2025-11-14T18:19:11.520419

High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization

Deng, Yue, Liu et al.

High bandwidth and low dark current germanium (Ge) photodetectors are crucial in silicon photonic integrated circuits. The bandwidth of Ge photodetectors is restricted by carrier transit time and parasitic parameters. And thermal generation of carriers within the Ge P-N junction results in an inherent dark current, typically in nA-Î¼A range. Here, we propose an equalization photodetector (EqPD) utilizing the frequency response of a high-bandwidth photodetector PDA to subtract the frequency response of a low-bandwidth photodetector PDB. With the response of PDB attenuating more severely than PDA at high frequency, the differential response (the response of EqPD) can get higher values at high-frequency than at low-frequency. The dark current of EqPD can also be significantly reduced with PDB balancing the dark current of PDA. Experimental results show that the bandwidth of our proposed photodetector can be expanded to over 110 GHz with a dark current of 1 pA simultaneously, and its Non-Return-to-Zero (NRZ) transmission speed can reach 100 Gbaud without digital signal processing. To the best of our knowledge, this represents the highest bandwidth and lowest dark current in a vertical Ge photodetector. The high-performance EqPD provides a promising solution for high-speed and ultra-low noise photodetection in next-generation optical communication.

academic

High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization

基本信息

论文ID: 2510.13478
标题: High Bandwidth and Ultra-low Dark Current Ge Photodetector Enabled by Frequency Domain Equalization
作者: Wenxin Deng, Hengsong Yue, Xiaoyan Liu, Jianhong Liang, Jianbin Fu, Shilong Pan, Tao Chu
分类: physics.optics
发表机构: 浙江大学信息与电子工程学院、极端光子学与仪器国家重点实验室，南京航空航天大学微波光子学国家重点实验室
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.13478

摘要

本文提出了一种基于频域均衡的锗(Ge)光电探测器，通过利用高带宽光电探测器PDA的频率响应减去低带宽光电探测器PDB的频率响应来实现性能提升。由于PDB在高频处的衰减比PDA更严重，差分响应在高频处可以获得比低频处更高的值。实验结果表明，该均衡光电探测器(EqPD)的带宽可扩展至110 GHz以上，同时暗电流降低至1 pA，非归零码(NRZ)传输速度可达100 Gbaud，无需数字信号处理。

研究背景与动机

问题定义

带宽限制问题: 锗光电探测器的带宽主要受两个因素限制：载流子渡越时间和寄生参数(RC)。载流子从本征区传输到掺杂区需要时间，这与P-N结本征区长度相关；寄生参数主要包括硅电阻和结电容。
暗电流问题: Ge P-N结内载流子的热产生导致固有暗电流，通常在nA-μA范围内，这是由扩散电流、产生-复合电流、带间隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流组成。

研究重要性

人工智能和云计算对大量数据处理的巨大需求带来了数据通信的重大挑战。硅光子学以其与CMOS兼容的制造工艺、高集成密度、低功耗和低成本的优势，为解决这一问题提供了有前景的解决方案。

现有方法局限性

窄化本征区方法: 虽然可实现高达265 GHz的带宽，但暗电流约200 nA，且制造100 nm窄本征区极具挑战性
RC参数优化: 通过调整Ge区域大小和硅掺杂来优化，但仍受载流子渡越时间限制
电感器方法: 利用电感器减少结电容效应，但存在制造复杂性和参数匹配困难

核心贡献

提出了创新的均衡光电探测器(EqPD)架构: 利用差分结构实现频域均衡，突破传统带宽限制
实现了垂直Ge光电探测器的最高性能指标: 带宽超过110 GHz，暗电流仅1 pA
验证了100 Gbaud NRZ传输能力: 无需数字信号处理即可实现高速数据传输
提供了理论分析和实验验证: 建立了完整的等效电路模型和传递函数分析

方法详解

器件架构设计

EqPD由两个差分光电探测器组成：

PDA: 较小的Ge区域，具有较低电容和较高带宽
PDB: 较大的Ge区域，具有较高电容和较低带宽
共同电极: 连接PDA的N++Ge和PDB的P++硅，掺杂极性相反，实现电流相减
热可调MZI: 控制两个Ge区域的光功率分配比例

理论模型

传递函数

EqPD的传递函数为：

H_Eq(f) = H_t(f)[(1-m)H_a(f) - mH_b(f)]

其中：

m: 分配给PDB的入射光功率比例
H_t(f): 载流子控制的传递函数
H_a(f), H_b(f): PDA和PDB的RC寄生参数控制的传递函数

载流子传递函数

H_t(f) = 1/(1 + 2πjfR_tC_t)

RC传递函数

H_i(f) = X_j/[(1 + 2πjfC_p R_load)(X_i + X_j) + 2πjfC_i R_load X_j + X_i + X_j]

暗电流抑制机理

暗电流主要由四个部分组成：

扩散电流: I_Diff = (qD_n n_p^0)/L_n + (qD_p p_n^0)/L_p × e^(qV_d/KT) - 1
产生-复合电流: I_GR = (Aqd_i n_i)/(2τ) × e^(qV_d/2KT) - 1
带间隧穿电流: I_BBT
陷阱辅助隧穿电流: I_TAT

通过对PDA和PDB施加不同的偏置电压，可以使两者的暗电流相互抵消，实现超低暗电流。

实验设置

器件制造

基底: 220 nm厚硅顶层和2 μm厚埋氧层的SOI晶圆
Ge层: 500 nm外延生长，顶部50 nm重掺杂至N++浓度
掺杂浓度: P++Si约10^20 cm^-3，P+Si约10^19 cm^-3
器件尺寸: PDA为8×6 μm，PDB为17×6 μm

测试配置

小信号特性: 使用矢量网络分析仪(Keysight N5245B)和110 GHz光波组件分析仪
眼图测试: 包含激光器、偏振控制器、MZ调制器、EDFA放大器等完整链路
暗电流测试: 使用电压源(Keysight B2901A)

实验结果

主要性能指标

带宽性能

无均衡时(m=0): 3-dB带宽仅17 GHz
均衡优化后:
- m=0.1: 25 GHz
- m=0.2: 33 GHz
- m=0.3: 55 GHz
- m=0.35: 65 GHz
- m=0.4: 73 GHz
- m=0.45: >110 GHz (RF响应损耗仅-0.53 dB)

暗电流抑制

传统单PD: 2.5 nA (VB=-1V时)
EqPD优化后: 1 pA (降低3个数量级)
不同偏压下的抑制效果:
- VB=0V: 从156 pA降至3 pA
- VB=-1V: 从2.5 nA降至1 pA
- VB=-2V: 从3.5 nA降至20 pA (175倍降低)