Comparative study of phonon-limited carrier transport in the Weyl semimetal TaAs family
Comparative study of phonon-limited carrier transport in the Weyl semimetal TaAs family
基本信息
- 论文ID: 2510.14048
- 标题: Comparative study of phonon-limited carrier transport in the Weyl semimetal TaAs family
- 作者: Shashi B. Mishra, Zhe Liu, Sabyasachi Tiwari, Feliciano Giustino, Elena R. Margine
- 分类: cond-mat.mes-hall, cond-mat.mtrl-sci
- 发表时间: 2025年10月15日
- 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14048
摘要
本文采用第一性原理ab initio玻尔兹曼输运方程，系统研究了TaAs族Weyl半金属中的声子限制输运特性。计算得到的电导率与高质量样品的实验数据高度吻合，证实了这些系统中的输运主要受声子散射限制。在四种化合物中，NbP表现出最高的电导率，主要由其大的费米速度主导，抵消了更强的散射率。相比之下，TaAs显示出最低的电导率，这与载流子口袋减少和载流子速度有限有关。此外，NbP的电导率基本不受小的空穴或电子掺杂影响，而TaAs表现出明显的电子-空穴不对称性。
研究背景与动机
问题定位
TaAs族单磷化物是首个理论预测并实验观测到Weyl费米子的材料体系。这些化合物具有体心四方非中心对称结构，由于缺乏反演对称性和自旋轨道耦合(SOC)的存在，产生了拓扑保护的Weyl节点，导致异常的物理响应如手性异常、巨磁阻和超高载流子迁移率。
研究重要性
- 基础物理意义：理解Weyl半金属中的电子-声子相互作用机制对于探索拓扑量子现象至关重要
- 应用前景：这些材料在下一代电子和自旋电子器件中具有广阔应用前景
- 实验观测差异：不同化合物表现出显著不同的迁移率，如NbP通常比TaAs表现出更高的迁移率
现有研究局限性
虽然TaAs族的拓扑性质已被充分研究，但其电荷输运性质仍是活跃的研究领域。此前缺乏对整个TaAs族四种化合物电导率的系统分析，也没有解释为什么NbP在该系列中表现出最高的迁移率。
核心贡献
- 系统性理论研究：首次对TaAs、TaP、NbAs、NbP四种化合物进行了系统的第一性原理电导率比较研究
- 输运机制阐明：揭示了电子-声子散射率和载流子速度是控制电导率的主要因素
- 掺杂效应分析：发现NbP对电子或空穴掺杂不敏感，而其他化合物中空穴载流子始终表现出最高电导率
- 理论-实验验证：计算结果与高质量样品的实验数据高度吻合，证实了声子散射的主导作用
方法详解
计算框架
本研究基于密度泛函理论(DFT)和密度泛函微扰理论(DFPT)，使用Quantum ESPRESSO软件包进行电子结构计算。
技术细节
- 赝势选择：使用来自Pseudo Dojo库的优化守恒Vanderbilt赝势(ONCVPSP)
- 参数设置：
- 平面波截断能：80 Ry
- Methfessel-Paxton展宽：0.01 Ry
- k点网格：12×12×12（自洽计算）
- q点网格：4×4×4（声子计算）
输运计算方法
使用EPW代码进行电子-声子相互作用和输运性质计算：
- Wannier插值：在8×8×8 k点网格上获得电子波函数
- 轨道选择：每个Ta/Nb原子使用5个d轨道，每个As/P原子使用3个p轨道
- 玻尔兹曼方程求解：在140³ k点和70³ q点的精细网格上求解迭代玻尔兹曼输运方程(IBTE)
技术创新点
- 精确处理：考虑了自旋轨道耦合效应，准确描述了Weyl节点结构
- 高精度计算：使用足够密集的k点和q点网格确保结果收敛
- 多层次分析：结合IBTE和自能弛豫时间近似(SERTA)进行对比分析
实验设置
材料体系
研究对象为TaAs族四种化合物：TaAs、TaP、NbAs、NbP，它们具有相同的体心四方晶体结构(空间群I41md)但晶格参数不同。
计算参数
- 能量窗口：费米能级附近±0.2 eV
- 能量展宽：2 meV高斯展宽
- 温度范围：0-300 K
- 掺杂水平：±25 meV费米能级移动
对比基准
与多组实验数据进行对比，包括Zhang等、Huang等、Sankar等的高质量单晶样品测量结果。
实验结果
主要发现
电导率排序
在四种化合物中，室温电导率排序为：NbP > NbAs ≈ TaP > TaAs
具体数值（300K）：
- NbP: ~5×10⁴ S/cm
- NbAs: ~4×10⁴ S/cm
- TaP: ~4×10⁴ S/cm
- TaAs: ~3×10⁴ S/cm
温度依赖性
所有化合物都表现出从低温的~10⁵-10⁶ S/cm快速下降到300K附近的几×10⁴ S/cm的行为，与实验观测一致。
微观机制分析
影响因素分解
根据简化玻尔兹曼表达式 σxx ∝ N(εF)⟨v²x⟩τ(εF)：
- 态密度N(εF)：NbP最大，有利于散射
- 散射率τ⁻¹(εF)：NbP最强，TaAs最弱
- 载流子速度⟨v²x⟩：NbP最大，补偿了强散射效应
关键洞察
NbP的高电导率源于其大的费米速度抵消了强散射率的影响，而TaAs由于载流子口袋较小和速度有限导致电导率最低。
掺杂效应
电子-空穴不对称性
- TaAs：表现出明显的电子-空穴不对称性，空穴掺杂提高电导率
- NbP：对±25 meV掺杂几乎不敏感，三条曲线几乎重叠
- TaP和NbAs：表现出中等程度的不对称性
物理机制
不对称性与Weyl节点位置和费米面拓扑密切相关。NbP的大的、几乎补偿的电子和空穴口袋确保了小的费米能级移动不会激活新的散射通道。
频率分解分析
声子频率分解的散射率显示所有化合物都与整个频率范围的声子耦合，TaAs积累最慢且饱和值最小，而NbP积累最强且积分散射最大。
相关工作
理论研究
- Huang等和Weng等首次预测了TaAs族中的Weyl费米子
- Sun等研究了拓扑表面态和费米弧
- 多项研究探讨了结构、电子和振动性质的趋势
实验研究
- Xu等、Lv等首次实验观测到Weyl半金属TaAs
- 输运测量一致显示极大的迁移率，有时超过10⁶ cm²V⁻¹s⁻¹
- 不同化合物间迁移率存在显著差异
本文贡献
相比之前的研究，本文首次提供了整个TaAs族电导率的系统理论分析，解释了实验观测的趋势并揭示了微观输运机制。
结论与讨论
主要结论
- 声子散射主导：高质量样品中的输运确实主要受声子散射限制
- 材料排序机制：NbP > NbAs ≈ TaP > TaAs的电导率排序主要由载流子速度和散射率的竞争决定
- 掺杂敏感性：不同化合物对掺杂的敏感性差异巨大，反映了其费米面拓扑和相空间限制
物理图像
尽管NbP具有最强的散射率，但其增强的载流子速度（源于较弱的SOC和扩展的线性色散）补偿了散射效应，导致最高的电导率。
局限性
- 计算近似：DFT框架的固有限制，可能低估某些相关效应
- 温度范围：主要关注室温附近，对极低温行为讨论较少
- 样品质量：理论计算对应理想晶体，实际样品可能存在缺陷和杂质
未来方向
- 扩展研究：将方法推广到其他Weyl半金属体系
- 非线性效应：研究强电场下的非线性输运特性
- 器件应用：探索在实际器件中的应用潜力
深度评价
优点
- 方法先进性：采用最新的第一性原理输运计算方法，技术路线成熟可靠
- 系统性强：首次对整个TaAs族进行系统比较，填补了领域空白
- 理论-实验结合：计算结果与实验数据高度吻合，验证了理论方法的可靠性
- 物理洞察深刻：揭示了电导率差异的微观机制，提供了清晰的物理图像
不足
- 机制分析简化：虽然提供了定性解释，但对载流子速度增强的微观机制分析还不够深入
- 温度依赖性：对低温区域的行为讨论相对较少
- 实验对比局限：部分化合物（如NbAs）的实验数据质量参差不齐，影响对比效果
影响力
- 学术贡献：为理解Weyl半金属输运性质提供了重要理论基础
- 方法价值：建立了研究拓扑半金属输运性质的标准计算流程
- 应用指导：为材料选择和器件设计提供了理论指导
适用场景
- 基础研究：拓扑半金属物理机制研究
- 材料设计：新型Weyl半金属的性能预测
- 器件开发：基于Weyl半金属的电子器件设计
参考文献
本文引用了该领域的重要文献，包括：
- Weyl半金属的理论预测工作（Huang et al., Weng et al.）
- 实验发现文献（Xu et al., Lv et al.）
- 输运性质测量（Zhang et al., Shekhar et al.）
- 计算方法发展（Giustino et al., Poncé et al.）
总体评价：这是一篇高质量的理论物理论文，采用先进的第一性原理方法系统研究了TaAs族Weyl半金属的输运性质，理论计算与实验高度吻合，为理解这类材料的输运机制提供了重要洞察。论文技术路线清晰，结果可靠，对该领域具有重要的学术价值和应用指导意义。