2025-11-17T22:25:13.445698

Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors

Pan, Lin, Chen et al.

This work provides a detailed mapping of various mechanisms of surface-trap-induced gate leakage in GaN HEMTs across a temperature range from room to cryogenic levels. Two-dimensional variable-range hopping is observed at small gate bias. Under higher reverse gate bias, the leakage is dominated by the Poole--Frenkel emission above 220 K, but gradually transitions to the trap-assisted tunneling below 220 K owing to the frozen-trap effect. The trap barrier height extracted from the gate leakage current under the upward gate sweep is 0.65 V, which is 12\% higher than that from the downward sweep. The gate leakage current as a function of the gate bias exhibits clockwise hysteresis loops above 220 K but counterclockwise ones below 220 K. This remarkable opposite hysteresis phenomenon is thoroughly explained by the trap mechanisms.

academic

Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors

基本信息

论文ID: 2510.14456
标题: Cryogenic temperature dependence and hysteresis of surface-trap-induced gate leakage in GaN high-electron-mobility transistors
作者: Ching-Yang Pan, Shi-Kai Lin, Yu-An Chen, Pei-hsun Jiang (National Taiwan Normal University)
分类: cond-mat.mes-hall physics.app-ph
发表时间: 2024年10月16日
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14456

摘要

本研究详细绘制了GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中表面陷阱诱导栅极泄漏的各种机制，温度范围从室温到极低温。在小栅极偏压下观察到二维变程跳跃传导。在较高的反向栅极偏压下，220 K以上的泄漏主要由Poole-Frenkel发射主导，但由于冻结陷阱效应，在220 K以下逐渐转变为陷阱辅助隧穿。从向上栅极扫描提取的陷阱势垒高度为0.65 V，比向下扫描高12%。栅极泄漏电流与栅极偏压的函数关系在220 K以上表现出顺时针迟滞环，而在220 K以下表现出逆时针迟滞环。这一显著的相反迟滞现象通过陷阱机制得到了充分解释。

研究背景与动机

要解决的问题：
- GaN HEMTs在极低温环境下的栅极泄漏机制尚未得到充分研究
- 表面陷阱诱导的栅极泄漏对器件可靠性产生严重影响
- 缺乏对极低温下栅极泄漏迟滞行为的系统性研究
问题的重要性：
- 航空航天、量子计算、超导系统等应用对极低温电子器件需求不断增长
- GaN HEMTs在低温下表现出优异性能，但陷阱效应限制了器件可靠性
- 栅极泄漏会降低击穿电压并增加关态功耗
现有方法的局限性：
- 以往研究主要关注室温以上的栅极泄漏温度依赖性
- 缺乏对极低温下表面栅极泄漏的深入研究
- 对栅极泄漏迟滞行为的物理机制理解不足
研究动机：
- 为极低温GaN器件的开发和应用提供理论基础
- 揭示不同温度区间下栅极泄漏的物理机制
- 建立陷阱机制与迟滞行为的关联

核心贡献

系统性地绘制了从300 K到1.5 K温度范围内GaN HEMTs栅极泄漏的各种机制
发现并解释了220 K附近从Poole-Frenkel发射到陷阱辅助隧穿的机制转变
首次观察到栅极泄漏迟滞环在220 K前后方向相反的现象
提供了陷阱势垒高度的精确测量(0.65 V)及其与扫描方向的关系
建立了不同泄漏机制与迟滞行为的物理关联模型

方法详解

器件结构与制备

基底：Si(111)衬底上4 μm厚GaN/AlGaN超晶格缓冲层
异质结：GaN(200 nm)/Al₀.₂Ga₀.₈N(25 nm)形成二维电子气通道
电极：Ti/Al/Ti/Au源漏电极，Ni/Au/Ti栅电极
钝化层：450 nm SiO₂钝化层
器件尺寸：栅宽100 μm，栅长3-5 μm，源栅距3-5 μm，栅漏距20-30 μm

测试方法

温度范围：300 K到1.5 K的系统性测量
电学表征：I-V特性、C-V特性、迁移率和载流子浓度测量
栅极泄漏测试：双向栅压扫描，不同扫描速率测试
应力测试：固定栅压下的时间依赖性测量

理论模型

二维变程跳跃传导(2D-VRH)： $I_{2D-VRH} = I_0 \exp\left[-\left(\frac{T_0}{T}\right)^{1/3}\right]$
Poole-Frenkel发射(PFE)： $I_{PFE} \propto E \exp\left[\frac{q}{kT}\left(\sqrt{\frac{qE}{\pi\epsilon}} - \phi_{PFE}\right)\right]$
陷阱辅助隧穿(TAT)： $I_{TAT} \propto \exp\left(-\frac{8\pi\sqrt{2m^*q}}{3h}\frac{\phi_{TAT}^{3/2}}{E}\right)$

实验设置

器件参数

代表性样品：LG = 5 μm, LSG = 3 μm, LGD = 30 μm
室温下载流子密度：~9×10¹² cm⁻²
室温下迁移率：1108 cm²/(V·s)
1.5 K下迁移率：2323 cm²/(V·s)

测量条件

温度步长：200 K以上每25 K，200 K以下每20 K
栅压扫描范围：-10 V到+2 V
扫描速率：±0.05 V per 18-250 ms
应力时间：最长90秒

评价指标

栅极泄漏电流IG与栅压VG的关系
陷阱势垒高度φPFE和φTAT
迟滞环面积和方向
温度依赖性指数

实验结果

主要结果

温度分类：
- 高温区(300-220 K)：PFE主导
- 中温区(200-140 K)：PFE到TAT过渡
- 低温区(120-1.5 K)：TAT主导，温度依赖性消失
泄漏机制识别：
- VG > 0.3 V：肖特基热电子发射
- -1 V < VG < 0.3 V：2D-VRH机制
- VG < -4 V：PFE(高温)或TAT(低温)
陷阱势垒高度：
- 向上扫描：φPFE = 0.65 V
- 向下扫描：φPFE = 0.58 V
- 差异：12%