2025-11-22T12:16:16.365880

Contrasting properties of free carriers in $n$- and $p$-type Sb$_2$Se$_3$

Herklotz, Lavrov, Hobson et al.

We report persistent photoconductivity in $p$-type Sb$_2$Se$_3$ single crystals doped with Cd or Zn, where enhanced conductivity remains for hours after illumination ceases at temperatures below $\sim$25~K. Comparative transport and infrared absorption measurements, including on $n$-type Cl-doped counterparts, reveal strong indications that hole transport in Sb$_2$Se$_3$ is more strongly affected by intrinsic carrier scattering than electron transport. These results point to a fundamental asymmetry in charge carrier dynamics and highlight the potential role of polaronic effects in limiting hole mobility in this quasi-one-dimensional semiconductor.

academic

Contrasting properties of free carriers in $n$ - and $p$ -type Sb $_2$ Se $_3$

基本信息

论文ID: 2510.14554
标题: Contrasting properties of free carriers in $n$ - and $p$ -type Sb $_2$ Se $_3$
作者: F. Herklotz, E. V. Lavrov, T. D. C. Hobson, T. P. Shalvey, J. D. Major, K. Durose
分类: cond-mat.mtrl-sci (凝聚态物理-材料科学)
发表时间: 2025年10月17日
论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14554

摘要

本文报告了在Cd或Zn掺杂的p型Sb $_2$ Se $_3$ 单晶中观察到的持续光电导现象，在低于约25K的温度下，增强的电导率在光照停止后仍能持续数小时。通过与n型Cl掺杂样品的比较传输和红外吸收测量，发现Sb $_2$ Se $_3$ 中的空穴传输比电子传输更强烈地受到本征载流子散射的影响。这些结果表明载流子动力学存在根本性不对称，并突出了极化子效应在限制这种准一维半导体空穴迁移率方面的潜在作用。

研究背景与动机

研究问题

本研究主要解决Sb $_2$ Se $_3$ 半导体中电子和空穴传输机制的不对称性问题，特别是极化子效应对载流子迁移率的影响。

重要性

应用前景广泛: Sb $_2$ Se $_3$ 在光伏、光电化学器件、光探测器、热电器件等领域显示出巨大潜力
结构特殊性: 其准一维晶体结构由共价键合的Sb $_4$ Se $_6$ $_n$ 纳米带组成，通过范德华力结合，导致强烈的各向异性
性能瓶颈: 光伏器件的开路电压较低，主要归因于载流子浓度低和复合损失

现有研究局限性

对极化子效应在Sb $_2$ Se $_3$ 中的实际影响仍存在争议
缺乏对p型和n型样品载流子传输机制的系统比较
极化子自捕获效应本质上难以消除，需要深入理解其机制

研究动机

通过比较研究p型和n型Sb $_2$ Se $_3$ 单晶的光电导和红外吸收特性，揭示电子-空穴传输的不对称性，为器件优化提供理论基础。

核心贡献

首次报告p型Sb $_2$ Se $_3$ 的持续光电导现象: 在Cd和Zn掺杂的p型单晶中观察到低温下的持续光电导效应
揭示载流子传输的不对称性: 通过系统比较发现空穴传输比电子传输更强烈地受到本征散射机制影响
提供极化子效应的实验证据: 红外吸收光谱显示p型样品中存在更强的极化子特征
建立结构-性质关系: 将准一维晶体结构与载流子动力学不对称性联系起来

方法详解

样品制备

生长方法: 垂直布里奇曼熔体生长法
掺杂类型:
- n型: Cl掺杂
- p型: Cd、Zn掺杂
- 对照: 未掺杂、O掺杂、Sn掺杂
样品规格: 直径4mm，长度1-3cm的锭状单晶，切割成b取向的3×3mm²切片

电学测量

I-V特性: 使用Keithley 2601A在两点探针配置下测量
接触制备:
- n型样品: In接触（欧姆接触）
- p型样品: Au接触
霍尔效应: 确定载流子类型和浓度
温度范围: 18-200K

光学测量

红外吸收: Bomem DA3.01傅里叶变换红外光谱仪
偏振分辨: 使用线栅偏振器实现沿a轴和c轴的偏振测量
激发光源: 150W氙弧灯，功率密度约10mW/cm²
探测配置: 光束沿b轴传播

实验设置

测量条件

温度控制: 连续流氦低温恒温器，温度范围18-200K
光学窗口: KBr外窗和ZnSe内窗确保宽带透射
光谱分辨率: 1-2 cm⁻¹
加热速率: 约2K/min

样品特征

p型Cd掺杂: 室温空穴浓度~4×10¹⁵ cm⁻³，迁移率1-2 cm²/Vs
n型Cl掺杂: 电子浓度和迁移率均比p型高约一个数量级

实验结果

持续光电导现象

温度依赖性: 在25K以下观察到显著的持续光电导
时间特征: 光照停止后电导增强可持续数小时
掺杂依赖性: 仅在Cl、Cd、Zn掺杂样品中观察到，未掺杂样品无此现象

激活能分析

从阿伦尼乌斯图得到的激活能：

Cl掺杂(n型): ~170 meV (ClSe供体电离能)
Cd掺杂(p型): ~350 meV
Zn掺杂(p型): ~360 meV
未掺杂: ~500 meV

红外吸收光谱特征

n型样品(Cl掺杂)

显示典型的自由载流子吸收: α ∝ ω⁻²·⁸
强烈的偏振各向异性: c轴偏振吸收比a轴强约4倍
符合准一维结构的费米面各向异性

p型样品(Cd掺杂)

在420 cm⁻¹以下显示宽平台特征
缺乏明显的ω⁻ⁿ依赖关系
偏振各向异性相反: a轴偏振略强于c轴
总体吸收强度显著高于n型样品

关键发现

载流子动力学不对称性: p型和n型样品的光电导行为存在定性差异
散射机制差异: 空穴传输显示更强的本征散射特征
极化子效应证据: p型样品的光谱特征暗示极化子形成

相关工作

极化子理论背景

Holstein模型和Emin理论为理解极化子效应提供基础
在极性半导体中，强电子-声子相互作用可导致小极化子和大极化子形成

Sb₂Se₃相关研究

近期理论和实验研究提出了极化子效应的可能性
但对其实际影响程度仍存在争议
本工作提供了载流子类型依赖性的新实验证据

准一维材料

结构各向异性导致的载流子传输各向异性已在多种材料中观察到
本工作揭示了电子-空穴传输机制的本质差异

结论与讨论

主要结论

p型Sb₂Se₃存在持续光电导: 首次在Cd/Zn掺杂样品中观察到此现象
载流子传输不对称性: 空穴传输比电子传输更强烈地受到本征散射影响
极化子效应的作用: 红外光谱证据支持极化子效应在限制空穴迁移率中的重要作用

局限性

机制解释: 需要更多理论计算支持极化子模型
温度范围: 主要集中在低温区域，高温行为需要进一步研究
定量分析: 缺乏对极化子耦合强度的定量评估

未来方向

结合第一性原理计算深入理解电子-声子耦合机制
探索通过材料工程减少极化子效应的方法
研究极化子效应对器件性能的具体影响

深度评价

优点

实验设计严谨: 系统比较了不同掺杂类型的样品，控制变量清晰
技术手段全面: 结合电学和光学测量，相互印证实验结果
发现重要: 揭示了载流子传输的不对称性，对理解材料本征性质具有重要意义
数据质量高: 单晶样品质量好，测量精度高

不足

理论分析有限: 缺乏深入的理论模型来解释观察到的现象
机制讨论不够深入: 对极化子形成的微观机制讨论较少
应用指导性: 对如何利用这些发现改善器件性能的讨论不足

影响力

学术价值: 为理解准一维半导体的载流子动力学提供重要实验基础
应用前景: 对优化Sb₂Se₃基器件具有指导意义
方法学贡献: 提供了研究载流子传输不对称性的实验方法

适用场景

半导体物理基础研究
光伏器件优化
准一维材料的载流子传输研究
极化子效应的实验验证

参考文献

论文引用了29篇相关文献，涵盖了Sb₂Se₃的应用、极化子理论、载流子传输等关键领域，为研究提供了坚实的理论基础和实验对比。

总体评价: 这是一篇高质量的实验物理论文，通过精心设计的对比实验揭示了Sb₂Se₃中载流子传输的重要不对称性，为理解这种准一维半导体的本征性质提供了重要贡献。尽管在理论解释方面还有提升空间，但实验发现本身具有重要的科学价值和应用意义。