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Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets

Fang, Zhang, Zhou et al.

Valley Hall effect is fundamental to valleytronics and provides a promising avenue for advancing information technology. While conventional valley Hall effect requires the inversion symmetry breaking, the recently proposed nonlinear valley Hall (NVH) effect removes the symmetry constraint, and broaden material choices. However, existing studies are limited to nonmagnetic materials without spin involvement and rely on external strain to break rotational symmetry. Here, to address these limitations, we design a magnetically controllable NVH effect in centrosymmetric ferromagnets, by the tight-binding model and first-principles calculations. The model calculations demonstrate nonvanishing NVH conductivities can emerge in pristine hexagonal lattice without external strain, with the magnitude, sign, and spin polarization of the conductivities being all dependent on the magnetization orientation. The effect thus generates various spin-polarized valley Hall currents, characterized by distinct combinations of current direction and spin polarization. First-principle results on a ferromagnetic VSi$_2$N$_4$ bilayer confirm considerable NVH conductivities and their dependence on the magnetization. The magnetically controllable NVH effect unlocks the potential of centrosymmetric magnets for valleytronics, and offer opportunities for novel spintronic and valleytronic devices.

academic

Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets

基本信息

论文ID: 2510.13457
标题: Magnetically controllable nonlinear valley Hall effect in centrosymmetric ferromagnets
作者: Ruijing Fang, Jie Zhang, Zhichao Zhou, Xiao Li (南京师范大学)
分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
发表时间: 2024年10月15日 (arXiv预印本)
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.13457

摘要

谷霍尔效应是谷电子学的基础，为推进信息技术提供了有望的途径。传统的谷霍尔效应需要破坏反演对称性，而最近提出的非线性谷霍尔(NVH)效应消除了对称性约束，拓宽了材料选择。然而，现有研究局限于无自旋参与的非磁性材料，并依赖外部应变来破坏旋转对称性。为解决这些限制，本文通过紧束缚模型和第一性原理计算，设计了中心对称铁磁体中磁控的NVH效应。模型计算表明，在无外部应变的原始六角晶格中可出现非零NVH电导率，其幅度、符号和自旋极化都依赖于磁化方向。该效应产生各种自旋极化的谷霍尔电流，具有不同的电流方向和自旋极化组合特征。对铁磁VSi₂N₄双分子层的第一性原理计算证实了可观的NVH电导率及其对磁化的依赖性。

研究背景与动机

问题背景

传统谷霍尔效应的限制：传统的线性谷霍尔效应要求破坏晶体反演对称性，这排除了大量中心对称材料在谷电子学中的应用。
现有NVH效应的局限性：
- 仅限于非磁性材料，缺乏自旋自由度的参与
- 依赖外部应变破坏旋转对称性，存在应变传递效率低、分布不均匀等问题
- 精度和重现性受限
研究需求：需要开发能有效引入自旋并提供增强可控性的新机制，实现多重电子自由度的协同操控。

研究动机

本文旨在克服现有NVH效应研究中自旋自由度缺失和需要外部应变的缺陷，通过引入铁磁序来同时实现：

破坏时间反演对称性并引入自旋极化
通过自旋轨道耦合破坏晶体旋转对称性
实现磁场可控的谷电子学效应

核心贡献

提出磁控NVH效应：首次在中心对称铁磁体中实现无需外部应变的非线性谷霍尔效应
理论模型构建：建立了包含自旋轨道耦合和铁磁交换相互作用的三轨道紧束缚模型
多重可调性实现：通过磁化方向调控NVH电导率的幅度、符号和自旋极化方向
材料验证：在VSi₂N₄双分子层中验证了理论预测，证实了可观的NVH电导率
器件应用前景：为设计基于谷和自旋自由度操控的新型自旋电子学和谷电子学器件提供了平台

方法详解

任务定义

研究中心对称铁磁体中的非线性谷霍尔效应，其中：

输入：面内电场 E_b, E_c
输出：横向谷霍尔电流 J^NVH_a = J^v1_a - J^v2_a ∝ E_b E_c
约束：保持中心对称性，通过磁化方向调控

理论框架

1. 紧束缚模型

构建空间群为P3̄m1的中心对称铁磁体模型，包含：

三个d轨道：d_z², d_xz, d_yz
原位自旋轨道耦合
可调磁化方向的铁磁交换相互作用

2. NVH电导率计算

基于Berry连接极化率(BCP)的本征贡献：

$\chi^{NVH}_{abc} = e^3 \int_{BZ} \tau \frac{dk}{(2\pi)^2} \Lambda_{abc}(k)$

其中： $\Lambda_{abc}(k) = \sum_n \lambda^n_{abc}(k) \frac{\partial f(\varepsilon_{nk})}{\partial \varepsilon_{nk}}$

$\lambda^n_{abc}(k) = v^n_a G^n_{bc}(k) - v^n_b G^n_{ac}(k)$

3. Berry连接极化率

$G^n_{ab}(k) = 2Re \sum_{m \neq n} \frac{A^{nm}_a(k) A^{mn}_b(k)}{\varepsilon_{nk} - \varepsilon_{mk}}$

$A^{nm}_a(k) = \frac{i\hbar \langle u_{nk}|\hat{v}_a|u_{mk}\rangle}{\varepsilon_{mk} - \varepsilon_{nk}}$

技术创新点

对称性分析：
- 利用P对称性确保K±点能量简并
- 通过面内磁化分量破坏C₃对称性
- C₂ₓ和Mₓ对称性决定非零NVH电导率分量
磁控机制：
- 磁化方向通过方位角φ和倾斜角θ参数化
- χ^NVH_xyy和χ^NVH_yxx分别遵循cos和sin函数依赖关系
- 实现电导率幅度、符号和自旋极化的独立调控
自旋极化特性：
- 不同磁化方向产生不同自旋极化组合
- 自旋方向周期为2π，电导率周期为π
- 可实现自旋平行和垂直于电流的多种模式