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Dispersion engineered AlGaAs-on-insulator nanophotonics by distributed feedback

Talenti, Lovisolo, Xiao et al.
Technological advances in the fabrication of nanophotonic circuits have driven the scientific community to increasingly focus on the precise tailoring of their key optical properties, over a broadband spectral domain. In this context, the modulation of the local refractive index can be exploited to customize an effective reflectivity by the use of distributed Bragg mirrors, enabling the on-chip integration of Fabry-Pérot resonators. The resulting cavity length is strongly wavelength-dependent, offering practical solutions to the growing demand of dispersion engineering. Owing to their typically high core-to-cladding refractive index contrast and exceptional nonlinear properties, III-V semiconductor-based platforms represent promising candidates for the fabrication of Bragg reflectors. In this work, we propose an AlGaAs-on-insulator linear resonator based on distributed Bragg mirrors. We discuss the first experimental demonstration of a systematic, shape-constrained inverse design technique which tailors a prescribed dispersion profile, showing a strong agreement between simulations and measurements. In perspective, the proposed approach offers an efficient and general response to the challenge of dispersion engineering in integrated optical circuits.
academic

Dispersion engineered AlGaAs-on-insulator nanophotonics by distributed feedback

基本信息

  • 论文ID: 2510.14729
  • 标题: Dispersion engineered AlGaAs-on-insulator nanophotonics by distributed feedback
  • 作者: Francesco Rinaldo Talenti, Luca Lovisolo, Zijun Xiao, Zeina Saleh, Andrea Gerini, Carlos Alonso-Ramos, Martina Morassi, Aristide Lemaître, Stefan Wabnitz, Alfredo De Rossi, Giuseppe Leo, Laurent Vivien
  • 分类: physics.optics
  • 发表时间: 2025年10月16日
  • 论文链接: https://arxiv.org/abs/2510.14729v1

摘要

纳米光子电路制造技术的进步推动科学界越来越关注在宽带光谱域内精确定制其关键光学特性。在此背景下，可以利用局部折射率的调制来通过分布式布拉格反射镜定制有效反射率，实现法布里-珀罗谐振器的片上集成。由此产生的腔长具有强烈的波长依赖性，为日益增长的色散工程需求提供了实用解决方案。III-V族半导体平台因其典型的高芯层-包层折射率对比度和卓越的非线性特性，代表了制造布拉格反射器的有前途候选者。在这项工作中，作者提出了基于分布式布拉格反射镜的AlGaAs绝缘体上线性谐振器，并讨论了系统性形状约束逆向设计技术的首次实验演示，该技术可定制预设的色散分布，显示出仿真与测量之间的强烈一致性。

研究背景与动机

问题定义

  1. 核心挑战：随着纳米光子学的发展，精确控制集成光学器件的色散特性成为关键需求，特别是在宽带光谱范围内实现色散工程。
  2. 技术需求：传统的法布里-珀罗谐振器需要在芯片上集成，这要求使用分布式布拉格反射镜(DBR)来替代传统的端面反射镜，同时需要精确控制器件的色散特性。
  3. 材料优势：III-V族半导体材料(特别是AlGaAs)具有高折射率对比度和优异的非线性光学特性，在电信波长下可以抑制双光子吸收过程。
  4. 设计挑战：现有的光子晶体腔设计缺乏系统性的色散工程方法，需要开发能够精确定制色散分布的逆向设计技术。

核心贡献

  1. 首次实验演示：提出并实验验证了基于AlGaAs绝缘体上平台的系统性形状约束逆向设计技术。
  2. 色散工程方法：开发了通过调制波导几何结构来精确控制光子带隙和有效反射率的方法。
  3. 理论模型：建立了基于耦合波理论的简化模型(RM)，大幅提高了计算效率同时保持高精度。
  4. 器件设计：实现了从纯光子晶体腔到混合法布里-珀罗光子晶体谐振器的连续过渡设计。
  5. 实验验证：通过系统性的线性光学表征验证了设计方法的有效性，理论与实验结果高度吻合。

方法详解

任务定义

设计一种基于AlGaAs-OI平台的线性谐振器，通过分布式布拉格反射镜实现对色散特性的精确控制。输入为目标色散分布，输出为优化的波导几何参数，约束条件包括制造工艺限制和材料特性。

模型架构

1. 器件结构设计

  • 基本结构：400 nm厚的Al₁₈%Ga₈₂%As层位于2 μm厚的埋氧化层上，硅衬底
  • 腔体配置：中央波导段两侧对称放置DBR
  • 单元胞设计：正弦波纹调制，固定周期Λ = 0.33 μm，振幅Γ/2可变

2. 数学模型

有效波导宽度沿传播方向的表达式：

w_eff(x) = w₀ + Γ(x)/2 × sin(2πx/Λ)

其中w₀ = 0.61 μm为平均宽度。

3. 耦合波理论

采用简化模型描述反向传播波的耦合：

(D∂²ₓ ± iv_g∂ₓ + ω₀ - ω)A± + KA± = 0

其中D为色散参数，v_g为群速度，K为耦合强度。

4. 势阱模型

通过映射光子带边构建有效势阱：

V(x) = ω₀(x) + K(x)/2

技术创新点

  1. 形状约束逆向设计：与传统光子晶体逆向设计不同，本方法固定单元胞形状，仅优化调制振幅分布Γ(x)。
  2. 多项式参数化：使用广义多项式展开表示Γ(x)：
Γ(x) = Σ(n=1 to N) Γₙ|x|ⁿ  (在DBR区域)
  1. 快速求解器：基于1D耦合波理论的简化模型，计算时间从小时级降至秒级。
  2. 成本函数优化：
cost_f = Σₘ |D_int,m - D̃_int,m|/D₁

使用Nelder-Mead梯度下降法最小化。

实验设置

器件制造

  • 材料系统：AlGaAs-on-insulator平台
  • 制造工艺：利用法国RENATECH网络的纳米制造设施
  • 耦合方案：亚波长光栅耦合器用于片上光耦合
  • 样品数量：制造了50多个腔体，其中9个样品观察到明确的谐振

测量配置

  • 测量方法：标准透射实验，带宽>100 nm
  • 耦合条件：测试不同的总线波导到腔体耦合条件
  • 质量因子：观察到弱耦合状态，加载质量因子Q_L ≲ 6×10⁵

评价指标

  • 积分色散：D_int,m = ωₘ - ω_ref - mD₁
  • 质量因子统计：评估器件性能
  • 色散参数拟合：四阶展开拟合谐振频率

实验结果

主要结果

1. 三种设计配置

  • L₀ = 0 μm：纯光子晶体腔配置
  • L₁ = 40 μm：混合设计，中等长度均匀段
  • L₂ = 150 μm：接近法布里-珀罗配置

2. 色散工程性能

  • L₀配置：理论与实验完美吻合
  • L₁和L₂配置：高频段出现轻微偏差，归因于群速度失配

3. 质量因子统计

实验测得的色散参数(以D_n/2π表示)：

  • L₀：D₁ = 470±90 GHz, D₂ = -30±60 GHz
  • L₁：D₁ = 310±90 GHz, D₂ = 120±90 GHz
  • L₂：D₁ = 225±11 GHz, D₂ = 2±8 GHz

消融实验

通过比较不同中央段长度的设计，验证了从光子晶体腔到法布里-珀罗谐振器的连续过渡特性。

案例分析

  • 光子带隙调制：通过SEM图像确认了设计的几何结构
  • 谐振拟合：展示了典型的谐振线型和拟合结果
  • 色散统计：实验数据与理论预测的统计比较

相关工作

主要研究方向

  1. 光纤法布里-珀罗谐振器：用于调制不稳定性和频率梳生成
  2. 片上集成系统：硅基氮化硅平台的DBR实现
  3. III-V半导体平台：非线性频率转换和分布反馈激光器
  4. 光子晶体腔：温和约束机制和高Q因子设计

本文优势

相比现有工作，本文首次实现了系统性的色散工程逆向设计方法，并在AlGaAs-OI平台上进行了实验验证。

结论与讨论

主要结论

  1. 成功演示了基于AlGaAs-OI平台的色散工程分布反馈系统
  2. 验证了形状约束逆向设计技术的有效性
  3. 实现了从光子晶体腔到法布里-珀罗谐振器的连续过渡设计
  4. 理论模型与实验结果高度吻合，特别是在纯光子晶体配置中

局限性

  1. 制造容差：观察到的谐振波动表明制造容差可能影响结果重现性
  2. 群速度失配：混合配置中存在群速度失配导致的散射损耗
  3. 耦合优化：大多数器件处于弱耦合状态，需要进一步优化耦合条件
  4. 带宽限制：光子带隙调谐范围受材料特性限制至~50 THz

未来方向

  1. 宽带扩展：扩展到ω ⇄ 2ω操作带宽
  2. 微环器件：将方法扩展到微环谐振器
  3. 非线性应用：针对低功率非线性频率混合优化
  4. 制造改进：引入线性锥化段以减少群速度失配

深度评价

优点

  1. 方法创新性：首次系统性地将逆向设计应用于AlGaAs-OI平台的色散工程
  2. 理论严谨性：建立了完整的理论框架，从耦合波理论到优化算法
  3. 实验充分性：通过50多个样品的统计分析验证了方法的可靠性
  4. 计算效率：简化模型将计算时间从小时级降至秒级
  5. 应用前景：为集成光学电路的色散工程提供了通用解决方案

不足

  1. 制造挑战：只有约18%的器件显示出明确的谐振，表明制造工艺需要进一步优化
  2. 耦合限制：大部分器件处于弱耦合状态，限制了性能评估的准确性
  3. 理论偏差：混合配置中理论与实验的偏差需要更深入的物理分析
  4. 参数优化：N=4的多项式阶数选择缺乏充分的理论依据

影响力

  1. 学术贡献：为纳米光子学色散工程领域提供了新的设计范式
  2. 技术价值：AlGaAs-OI平台的高非线性特性使其在量子光学和非线性光学中具有重要应用潜力
  3. 工业应用：该方法可扩展到其他高折射率对比度平台
  4. 可复现性：详细的理论模型和实验参数有利于结果复现

适用场景

  1. 微腔激光器：分布反馈激光器的色散优化
  2. 频率梳生成：低功率阈值的参量振荡器
  3. 非线性光学：四波混频和二次谐波生成
  4. 量子光学：单光子源和量子信息处理

参考文献

论文引用了51篇重要文献，涵盖了光纤法布里-珀罗谐振器、光子晶体理论、III-V半导体平台、逆向设计方法等相关领域的关键工作，为本研究提供了坚实的理论基础和技术背景。

总结：这是一篇在纳米光子学色散工程领域具有重要意义的论文，首次实现了AlGaAs-OI平台上系统性色散定制的实验验证。论文在理论建模、算法优化和实验验证方面都表现出色，为集成光学器件的精密设计提供了新的解决方案。尽管在制造工艺和器件性能方面还有改进空间，但其创新的设计方法和良好的实验结果为该领域的进一步发展奠定了重要基础。