2025-11-18T13:58:13.640528

Electric field-induced spin-valley locking in twisted bilayer buckled honeycomb materials

Zandvliet, Bampoulis, Smith et al.
A twisted honeycomb bilayer exhibits a moiré superstructure that is composed of a hexagonal arrangement of AB and BA stacked domains separated by domain boundaries. In the case of twisted bilayer graphene, the application of an electric field normal to the bilayer leads to the opening of inverted band gaps in the AB and BA stacked domains. The inverted band gaps result in the formation of a two-dimensional triangular network of counterpropagating valley protected helical domain boundary states, also referred to as the quantum valley Hall effect. Owing to spin-orbit coupling and buckling, the quantum valley Hall effect in twisted bilayer silicene and germanene is more complex than in twisted bilayer graphene. We found that there is a range of electric fields for which the spin degree of freedom is locked to the valley degree of freedom of the electrons in the quantum valley Hall states, resulting in a stronger topological protection. For electric fields smaller than the aforementioned range the twisted bilayer does not exhibit the quantum valley Hall effect, whereas for larger electric fields the spin-valley locking is lifted and the emergent quantum valley Hall states are only valley-protected.
academic

Electric field-induced spin-valley locking in twisted bilayer buckled honeycomb materials

基本信息

  • 论文ID: 2510.14404
  • 标题: Electric field-induced spin-valley locking in twisted bilayer buckled honeycomb materials
  • 作者: Harold J.W. Zandvliet, Pantelis Bampoulis, Cristiane Morais Smith, Lumen Eek
  • 机构: University of Twente (荷兰), Utrecht University (荷兰)
  • 分类: cond-mat.mes-hall (凝聚态物理-介观与纳米物理)
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14404

摘要

扭转蜂窝双分子层表现出由AB和BA堆叠域组成的六边形排列的莫尔超结构，这些域被畴界分隔。在扭转双层石墨烯中，垂直于双分子层施加电场会导致AB和BA堆叠域中出现反转带隙。反转带隙导致形成二维三角形网络的反向传播谷保护螺旋畴界态，也称为量子谷霍尔效应。由于自旋轨道耦合和弯曲，扭转双层硅烯和锗烯中的量子谷霍尔效应比扭转双层石墨烯更复杂。研究发现存在一个电场范围，在该范围内自旋自由度与量子谷霍尔态中电子的谷自由度锁定，从而产生更强的拓扑保护。

研究背景与动机

问题背景

  1. 拓扑绝缘体研究热点：拓扑绝缘体具有绝缘体块体和金属表面的特性，其表面态具有自旋-动量锁定特性，能够抵抗完全背散射
  2. 石墨烯的局限性：虽然Kane和Mele预测石墨烯可以承载量子自旋霍尔(QSH)边缘态，但石墨烯的自旋轨道耦合仅为几微电子伏特，限制了在现实温度下的应用
  3. 重元素材料的优势：硅烯、锗烯等重元素蜂窝材料具有更强的自旋轨道耦合(SOC ∝ Z⁴)和弯曲结构，为实现更鲁棒的拓扑态提供了可能

研究动机

  1. 扭转双层系统的新物理：扭转双层石墨烯在魔角附近表现出非常规超导性，激发了对其他二维材料扭转系统的探索
  2. 谷霍尔效应的脆弱性：现有的谷保护态容易受到杂质引起的谷间散射影响，需要寻找更强的拓扑保护机制
  3. 自旋-谷锁定的潜力：通过将自旋自由度与谷自由度锁定，有望实现类似QSH系统的强拓扑保护

核心贡献

  1. 发现自旋-谷锁定现象：在特定电场范围内，扭转双层硅烯和锗烯中的自旋自由度与谷自由度发生锁定
  2. 建立完整的相图：确定了不同电场强度下的拓扑相变，包括普通绝缘体、自旋-谷锁定相和纯谷保护相
  3. 理论框架构建：基于Kane-Mele哈密顿量建立了描述弯曲蜂窝双分子层的理论模型
  4. 实验可行性分析：提供了锗烯系统中实现自旋-谷锁定所需的临界电场(0.3-0.4 V/nm)，在实验上可达到

方法详解

任务定义

研究扭转双层弯曲蜂窝材料(硅烯、锗烯)在外电场作用下的电子结构演化，特别是自旋自由度与谷自由度的耦合行为及其拓扑保护特性。

理论模型

哈密顿量构建

对于AB堆叠区域，系统的哈密顿量为：

H = t∑⟨il,jl⟩l c†il cjl + t⊥∑⟨il,jl'⟩l≠l' c†il cjl' + (iλSO/3√3)∑⟨⟨il,jl⟩⟩l νijl c†il sz cjl + U⊥∑il φl c†il cil + M∑ill ξil c†il cil

其中：

  • 层内跳跃项：强度为t的最近邻跳跃
  • 层间跳跃项：强度为t⊥的层间耦合
  • 自旋轨道耦合：强度为λSO的内禀自旋轨道耦合
  • 层间偏置：U⊥ = (d/2)Ez，d为层间距离
  • 层内偏置：M = (δ/2)Ez，δ为弯曲高度

低能带结构

在K和K'点附近展开，得到四条自旋简并的能带：

E±α=1,2 = ±√[A(k) + (-1)α√B(k)]

其中A(k)和B(k)包含了动能项、层间耦合和电场效应。

自旋-谷锁定条件

临界电场

在K点(ξ=1)处，自旋向上和自旋向下带的带隙反转条件为：

  • 自旋向上，BA区域：Ez,c1 = 2λSO/(d + δ)
  • 自旋向上，AB区域：Ez,c2 = 2λSO/(d - δ)

在中间区域Ez,c1 ≤ Ez ≤ Ez,c2内，BA区域的自旋向上带发生反转，而AB区域未反转，形成自旋-谷锁定态。

扭转双层系统建模

莫尔哈密顿量

H = t∑⟨il,jl⟩l c†il cjl + ∑⟨il,jl'⟩l≠l' t⊥(r1 - r2)c†il cjl' + (iλSO/3√3)∑⟨⟨il,jl⟩⟩l νijl c†il sz cjl + U⊥∑ill φl c†il cil + M∑ill ξil c†il cil

层间跳跃参数化为：

t⊥(r1 - r2) = t⊥ · [1 - ((r1 - r2)·ẑ/|r1 - r2|)²] exp[-(|r1 - r2| - aCC)/δ]

弛豫效应

采用解析位移场描述弛豫后的原子位置：

u±(r) = ±(1/|G₁|²) ∑[Ga[α₁sin(Ga·r) + 2α₃sin(2Ga·r)] + α₂∑(Ga - Ga+1)sin[(Ga - Ga+1)·r]]

实验设置

材料参数

  • 锗烯参数：λSO = 50 meV, δ = 0.04 nm, d = 0.28 nm
  • 跳跃参数：t = -1 eV, t⊥ = 0.4 eV
  • 扭转角度：θ = 0.47° (数值计算可处理的角度)

计算方法

  1. 紧束缚计算：基于Kane-Mele模型进行电子结构计算
  2. 谱函数分析：计算自旋分辨的界面谱函数A_σ(E,k)
  3. 局域态密度：计算自旋分辨的局域态密度(LDoS)

实验结果

主要结果

1. 相图建立

  • 第一阶段(Ez < Ez,c1)：普通绝缘体，无拓扑保护态
  • 第二阶段(Ez,c1 ≤ Ez ≤ Ez,c2)：自旋-谷锁定相，电导为2e²/h
  • 第三阶段(Ez > Ez,c2)：纯谷保护相，电导为4e²/h

2. 界面态特性

在自旋-谷锁定区域：

  • K谷：右传播的自旋向上态
  • K'谷：左传播的自旋向下态
  • 形成完全自旋极化的边界流

3. 扭转双层网络

  • 成功观察到三角形拓扑网络结构
  • 自旋分辨的LDoS显示明显的自旋分离
  • AB/BA界面处的不对称性反映了弯曲破坏的对称性

关键发现

1. 拓扑保护增强

自旋-谷锁定使得畴界态具有与QSH边缘态相同的拓扑保护强度，显著优于纯谷保护态。

2. 电导量子化

  • 自旋-谷锁定相：G = 2e²/h
  • 纯谷保护相：G = 4e²/h
  • 电导的突变标志着拓扑相变

3. 实验可达性

锗烯系统的临界电场(0.3-0.4 V/nm)可通过常规栅极技术实现。

相关工作

拓扑绝缘体研究

  • 三维拓扑绝缘体：Hasan和Kane的开创性工作建立了拓扑绝缘体的理论框架
  • 二维QSH效应：Kane-Mele模型预测了石墨烯中的QSH效应，但SOC太弱

扭转双层系统

  • 魔角石墨烯：Cao等人发现的非常规超导性开启了扭转电子学领域
  • 谷霍尔网络：Zhang等人和San-Jose等人建立了扭转双层石墨烯中谷霍尔效应的理论

重元素蜂窝材料

  • 硅烯和锗烯：Liu等人预测了更强的拓扑间隙
  • 实验进展：Bampoulis等人在锗烯中实现了室温QSH效应

结论与讨论

主要结论

  1. 新拓扑相的发现：确认了扭转双层弯曲蜂窝材料中存在自旋-谷锁定相
  2. 拓扑保护的增强：自旋-谷锁定提供了比纯谷保护更强的拓扑保护
  3. 可调控的拓扑相变：通过电场可以在不同拓扑相之间进行可逆切换

局限性

  1. 扭转角限制：需要极小的扭转角(< 0.5°)才能观察到清晰的拓扑网络
  2. 材料稳定性：硅烯和锗烯在环境条件下不稳定，需要超高真空环境
  3. 理论简化：忽略了Rashba自旋轨道耦合和其他高阶效应

未来方向

  1. 实验实现：发展更小扭转角的制备技术
  2. 其他材料：探索锡烯等其他重元素蜂窝材料
  3. 器件应用：基于自旋-谷锁定的拓扑电子器件开发

深度评价

优点

  1. 理论创新：首次预测了自旋-谷锁定现象，为拓扑电子学提供了新机制
  2. 模型完整：建立了完整的理论框架，包括弛豫效应和莫尔物理
  3. 实验指导：提供了明确的实验参数和预期结果
  4. 物理洞察：深入揭示了自旋、谷和拓扑的相互作用机制

不足

  1. 数值限制：由于计算复杂性，只能处理相对较大的扭转角
  2. 材料挑战：所需材料在实验上制备和稳定困难
  3. 效应验证：缺乏直接的实验验证

影响力

  1. 学术价值：为拓扑电子学和扭转电子学交叉领域做出重要贡献
  2. 应用前景：为开发新型拓扑量子器件提供了理论基础
  3. 方法论：建立的理论方法可推广到其他类似系统

适用场景

  1. 基础研究：拓扑物态和量子输运研究
  2. 器件开发：拓扑量子计算和自旋电子学器件
  3. 材料设计：新型二维拓扑材料的理论预测

参考文献

论文引用了56篇重要文献，涵盖了拓扑绝缘体理论、扭转双层系统、重元素蜂窝材料等关键领域的开创性工作，为研究提供了坚实的理论基础。

总结：这是一篇在拓扑电子学领域具有重要意义的理论工作，首次预测了扭转双层弯曲蜂窝材料中的自旋-谷锁定现象，为实现更强拓扑保护的量子器件提供了新途径。虽然面临实验挑战，但其理论创新和物理洞察对领域发展具有重要推动作用。