2025-11-13T05:16:11.075915

Enhanced Secondary Electron Detection of Single Ion Implants in Silicon Through Thin SiO2 Layers

Schneider, Lloyd-Willard, Stockbridge et al.
Deterministic placement of single dopants is essential for scalable quantum devices based on group-V donors in silicon. We demonstrate a non-destructive, high-efficiency method for detecting individual ion implantation events using secondary electrons (SEs) in a focused ion beam (FIB) system. Using low-energy Sb ions implanted into undoped silicon, we achieve up to 98% single-ion detection efficiency, verified by calibrated ion-current measurements before and after implantation. The technique attains ~30 nm spatial resolution without requiring electrical contacts or device fabrication, in contrast to ion-beam-induced-current (IBIC) methods. We find that introducing a controlled SiO2 capping layer significantly enhances SE yield, consistent with an increased electron mean free path in the oxide, while maintaining high probability of successful ion deposition in the underlying substrate. The yield appears to scale with ion velocity, so higher projectile mass (e.g. Yb, Bi etc) requires increased energy to maintain detection efficiency. Our approach provides a robust and scalable route to precise donor placement and extends deterministic implantation strategies to a broad range of material systems and quantum device architectures.
academic

Enhanced Secondary Electron Detection of Single Ion Implants in Silicon Through Thin SiO2 Layers

基本信息

  • 论文ID: 2510.14495
  • 标题: Enhanced Secondary Electron Detection of Single Ion Implants in Silicon Through Thin SiO2 Layers
  • 作者: E. B. Schneider, O. G. Lloyd-Willard, K. Stockbridge, M. Ludlow, S. Eserin, L. Antwis, D. C. Cox, R. P. Webb, B. N. Murdin, S. K. Clowes
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci quant-ph
  • 发表时间: October 17, 2025
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14495v1

摘要

该研究展示了一种非破坏性、高效率的方法，利用聚焦离子束(FIB)系统中的二次电子(SE)检测单个离子注入事件。通过将低能Sb离子注入未掺杂硅中，实现了高达98%的单离子检测效率，并通过注入前后的校准离子电流测量进行验证。该技术在不需要电接触或器件制造的情况下达到约30nm的空间分辨率。研究发现引入受控的SiO2覆盖层显著增强了二次电子产额，这与氧化物中电子平均自由程增加一致，同时保持了离子在底层衬底中成功沉积的高概率。

研究背景与动机

问题定义

  1. 核心问题: 在硅基量子器件中实现单个掺杂原子的精确定位和检测，这对于基于V族供体的可扩展量子器件至关重要
  2. 技术挑战: 传统离子注入具有随机性(泊松过程)，在理想条件下每脉冲注入一个离子的概率仅限于37%
  3. 现有方法局限性:
    • 离子束诱导电流(IBIC)方法需要预制器件结构和电接触，限制了通量和材料灵活性
    • 传统二次电子检测方案信噪比较低，效率不如IBIC

研究意义

  • 量子技术发展需要原子级精度的单个掺杂原子或缺陷作为功能单元
  • 离子注入是半导体器件加工的基石，扩展到单离子水平对量子器件制造具有重要意义
  • 非接触式检测方法可以提高制造通量和材料适用性

核心贡献

  1. 高效检测方法: 开发了基于二次电子的单离子检测技术，检测效率高达98%，具有很小的不确定性
  2. SiO2增强机制: 发现超薄SiO2覆盖层显著增强二次电子产额，并确定了最大化注入检测成功概率的最优氧化物厚度
  3. 理论解释: 通过Lindhard-Scharff电子阻止理论解释了不同离子种类和能量的趋势
  4. 精确校准: 通过注入前后的离子电流校准获得了定量的检测效率测量
  5. 广泛适用性: 证明该方法与多种宿主材料兼容，为确定性单离子注入提供了可扩展路径

方法详解

理论基础

检测效率的定量分析基于泊松分布模型：

  • 总检测事件数: N = ηL (η为检测效率，L为离子通量)
  • 空脉冲概率: p₀ = e^(-ηLt)
  • 通过ν = -ln(p₀)对λ = Lt的线性回归获得效率η

实验设置

  1. 样品制备:
    • 高阻硅样品，SiO₂层厚度2-10.4nm
    • 原子层沉积(ALD)制备均匀氧化层
    • 椭偏仪测量氧化层厚度
  2. 离子注入系统:
    • 使用SIMPLE工具(Ionoptika QOne)
    • Sb离子，25keV和50keV能量
    • 双通道电子倍增器(CEM)检测器
  3. 检测协议:
    • 四个像素阵列，平均剂量0.25, 0.5, 0.75, 1离子/脉冲
    • 像素间距1μm避免横向重叠
    • 检测到信号后停止该像素的脉冲

数据分析方法

采用线性回归分析T = -1/L·ln(p₀)与脉冲持续时间t的关系：

T = η(t - t₀) = ηt + c

其中η和c为自由参数，t₀为消隐器延迟时间。

实验设置

样品参数

  • 衬底: 高阻硅
  • 覆盖层: 2-10.4nm厚SiO₂，通过ALD沉积
  • 离子种类: 主要使用Sb，扩展研究包括Si, Sn, Er, Yb, Au, Bi
  • 能量范围: 8-50keV

评价指标

  • 检测效率η: 真阳性检测数与总真阳性数的比值
  • 注入成功概率P_S(τ): P_I(τ)·η(τ)，其中P_I(τ)为离子穿透氧化层概率
  • 空间分辨率: ~30nm

校准方法

  • 法拉第杯连接开尔文皮安表测量束流
  • 10秒间隔开关束流测量平均电流变化
  • 每组四个阵列前后进行校准

实验结果

主要结果

  1. 检测效率:
    • 25keV Sb⁺: 最高98%检测效率
    • 50keV Sb²⁺: 类似的高效率表现
    • 效率随SiO₂厚度增加而提高并趋于饱和
  2. 最优厚度确定:
    • 通过P_S(τ) = P_I(τ)·η(τ)确定最优SiO₂厚度
    • 最优厚度范围相对宽泛，对沉积误差具有鲁棒性
    • 25keV: ±1nm误差范围内保持接近最优
    • 50keV: ±2nm误差范围内保持接近最优
  3. 离子种类依赖性:
    • 检测效率随离子质量轻微下降(Si→Bi)
    • 与Lindhard-Scharff理论预测一致
    • 效率随离子速度增加而提高

TRIM仿真结果

  • Sb在Si衬底中的深度分布与SiO₂厚度呈近似线性关系
  • 50,000次注入的蒙特卡罗仿真验证了穿透概率P_I(τ)
  • 二维分布显示了离子在Si衬底中的停止位置

消隐器延迟时间

25keV Sb离子的11个不同样品测量得到：

  • t₀ = 51 ± 5 ns
  • 对应约10mm长的有效消隐区域，与SIMPLE几何结构一致

相关工作

现有检测方法

  1. IBIC方法: 需要预制器件结构，限制了通量和灵活性
  2. 传统SE检测: 信噪比较低，效率不如IBIC
  3. 其他技术: 依赖大型加速器基础设施，尚未同时实现高置信度和高通量

理论模型对比

  • Ohya和Ishitani的Ga⁺离子研究预测SiO₂产额低于Si
  • Ullah等人的稀有气体离子研究得出相反结论
  • 本研究的实验数据为这些模型参数提供了约束

结论与讨论

主要结论

  1. 实现了高达98%的单离子检测效率，通过精确的离子电流校准验证
  2. SiO₂覆盖层显著增强二次电子产额，归因于氧化物中增加的非弹性平均自由程和逃逸概率
  3. 最优检测与仍允许近乎100%注入概率的氧化物厚度相符
  4. 该方法达到纳米级空间精度，无需电接触或预制器件结构

物理机制解释

根据二次电子产额理论：

γ_KE = (P·ℓ_e·S_e)/(2J)

其中：

  • S_e: 电子阻止本领
  • ℓ_e: 电子平均自由程
  • P: 平均逃逸概率
  • J: 产生自由电子所需平均能量

SiO₂相对于Si的增强主要来自P·ℓ_e项的显著增加，补偿了S_e降低和J增加的影响。

局限性

  1. 检测效率在大产额时饱和，使得对产额的定量结论具有挑战性
  2. 不同理论模型对SiO₂/Si相对产额的预测存在分歧
  3. 需要进一步研究来完全理解不同离子种类的行为差异

未来方向

  1. 扩展到更广泛的材料体系和离子种类
  2. 优化SiO₂覆盖层的后续化学去除工艺
  3. 结合其他量子器件制造技术实现完整的器件集成

深度评价

优点

  1. 技术创新: 首次系统性地证明了SiO₂覆盖层对单离子检测的显著增强效果
  2. 实验严谨: 通过精确的离子电流校准和大量统计数据确保了结果的可靠性
  3. 理论结合: 将实验观察与Lindhard-Scharff理论相结合，提供了物理机制的深入理解
  4. 实用价值: 提供了无需电接触的非破坏性检测方法，大大提高了制造灵活性

不足

  1. 机制理解: 对SiO₂增强机制的理解仍不完全，特别是P和ℓ_e的具体贡献
  2. 种类限制: 主要集中在Sb离子，对其他重要量子器件离子(如P, As)的研究有限
  3. 长期稳定性: 未讨论SiO₂层在实际器件制造过程中的稳定性和兼容性

影响力

  1. 学术贡献: 为单离子检测领域提供了重要的实验数据和理论洞察
  2. 技术应用: 为量子器件制造提供了可扩展的精确掺杂方法
  3. 产业价值: 有望推动基于硅的量子计算和传感器技术的发展

适用场景

  1. 量子器件制造: 硅基量子比特、单电子晶体管等
  2. 精密掺杂: 需要原子级精度的半导体器件
  3. 材料研究: 单原子掺杂效应的基础研究
  4. 传感器应用: 基于单个掺杂原子的超灵敏传感器

参考文献

论文引用了相关领域的重要文献，包括：

  • 量子器件基础理论文献
  • 离子束技术和IBIC方法的经典论文
  • 二次电子发射的理论和实验研究
  • TRIM仿真和离子阻止理论的标准文献

该研究为单离子检测技术提供了重要突破，特别是通过SiO₂覆盖层增强效应实现了高效、非破坏性的检测方法。这一成果对推动硅基量子技术的发展具有重要意义，为实现可扩展的量子器件制造奠定了技术基础。