=5.47 Å
MoN $_8$ : β相结构，褶皱形态，空间群P3，晶格常数a=5.28 Å
每个原胞包含1个过渡金属原子和8个氮原子(6个N1位点+2个N2位点)