2025-11-22T11:10:16.744134

Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation

Onder, Gaggl, Burin et al.
We present the design and simulation of a 30 $\mathrm{μm}$ thick 4H-SiC Low Gain Avalanche Diode (LGAD) optimized for high-voltage operation. A 2.4 $\mathrm{μm}$ thick epitaxially grown gain layer enables controlled internal amplification up to 1 kV reverse bias, while maintaining full depletion below 500 V. Electrical characteristics, including I-V, C-V, and gain behavior, were simulated in Synopsys Sentaurus Technology Computer-Aided Design (TCAD) using a quasi-1D geometry and verified across process-related variations in gain layer parameters. To ensure high-voltage stability and proper edge termination, a guard structure combining deep etched trenches and deep $p^+$ junction termination extension (JTE) implants was designed. TCAD simulations varying the guard structure dimensions yielded an optimized design with a breakdown voltage above 2.4 kV. A corresponding wafer run is currently processed at IMB-CNM, Barcelona.
academic

Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation

基本信息

  • 论文ID: 2510.14531
  • 标题: Design and simulation of a 4H-SiC low gain avalanche diode with trench-isolation
  • 作者: Sebastian Onder, Philipp Gaggl, Jürgen Burin, Andreas Gsponer, Matthias Knopf, Simon Waid, Neil Moffat, Giulio Pellegrini, Thomas Bergauer
  • 分类: physics.ins-det
  • 发表时间: 2025年10月16日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14531v1

摘要

本文提出了一种30 μm厚的4H-SiC低增益雪崩二极管(LGAD)的设计和仿真，该器件针对高压操作进行了优化。2.4 μm厚的外延生长增益层能够在高达1 kV反向偏压下实现可控的内部放大，同时在500 V以下保持完全耗尽。使用Synopsys Sentaurus TCAD软件在准一维几何结构中仿真了I-V、C-V和增益特性，并在增益层参数的工艺相关变化范围内进行了验证。为确保高压稳定性和适当的边缘终端，设计了结合深蚀刻沟槽和深p+结终端扩展(JTE)注入的保护结构。通过改变保护结构尺寸的TCAD仿真，得到了击穿电压超过2.4 kV的优化设计。相应的晶圆制造正在巴塞罗那IMB-CNM进行。

研究背景与动机

问题定义

  1. 传统硅探测器的局限性: 硅基探测器在高辐射环境下性能退化严重，且在高温下暗电流较大
  2. SiC材料的应用挑战: 虽然4H-SiC具有优异的抗辐射性能和低暗电流，但其较高的电子-空穴对产生能量(~7.8 eV vs Si的3.6 eV)导致信号幅度较小，限制了其在高能物理实验中的应用
  3. 高压操作需求: 现有的外延生长技术通常产生较高的掺杂浓度(≥10¹⁴ cm⁻³)，导致较大的耗尽电压，限制了厚有源区的实现

研究重要性

  • 高能物理实验对快速时间探测器的迫切需求
  • SiC材料在功率电子和汽车工业的发展改善了材料可获得性和制造技术
  • LGAD技术在硅基探测器中的成功应用为SiC-LGAD的发展提供了技术基础

现有方法局限性

  • SICAR项目使用斜边工艺隔离，增益仅为2-3
  • LBNL和NCSU的生产虽然达到7-8的增益，但隔离方法仍有限制
  • 传统的浅p型注入保护结构无法有效隔离厚增益层器件

核心贡献

  1. 创新的器件结构设计: 提出了基于外延生长的2.4 μm厚增益层设计，避免了深注入工艺的技术限制
  2. 新型保护结构: 开发了结合深蚀刻沟槽和深p+ JTE注入的保护结构，实现了超过2.4 kV的击穿电压
  3. 全面的TCAD仿真优化: 通过系统的参数扫描优化了器件结构，考虑了制造工艺的容差
  4. 高性能器件实现: 在500 V以下实现完全耗尽，在1 kV反向偏压下提供1-10倍的信号增益

方法详解

器件结构设计

外延结构

器件采用以下层状结构（自下而上）：

  • n+衬底: 掺杂浓度~10¹⁷ cm⁻³，提供机械支撑
  • n++缓冲层: 厚度1 μm，掺杂浓度~10¹⁸ cm⁻³，作为场阻挡层
  • n型有源区: 厚度27.6 μm，掺杂浓度1.5×10¹⁴ cm⁻³，高阻抗外延层
  • n+增益层: 厚度2.4 μm，掺杂浓度7.5×10¹⁶ cm⁻³，通过外延生长实现
  • p++注入层: 形成pn结并提供欧姆接触

设计参数优化

通过Synopsys Sentaurus TCAD进行了广泛的参数扫描，优化目标包括：

  • 全耗尽电压 < 500 V
  • 稳定工作至1 kV反向偏压
  • 信号增益2-10倍（相对于同等厚度PIN二极管）

保护结构设计

沟槽隔离

  • 深度: 7 μm，超过增益层厚度
  • 宽度: 5/10/15 μm（受制造商限制）
  • 钝化: SiO₂/Si₃N₄叠层钝化
  • 几何: 包围直径500 μm的圆形二极管

JTE注入

  • 深度: 4 μm，穿透增益层
  • 宽度: 30 μm
  • 掺杂浓度: 10¹⁷ cm⁻³
  • 作用: 重新分布边缘电场，防止过早击穿

技术创新点

  1. 非埋藏式增益层: 采用外延生长而非离子注入，避免了高能注入的技术限制
  2. 复合保护结构: 沟槽隔离与深JTE注入的结合，显著提高了击穿电压
  3. 工艺容差考虑: 设计中充分考虑了制造工艺的变化范围（厚度±0.2 μm，掺杂±10%）

仿真设置

仿真工具与模型

  • 软件: Synopsys Sentaurus TCAD SDevice
  • 几何: 准一维结构（增益层设计），二维结构（保护结构）
  • 物理模型: Okuto撞击电离参数集，HeavyIon模型模拟粒子撞击
  • 材料参数: 定制的4H-SiC参数，考虑各向异性

仿真方法

增益层设计仿真

  • 几何: 1 μm宽的准一维结构
  • 网格: 垂直方向精细网格，横向4条网格线
  • 仿真类型:
    • 准静态I-V和C-V特性（最高1 kV）
    • 瞬态信号响应（HeavyIon模型）
  • 参考: 同等厚度PIN二极管作为增益计算基准

保护结构仿真

  • 几何: 二维结构，包含JTE和沟槽的局部区域
  • 边界条件: 确保击穿时边界处无残余电场
  • 参数扫描: JTE宽度、沟槽宽度和深度的系统变化
  • 击穿判定: 基于电流阈值的击穿电压提取

关键仿真参数

  • 载流子产生: 人工载流子产生模拟1 pA噪声基线
  • 粒子模拟: LET因子9.15 pC μm⁻¹，高斯横向宽度0.15 μm
  • 收敛设置: 针对4H-SiC低本征载流子浓度优化的收敛和误差设置

仿真结果

电学特性

I-V和C-V特性

  • 耗尽行为: 增益层在400 V以下耗尽，器件在500 V以下完全耗尽
  • 暗电流: 保持在30 pA以下
  • 工艺容差: 除最大厚度+最高掺杂组合外，所有配置均无增益层击穿

增益特性

  • 增益范围: 1-10倍（排除击穿情况）
  • 增益曲线: 随反向偏压平滑增加
  • 参数依赖性: 较厚/较高掺杂的增益层显示更陡的增益斜率

击穿行为优化

JTE宽度优化

  • 饱和现象: JTE宽度超过30 μm后击穿电压饱和
  • 最优值: 30 μm被选为最终设计参数

沟槽参数优化

  • 深度影响:
    • 5 μm深度导致最早击穿
    • 7 μm深度为最优值
    • 超过7 μm后性能逐渐下降
  • 宽度影响: 宽度在整个仿真范围内持续改善击穿电压
  • 最优配置: 7 μm深×16 μm宽沟槽配合30 μm×4 μm JTE

最终性能

  • 最大击穿电压: 2450 V（最优配置）
  • 设计裕量: 远超1 kV工作电压要求
  • 制造约束: 最终设计采用较窄沟槽以降低蚀刻风险

相关工作

SiC探测器发展历程

  1. 早期研究: SiC作为辐射探测材料的基础研究
  2. SICAR项目: 首次实现SiC-LGAD，增益2-3
  3. LBNL/NCSU合作: 改进隔离工艺，增益达到7-8，时间分辨率<35 ps
  4. FNSPE CTU/FZU CAS: 使用JTE隔离，外延层掺杂降至5×10¹³ cm⁻³，增益10-100

技术发展趋势

  • 从斜边工艺向JTE隔离发展
  • 外延层掺杂浓度持续降低
  • 增益性能不断提升
  • 制造工艺日趋成熟

结论与讨论

主要结论

  1. 成功设计: 实现了30 μm厚4H-SiC LGAD的完整设计，满足高压稳定性要求
  2. 性能优异: 500 V以下完全耗尽，1 kV下稳定工作，增益1-10倍
  3. 保护结构有效: 沟槽+JTE复合保护结构实现>2.4 kV击穿电压
  4. 制造可行: 设计已考虑工艺容差，晶圆制造正在进行中

技术优势

  • 外延增益层避免了深注入的技术限制
  • 复合保护结构提供优异的高压稳定性
  • 系统的TCAD优化确保了设计的可靠性

局限性

  1. 制造约束: 沟槽宽度受制造商工艺能力限制
  2. 成本考虑: 4H-SiC材料和工艺成本仍然较高
  3. 验证需求: 仿真结果需要实验验证

未来方向

  1. 实验验证: 完成晶圆制造并进行电学和辐射测试
  2. 性能优化: 基于实验结果进一步优化设计参数
  3. 应用扩展: 探索在不同高能物理实验中的应用潜力

深度评价

优点

  1. 系统性强: 从材料选择到器件设计再到保护结构的全面考虑
  2. 仿真详实: 使用专业TCAD工具进行了全面的参数优化
  3. 创新性高: 外延增益层和复合保护结构的设计具有创新性
  4. 实用性强: 设计充分考虑了制造工艺的实际约束和容差
  5. 技术先进: 击穿电压>2.4 kV显著超越了现有技术水平

不足

  1. 缺乏实验验证: 目前仅有仿真结果，缺乏实际器件的测试数据
  2. 成本分析不足: 未详细讨论相对于硅基LGAD的成本优势
  3. 应用场景有限: 主要针对高能物理应用，其他领域的适用性未充分探讨
  4. 长期稳定性: 未考虑器件的长期可靠性和老化特性

影响力

  1. 学术价值: 为SiC-LGAD的发展提供了重要的设计参考
  2. 技术推动: 推动了SiC探测器技术向实用化发展
  3. 产业影响: 可能促进SiC探测器的商业化应用
  4. 可复现性: 详细的设计参数和仿真方法便于其他研究者复现

适用场景

  1. 高能物理实验: 快速时间探测器应用
  2. 空间应用: 高辐射环境下的粒子探测
  3. 核物理研究: 需要高时间分辨率的探测系统
  4. 医学成像: 高性能X射线或伽马射线探测器

参考文献

论文引用了15篇相关文献，涵盖了SiC探测器技术的主要发展历程和关键技术节点，为本研究提供了坚实的理论基础和技术对比基准。