2025-11-19T10:34:13.595476

Structural origin of resonant diffraction in RuO$_2$

Occhialini, Nelson, Bombardi et al.
We report Ru L$_3$-edge resonant X-ray diffraction studies on single crystal and (001) epitaxial films of RuO$_2$. We investigate the distinct $\mathbf{Q} = (100)$ and $(001)$ reflections as a function of incident energy, azimuthal angle, and temperature. The results show that the observed resonant diffraction in RuO$_2$ is fully consistent with a resonant charge anisotropy signal of structural origin permitted by the parent (non-magnetic) rutile $P4_2/mnm$ space group. These results significantly constrain the magnetic contribution to the resonant diffraction signal and indicate the unlikely existence of $\mathbf{k} = 0$ antiferromagnetic order in RuO$_2$.
academic

Structural origin of resonant diffraction in RuO2_2

基本信息

  • 论文ID: 2510.13767
  • 标题: Structural origin of resonant diffraction in RuO2_2
  • 作者: Connor A. Occhialini, Christie Nelson, Alessandro Bombardi, Shiyu Fan, Raul Acevedo-Esteves, Riccardo Comin, Dmitri N. Basov, Maki Musashi, Masashi Kawasaki, Masaki Uchida, Hoydoo You, John Mitchell, Valentina Bisogni, Claudio Mazzoli, Jonathan Pelliciari
  • 分类: cond-mat.str-el (强关联电子系统)
  • 发表时间: 2025年10月16日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.13767

摘要

本文报告了对RuO2_2单晶和(001)外延薄膜的Ru L3_3边共振X射线衍射研究。研究了不同的Q=(100)\mathbf{Q} = (100)和(001)(001)反射作为入射能量、方位角和温度的函数。结果表明，在RuO2_2中观察到的共振衍射完全符合由母体(非磁性)金红石P42/mnmP4_2/mnm空间群允许的结构起源的共振电荷各向异性信号。这些结果显著限制了共振衍射信号中的磁性贡献，并表明RuO2_2中不太可能存在k=0\mathbf{k} = 0反铁磁序。

研究背景与动机

1. 研究问题

该研究要解决的核心问题是确定RuO2_2中共振X射线衍射(RXD)信号的起源：究竟是来自磁性贡献还是结构贡献。这个争议源于最近关于RuO2_2是否存在反铁磁序的相互矛盾的实验报告。

2. 问题重要性

  • 反铁磁自旋电子学应用：RuO2_2被认为是"交替磁体"(altermagnet)的原型材料，这类材料在反铁磁自旋电子学中具有重要应用前景
  • 理论验证：RuO2_2一直是验证非相对论自旋劈裂反铁磁体理论预测的测试平台
  • 技术应用：RuO2_2在氧析出反应催化、超导薄膜等方面有重要应用

3. 现有方法局限性

  • 中子衍射：早期报告的反铁磁信号后来被归因于多重散射效应
  • μSR实验：没有发现磁序的证据
  • RXD技术：虽然对薄膜样品敏感度高，但磁性和结构贡献难以区分

4. 研究动机

鉴于RXD是唯一仍声称在RuO2_2中观测到磁序的技术，且对薄膜样品具有高敏感性，因此迫切需要确定RXD信号是否真正来源于磁序。

核心贡献

  1. 明确了RXD信号的结构起源：通过系统的实验和理论计算，证明RuO2_2中的共振衍射主要来自各向异性张量敏感性(ATS)散射，而非磁性散射
  2. 建立了区分磁性和结构贡献的方法：利用不同禁戒反射Q=(100)\mathbf{Q} = (100)和(001)(001)处磁性和ATS贡献的不同方位角依赖性，成功分离了两种效应
  3. 提供了磁矩的严格上限：基于实验敏感度，确定了k=0\mathbf{k} = 0反铁磁有序磁矩的上限为∣m∣<0.1μB|m| < 0.1 \mu_B
  4. 澄清了交替磁体研究中的方法学问题：指出了在具有类似对称性的交替磁体候选材料中使用RXD技术时需要注意的问题

方法详解

任务定义

本研究的任务是通过共振X射线衍射技术，区分RuO2_2中禁戒反射信号的磁性和结构起源，并确定是否存在长程反铁磁序。

实验方法

1. 样品制备

  • 单晶样品：采用氧化升华/结晶方法在管式炉中生长，尺寸通常小于5mm
  • 薄膜样品：18nm厚的(001) RuO2_2/TiO2_2外延薄膜，通过分子束外延生长

2. 测量技术

  • 共振条件：Ru L3_3边(2p → 4d，~2.838 keV)
  • 散射几何：使用入射σ偏振光，通过石墨分析器分析散射偏振(σ′/π′)
  • 测量参数：
    • 温度范围：6-340 K
    • 方位角(ψ)扫描：研究散射强度的角度依赖性
    • 能量扫描：获得共振谱

3. 理论计算

使用FDMNES程序进行：

  • 非磁性计算：基于P42/mnmP4_2/mnm空间群
  • 磁性计算：假设P4′2/mnm′P4′_2/mnm′磁空间群，c轴局域自旋
  • 自吸收修正：考虑样品厚度效应

技术创新点

1. 双禁戒反射对比法

关键创新在于同时研究Q=(100)\mathbf{Q} = (100)和(001)(001)两个禁戒反射：

  • Q=(100)\mathbf{Q} = (100)：磁性和ATS贡献具有相同的方位角依赖性(cos⁡2ψ\cos^2\psi)，无法区分
  • Q=(001)\mathbf{Q} = (001)：磁性和ATS贡献具有不同的方位角依赖性和偏振通道行为

对于Q=(001)\mathbf{Q} = (001)：

  • ATS散射：∣Fσσ′∣2∝∣Δ∣2sin⁡2(2ψ)|F_{\sigma\sigma′}|^2 ∝ |\Delta|^2 \sin^2(2\psi)，∣Fσπ′∣2∝∣Δ∣2sin⁡2(θb)cos⁡2(2ψ)|F_{\sigma\pi′}|^2 ∝ |\Delta|^2 \sin^2(\theta_b) \cos^2(2\psi)
  • 磁性散射：∣Fσσ′∣2=0|F_{\sigma\sigma′}|^2 = 0，∣Fσπ′∣2∝∣fxy∣2|F_{\sigma\pi′}|^2 ∝ |f_{xy}|^2

2. 偏振比分析

定义强度比ρ=Iσπ′/Iσσ′\rho = I_{\sigma\pi′}/I_{\sigma\sigma′}在特定角度，通过分析器消光比限制磁性信号的探测。

3. 共振谱对比

比较不同禁戒反射的共振能谱，验证是否由相同的谱函数f(ω)f(\omega)决定。

实验设置

数据采集

  • 设施：美国布鲁克海文国家实验室NSLS-II的4-ID(ISR)光束线和英国钻石光源I16光束线
  • 探测器：硅漂移探测器(Amptek)和Merlin4x面探测器
  • 单色器：Si(111)双晶单色器，能量带宽~0.5 eV

测量条件

  • 几何构型：散射平面包含c轴(ψ=0°时)
  • 偏振分析：石墨(002)反射作为偏振分析器
  • 温度控制：闭循环光学低温恒温器(6-340 K)

实验结果

主要结果

1. Q=(100)\mathbf{Q} = (100)反射分析

  • 在σπ′通道观察到共振反射，即使在300K也存在
  • 方位角依赖性遵循I(ψ)∝cos⁡2ψI(\psi) ∝ \cos^2\psi，与c轴反铁磁和ATS散射预期一致
  • 无法仅通过此反射区分磁性和结构贡献

2. Q=(001)\mathbf{Q} = (001)反射的关键发现

  • 方位角依赖性：在σσ′和σπ′通道都显示四重对称性，明确指向ATS散射
  • 温度依赖性：9K和300K之间偏振比ρ基本不变(~5%)
  • 共振谱一致性：σσ′和σπ′通道的共振谱几乎相同，表明由单一谱函数决定

3. 定量分析结果

  • 偏振比：在T=9K时，ψ=0°/45°处ρ~7%/4.8%
  • 磁矩上限：基于实验敏感度，∣m∣<0.1μB|m| < 0.1 \mu_B
  • 温度稳定性：整个测量温度范围内无显著磁性信号变化

4. 薄膜验证

18nm (001) RuO2_2/TiO2_2薄膜的结果完全支持单晶的结论：

  • 相同的方位角依赖性(纯ATS散射)
  • 相同的共振谱行为
  • 相同的温度独立性

理论计算验证

  • FDMNES计算：非磁性计算很好地再现了实验共振谱
  • 自吸收修正：考虑样品厚度效应后，理论与实验符合良好
  • 磁性计算对比：磁性散射预期在t2g_{2g}轨道峰处共振，与实验不符

消融实验

通过系统改变测量条件验证结论：

  1. 不同温度下的测量：6.5K到340K范围内结果一致
  2. 不同方位角的敏感性测试：ψ=45°处最大化磁性敏感度
  3. 能量依赖性研究：确认共振行为的结构起源

相关工作

历史发展

  1. 早期研究(1970s-1990s)：RuO2_2被认为是泡利顺磁体
  2. 2017年转折点：Berlijn等人的中子衍射实验声称发现反铁磁序
  3. 后续争议：μSR、新的中子衍射等实验否定了磁序存在

技术方法对比

  • 中子衍射：对磁矩敏感但受多重散射影响
  • μSR：对内部磁场敏感，未发现磁序证据
  • RXD：对小样品体积敏感，但需要区分磁性和结构贡献

理论背景

  • 交替磁体理论：预测非相对论自旋劈裂和特殊输运性质
  • ATS散射理论：Dmitrienko和Templeton-Templeton理论框架

结论与讨论

主要结论

  1. RuO2_2中的RXD信号主要来源于结构效应，特别是ATS散射
  2. 不存在显著的k=0反铁磁序，磁矩上限∣m∣<0.1μB|m| < 0.1 \mu_B
  3. 单晶和薄膜样品结果一致，排除了样品依赖性
  4. 为交替磁体研究提供了方法学指导

局限性

  1. 磁矩探测限制：虽然给出了上限，但仍可能存在极弱的磁序
  2. 温度范围：未能覆盖报告的TN>300KT_N > 300K区间
  3. 其他磁结构可能性：主要针对k=0反铁磁序，其他磁结构未完全排除

未来方向

  1. 扩展到其他交替磁体候选材料的RXD研究
  2. 发展更敏感的磁性探测技术
  3. 研究电荷-磁性干涉效应在手性散射中的应用

深度评价

优点

  1. 方法学创新：巧妙利用不同禁戒反射的对称性差异来区分磁性和结构贡献
  2. 实验设计严谨：多角度验证(方位角、温度、能量、偏振)
  3. 理论支撑充分：FDMNES计算提供了定量的理论预期
  4. 结论明确：为长期争议提供了决定性证据
  5. 方法普适性：为其他交替磁体材料研究提供了范例

不足

  1. 探测灵敏度限制：0.1μB_B的上限仍然相对较高
  2. 高温测量缺失：未能直接测量报告的TNT_N以上温度
  3. 单一技术依赖：主要依赖RXD技术，缺乏其他磁性探测手段的直接对比

影响力

  1. 学术影响：澄清了交替磁体领域的一个重要争议
  2. 方法学贡献：为RXD技术在磁性材料研究中的应用提供了重要指导
  3. 技术应用：影响基于RuO2_2反铁磁性的器件设计策略

适用场景

  1. 交替磁体候选材料的磁性验证
  2. 具有类似晶体结构的材料的RXD研究
  3. 需要区分磁性和结构散射贡献的共振衍射实验

参考文献

本文引用了54篇重要文献，涵盖了交替磁体理论、RuO2_2的实验研究、RXD技术发展等关键领域的工作。特别重要的包括：

  • Šmejkal等人关于交替磁体的理论工作
  • Berlijn等人最初报告RuO2_2反铁磁性的中子衍射研究
  • Hiraishi等人的μSR否定性结果
  • Dmitrienko关于ATS散射的开创性理论工作

这项研究通过精心设计的实验和严谨的分析，成功解决了RuO2_2磁性争议，为交替磁体研究领域提供了重要的方法学贡献和明确的实验结论。