2025-11-24T00:28:17.542754

Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition

Voitovych, Sarikov, Yukhymchuk et al.
Peculiarities of formation of inclusions of amorphous Si (a-Si) phase in Si-rich Si oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are studied by combined Raman scattering and infrared (IR) absorption spectroscopy. The Raman scattering results identify presence of a-Si phase in the studied films at the relative Si content exceeding a threshold value of about 0.4. The a-Si amount correlates with the concentration of hydrogen in the films, the presence of which is detected by characteristic IR absorption bands corresponding to Si-H bending (about 660 cm-1) and stretching (a composite band in the range of about 1900-2400 cm-1) vibrations. The method of deconvolution of IR absorbance spectra in the range of about 600 to 1300 cm-1 developed earlier is used to reliably separate the IR band at about 660 cm-1. This band is identified to origin from the amorphous Si phase within the studied Si oxynitride films. This makes it possible to propose IR spectroscopy with analysis of the low-wavenumber part of the spectra as an efficient method of identifying phase composition of Si-rich Si oxynitride films. The obtained results contribute to understanding of the regularities of formation of phase compositions of PECVD grown Si oxynitride films and are useful for controlling the films properties for practical applications.
academic

Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition

基本信息

  • 论文ID: 2510.14701
  • 标题: Identification of formation of amorphous Si phase in SiOxNy films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition
  • 作者: M. V. Voitovych, A. Sarikov, V. O. Yukhymchuk, V. V. Voitovych, M. O. Semenenko
  • 分类: cond-mat.mtrl-sci cond-mat.mes-hall
  • 研究机构: 乌克兰国家科学院半导体物理研究所等多个机构
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14701

摘要

本研究通过拉曼散射和红外吸收光谱联合技术，研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备的富硅氧氮化硅薄膜中非晶硅(a-Si)相包含物的形成特性。拉曼散射结果表明，当相对硅含量超过约0.4的阈值时，所研究的薄膜中存在a-Si相。a-Si的含量与薄膜中氢的浓度相关，氢的存在通过Si-H弯曲振动(~660 cm⁻¹)和拉伸振动(~1900-2400 cm⁻¹范围内的复合带)的特征红外吸收带检测到。研究提出红外光谱结合低波数部分分析可作为识别富硅氧氮化硅薄膜相组成的有效方法。

研究背景与动机

问题背景

  1. 材料重要性: SiOxNy薄膜在现代微电子和光电子器件制造中具有重要意义，其结构决定了材料性能
  2. 组成复杂性: 当硅含量增加时，SiOxNy薄膜的形貌和结构发生根本性变化，可能形成嵌入在介电基体中的可变尺寸非晶硅团簇
  3. 检测挑战: 现有的相组成分析方法在识别非晶硅相方面存在局限性

研究动机

  1. 理论完善: 现有理论模型主要考虑Si、O、N原子的随机键合分布，需要更新以包含非晶硅团簇的可能性
  2. 实用需求: 为PECVD技术制备具有特定相组成的薄膜提供监控方法
  3. 方法创新: 开发简单、非破坏性的相组成识别技术

核心贡献

  1. 建立了阈值关系: 确定了相对硅含量超过约0.4时开始形成非晶硅相的阈值
  2. 提出了新的检测方法: 证明红外光谱中~660 cm⁻¹处的吸收带可用于识别非晶硅相
  3. 揭示了相关性: 发现非晶硅含量与薄膜中氢浓度存在直接相关性
  4. 开发了分析技术: 建立了基于红外光谱低波数区域分析的相组成识别方法
  5. 提供了理论支撑: 为理解PECVD制备的氧氮化硅薄膜相组成形成规律提供了实验依据

方法详解

实验设计

样品制备:

  • 采用PECVD技术制备9个不同组成的SiOxNy薄膜样品
  • 厚度: 300±5 nm
  • 基底: 双面抛光的硼掺杂CZ硅片(红外测试)和1mm厚蓝宝石片(拉曼测试)
  • N2O/SiH4流量比范围: 0.06-9

表征技术

拉曼光谱:

  • 激发波长: λ = 457 nm
  • 功率密度: <10³ W/cm²(避免结构损伤)
  • 设备: MDR-23光谱仪配备Andor iDus 401A CCD探测器
  • 归一化: 以非晶硅带(~480 cm⁻¹)强度为基准

红外光谱:

  • 测量范围: 400-4000 cm⁻¹
  • 分辨率: 2 cm⁻¹
  • 扫描次数: 100次
  • 测量精度: ~0.5%
  • 设备: PerkinElmer BX-II光谱仪

数据处理方法

光谱解卷积: 使用高斯函数对复合吸收带进行数学解卷积，分离不同Si-H键合配置的贡献:

  • H1 (2252±2 cm⁻¹): H-Si(O₃)复合物
  • H2 (2150±4 cm⁻¹): H-Si(Si₂O)复合物
  • H3 (2050±4 cm⁻¹): H-Si(Si₃)复合物

键长计算: 使用经验公式计算Si-H键长:

νSi-H (dSi-H)³ = 7074 cm²

实验设置

样品参数

样品N2O/SiH4比x值y值相对Si含量
#191.950.010.34
#231.30.280.39
#31.51.090.320.41
...............
#90.060.180.050.80

评价指标

  • 拉曼峰位置和半峰宽
  • 红外吸收带积分强度
  • 氢浓度(通过红外吸收计算)
  • 相对硅含量与非晶硅相含量的相关性

实验结果

拉曼光谱分析

关键发现:

  1. 特征峰识别: 在476 cm⁻¹和660 cm⁻¹处观察到两个不对称带
  2. 相组成解析: 476 cm⁻¹峰对应非晶硅的TO模式，半峰宽Γ₁ = 66 cm⁻¹
  3. 阈值效应: 当相对硅含量超过0.4时，TO带积分强度显著增加

红外光谱分析

Si-H拉伸振动区域(1900-2400 cm⁻¹):

  • 氢浓度范围: ~10²¹-10²² cm⁻³
  • 随硅含量增加呈上升趋势，高硅含量样品趋于饱和

Si-H弯曲振动区域(~660 cm⁻¹):

  • 峰位移动: 从665 cm⁻¹(样品#3)移至635 cm⁻¹(样品#9)
  • 强度变化: 与相对硅含量呈正相关
  • 关键发现: 该吸收带与拉曼TO模式强度呈线性关系

定量关系

阈值特性:

  • 过量硅阈值: ~0.2
  • 线性关系: 超过阈值后，非晶硅含量与过量硅浓度呈线性增长

相关工作

理论基础

  1. 随机键合模型: 传统理论主要考虑Si-O四面体和Si-N金字塔的混合
  2. 相分离理论: 富硅薄膜中硅团簇的形成机制
  3. 光谱表征方法: X射线光电子能谱、掠射角X射线衍射等传统方法的局限性

本研究的创新性

相比现有工作，本研究首次系统性地将红外光谱低频区域分析应用于非晶硅相的定量识别，并建立了明确的阈值关系。

结论与讨论

主要结论

  1. 阈值机制: 确认了相对硅含量0.4作为非晶硅相形成的临界值
  2. 检测方法: 建立了基于红外光谱~660 cm⁻¹吸收带的非晶硅相识别方法
  3. 结构-性能关系: 揭示了氢含量与非晶硅相含量的直接相关性
  4. 实用价值: 为PECVD工艺优化提供了简单有效的在线监测手段

局限性

  1. 样品范围: 仅研究了特定厚度(300 nm)的薄膜
  2. 基底效应: 未深入探讨不同基底对相形成的影响
  3. 动力学机制: 缺乏对相形成动力学过程的详细分析

未来方向

  1. 理论模型更新: 将非晶硅团簇纳入热力学相图模型
  2. 工艺优化: 基于相组成控制开发定制化制备工艺
  3. 应用拓展: 探索在光伏、光电子器件中的应用潜力

深度评价

优点

  1. 方法创新性: 首次系统性地使用红外光谱低频分析识别非晶硅相，方法简单且非破坏性
  2. 实验充分性: 采用拉曼和红外双重表征技术，结果互相验证，增强了结论的可靠性
  3. 定量分析: 建立了明确的阈值关系和定量相关性，具有实用价值
  4. 理论贡献: 为理解PECVD薄膜相形成机制提供了重要实验依据

不足

  1. 机制解释: 对非晶硅相形成的微观机制缺乏深入的理论分析
  2. 参数范围: 实验参数范围相对有限，普适性有待验证
  3. 应用验证: 缺乏在实际器件中的性能验证

影响力

  1. 学术价值: 为材料科学领域提供了新的相组成分析方法
  2. 实用价值: 为半导体工业提供了简便的质量控制手段
  3. 可复现性: 实验方法标准化程度高，易于重现

适用场景

  1. 工业生产: PECVD工艺的在线监测和质量控制
  2. 研发应用: 新型氧氮化硅材料的相组成设计
  3. 器件优化: 光伏电池、光电子器件的材料性能调控

参考文献

论文引用了28篇重要参考文献，涵盖了SiOxNy薄膜的制备、表征和应用等各个方面，为研究提供了坚实的理论基础和实验参考。

总体评价: 这是一篇在材料科学领域具有重要贡献的实验研究论文。作者通过系统的光谱学研究，建立了识别PECVD制备氧氮化硅薄膜中非晶硅相的新方法，为理解和控制这类重要功能材料的相组成提供了有价值的工具。研究方法科学严谨，结果具有重要的理论意义和实用价值。